Está en la página 1de 11

DISEÑO ELECTRÓNICO II.

TEMA: TRANSISTOR MOSFET 1

TRANSISTOR MOSFET (METAL OXIDO SEMICONDUCTOR) DE CANAL P (NMOS)

1. MOSFET DE ENSANCHAMIENTO. Su estructura interna se puede representar de la


siguiente manera (figura 1);

Figura 1. Estructura del MOSFET y esquemático


Al polarizarlo (con VGS y VDS) como se observa en la figura anterior se debe considerar tres
situaciones (figura 2);

Figura 1A. Efecto de las polarizaciones VGS y VDS


DISEÑO ELECTRÓNICO II.
TEMA: TRANSISTOR MOSFET 2

1. Con VDS=0 y VGS>0 se desplazan electrones (portadores minoritarios en el substrato tipo P


hacia el espacio entre los semiconductores tipo n de fuente y drenador, formándose
entonces un canal (se ensancha) tipo n entre los dos. Pero si VGS <Vumbral del diodo entre
compuerta y fuente no hay conducción y la corriente es cero (Región de corte).
2. Con VDS=0 y VGS>Vumbral por ejemplo 1 voltio y 0<VDS< VGS - Vumbral =Vt se presenta,
inicialmente, una variación lineal entre la corriente y el voltaje VDS y se presenta lo que se
denomina la región óhmica lineal (figura 2) del Mosfet y luego al seguir aumentando VDS
sin superar VGS-Vt el canal se restringe por efecto de la polarización en VDS que empieza
disminuir el efecto de VGS-Vt y se entra en una variación óhmica no lineal.
3. Ahora bien para un VGS dado (ejemplo 1 voltio) si se sigue aumentando VDS por encima de
VGS -Vt se restringe el canal de manera que la corriente ya no aumenta. Se entra en la
denominada zona de saturación.
4. Si se sigue aumentando VDS se llega la zona límite de ruptura del cristal (Breakdown).

Las características de este dispositivo de variación lineal de corriente con el voltaje, permite
construir en los circuitos integrados elementos equivalentes a las resistencias discretas, que como
tal en razón del tamaño que ocuparían, no se pueden fabricar a nivel de un integrado.

Figura 2. Curvas características del MOSFET

Se analiza a continuación el comportamiento de la corriente en función de los voltajes de


polarización VDS y VGS. Como en esencia se hace una variación en el ancho del canal a partir del
gráfico siguiente (figura 3), se puede plantear el modelo matemático de su comportamiento.
DISEÑO ELECTRÓNICO II.
TEMA: TRANSISTOR MOSFET 3

Dx v(x)
x

dq dx
dt

L=longitud del canal

Figura 3. Canal n

Por la presencia del SiO2 (aislador) entre la compuerta y el canal n, se forma una capacitancia por
unidad de área que denominamos Cox.

Entonces considerando un diferencial de longitud, dx del canal (Figura 3), la diferencial de carga
almacenada está dada por;

dq  Cox * (W * dx)[( vGS  Vt )  v( x)]............[1]


W  grosor _ del _ substrato
v  voltaje _ resul tan te _ en _ el _ canal

El diferencial de campo eléctrico que se desarrolla en el canal está dado por;

dv

dx

Diferenciando la ecuación [1] con respecto a t obtenemos la expresión para la corriente en el canal

dq dx
 i  Cox * (W * )[( vGS  Vt )  v( x)]........ ....[2]
dt dt

Dependiendo de la concentración de los electrones y del campo eléctrico generado se obtiene una
velocidad de esos electrones que depende de la movilidad de los mismos en el canal controlado
por el campo eléctrico generado por vGS y que está dada por;
velocidad   n ( x)
dx
velocidad    n ( x )
dt
Entonces _ en _[2]
i  Cox * (W *  n ( x))[( vGS  Vt )  v( x)]
DISEÑO ELECTRÓNICO II.
TEMA: TRANSISTOR MOSFET 4

dv( x)
Pero;....( x) 
dx
dv( x)
i  Cox * (W *  n )[( vGS  Vt )  v( x)]
dx
i * dx  Cox * W *  n [(vGS  Vt )  v( x)]dv
Integrando;
L v

 i * dx   Cox *W *  n [(vGS  Vt )  v( x)]dv


0 0
v v
i * L  Cox * W *  n [  (vGS  Vt )dv   v( x)dv]
0 0
2
W v
i  Cox * *  n [(vGS  Vt )v  ]
L 2

Esta corriente será la misma del drenador, entonces la expresión general de la corriente del
drenador queda expresada como;
W v2
i DS  Cox * *  n [(vGS  Vt )v  ]....[3]
L 2
W
Km  Cox * *  n  cons tan te _ del _ MOSFET
L
v2
i DS  Km[(vGS  Vt )v  ]
2
Km
i DS  [2(vGS  Vt )v  v 2 ]
2
Km
Kn 
2
i DS  Kn[2(vGS  Vt )v  v 2 ]
v  v DS
i DS  Kn[2(vGS  Vt )v DS  v DS ]...........[4]
2

En la región de saturación; como quiera que la variación de corriente en magnitud es cero:

diDS d
 {Kn[2(vGS  Vt )vDS  vDS ]}  0
2

dvDS dvDS
diDS
 Kn(2(vGS  Vt )  2vDS  0
dvDS
vDS  vGS  Vt
vDS ( saturación )  vGS  Vt

Entonces la corriente de drenador en la región de saturación será;


DISEÑO ELECTRÓNICO II.
TEMA: TRANSISTOR MOSFET 5

iDS  Kn[2(vGS  Vt )vDS  vDS ]


2

iDS  Kn[2(vGS  Vt )(vGS  Vt )  (vGS  Vt ) 2 ]


iDS ( sat )  Kn(vGS  Vt ) 2

La corriente pico de saturación ocurre con vGS=vDS+Vt, entonces;

iDS ( sat )  Kn(vDS  Vt  Vt ) 2


iDS ( sat )  Kn(vDS ) 2

Se definen otros parámetros del MOSFET a continuación:


1 W
g DS   *  n * Qn
rDS L

 n ox
Cox 
tox
 ox  cons tan te _ dieléctric a _ del _ SiO2  4
tox  grosor _ de _ de _ la _ capa _ de _ SiO2
Qn; magnitud de carga almacenada en la zona del canal =Cox*(vGS-Vt)

En resumen;

iDS  Kn[2(vGS  Vt )vDS  vDS ] para vGS>Vt y vDS<(vGS-Vt)


2

i DS ( sat )  Kn(vGS  Vt ) 2 para vGS>Vt y vDS≥(vGS-Vt)

CMOS COMPLEMENTARIO
Se obtiene uniendo en la misma estructura un transistor NMOS y un transistor PMOS, (figura 4), lo
que básicamente determina un muy bajo consumo de energía, razón por la cual es un dispositivo
ampliamente utilizado en la fabricación de circuitos integrados.

Figura 4. Esquemático del CMOS


DISEÑO ELECTRÓNICO II.
TEMA: TRANSISTOR MOSFET 6

MOSFET DE AGOTAMIENTO

En la figura 5 se aprecia el diagrama esquemático del denominado Mosfet de agotamiento donde


ya se ha implantado en la fabricación, una región de canal definida a diferencia del Mosfet de
ensanchamiento.

A diferencia del transistor NMOS, ya está establecido el canal tipo n así que con VGS =0 si se
incrementa el voltaje VDS empieza aumentar la corriente por el drenador. Cuando se alcanza un
valor de voltaje denominado voltaje de “pinch down”, la corriente comienza a aumentar ya muy
lentamente y se entra en la zona de saturación, y se considera que la corriente es prácticamente
constante. Esa corriente se denomina en ese punto corriente drenador-fuente de saturación IDSS

Figura 5. Esquemático simbología y modelo tipo diodos del MOSFET de


agotamiento

La profundidad del canal se puede controlar con el voltaje VGS como en el transistor de
ensanchamiento, pero si se aplica un voltaje negativo de VGS se repelen electrones del canal y la
conductividad se reduce, es decir se agotan los portadores y de ahí el nombre de agotamiento. Si
se aumenta negativamente ese VGS llegará el momento de cortar la conducción del MOSFET,
(figura 5A)

Figura 5A. Característica de entrada del MOSFET de agotamiento


DISEÑO ELECTRÓNICO II.
TEMA: TRANSISTOR MOSFET 7

AGOTAMIENTO Y ENSANCHAMIENTO

Figura 6. Efectos de agotamiento y ensanchamiento en el MOSFET

CURVAS CARACTERÍSTICAS

IDSS

Vt

Figura 7. Curvas de características del MOSFET de agotamiento


MODELO PEQUEÑA SEÑAL
Para el circuito mostrado en la figura 8 se plantean las siguientes ecuaciones para el circuito de
salida del MOSFET;
VDD  I D * RD  VDS  0
VDD  VDS  Para ID=0 VDS=VDD y Para VDS=0  ID=VDD/RD.
ID 
RD
Con estos dos puntos se traza la recta de carga para definir posibles puntos de operación en
conjunto con las características propias del transistor.
DISEÑO ELECTRÓNICO II.
TEMA: TRANSISTOR MOSFET 8

Figura 8. Modelo de baja señal para el MOSFET

MODELO DC
Se plantea en la siguiente figura 9, el modelo DC para el MOSFET; una fuente de corriente iD
controlada por el voltaje VGS-Vt y dos diodos formados entre el cuerpo (B) tipo p del transistor y el
drenador (D) y la fuente (S) de tipo n respectivamente. Entre compuerta (G) y fuente en la
entrada se aplica el voltaje VGS.

Figura 9. Modelo DC del MOSFET


DISEÑO ELECTRÓNICO II.
TEMA: TRANSISTOR MOSFET 9

MODELO AC PEQUEÑA SEÑAL (LINEALIDAD)


En la figura 10 se plantea dos modelos dinámicos o de corriente alterna de dos puertos (entrada y
salida); Norton y Thèvenin para el MOSFET. Teniendo en cuenta, que la compuerta está aislada, su
impedancia de entrada es infinita y a la salida se tiene una fuente de corriente de drenador
controlada por el voltaje en compuerta y su impedancia de salida r0.

Figura 10. Modelo AC de baja señal del MOSFET


PASOS PARA ANALIZAR UN AMPLIFICADOR
El diseño de un amplificador se realiza a través del análisis y ejecución de los siguientes pasos:
1. Realizar la polarización del transistor según el esquema o circuito planteado
2. Determinar los parámetros de transconductancia gm y resistencia r0 del transistor
3. Determinar el circuito equivalente ac del transistor
4. Determinar la resistencia de Ri, la ganancia de voltaje y la resistencia de salida Ro del
amplificador.

MOSFET COMO INTERRUPTOR


El MOSFET se puede operar como un interruptor (figura 11) de manera similar a como se hace con
un BJT habida cuenta que se puede trabajar en la zona de corte y saturación. En corte, se
comportaría como un circuito abierto y en saturación entregaría la máxima corriente para un vGS
dado, con una mínima caída de tensión vDS.

Figura 11. MOSFET como interruptor


DISEÑO ELECTRÓNICO II.
TEMA: TRANSISTOR MOSFET
10

CURVAS CARACTERÍSTICAS

MOSFET INCREMENTAL O DE ENSANCHAMIENTO

La ecuación para la curva característica de transferencia de un Mosfet tipo incremental o de


ensanchamiento se puede obtener a partir del siguiente procedimiento;

o Se parte de la ecuación general; i DS ( sat )  Kn(vGS  Vt ) 2 .....[1]


o
A partir de los datos suministrados en la hoja de especificaciones del fabricante;
ID(encendido) , VGS(encendido) y VT(umbral) se obtiene el valor de Kn (k según Boylestad o
I D (encendicdo )
Kn 
gm(transconductancia (Zedra); (VGS (encendido )  Vt ) 2
o
Con el valor obtenido se remplaza en la ecuación [1] y se procede a trazar la curva para el
transistor Mosfet específico; VGS-ID

MOSFET DECREMENTAL O DE AGOTAMIENTO

La ecuación para la curva característica de transferencia de un Mosfet tipo decremental o de


agotamiento se puede obtener a partir del siguiente procedimiento;

VGS 2
o Se parte de la ecuación general; I D  I DSS (1  ) ....Ecuación _ de _ Shokley.[2]
Vp
o
A partir de los datos suministrados en la hoja de especificaciones del fabricante; IDSS ,
Vp(pinch-off; voltaje al cual la corriente es 0) y se obtiene una función ID=f(VGS). Con ésta
relación se procede a trazar la curva para el transistor Mosfet específico; VGS-ID

Los Mosfet en general, al igual que los BJT, pueden trabajar entonces en tres regiones; corte,
saturación y región activa. Las regiones de corte y saturación se utilizan en aplicaciones de
electrónica de potencia donde básicamente se trabaja en conmutación (corte-saturación-corte).

Para la región activa se dispone de una ventana de trabajo limitada por los valores máximos que
puede soportar un transistor; Corriente máxima, Voltaje de ruptura máximo, disipación máxima de
potencia y los valores límites para entrar en las zonas de corte y saturación.
DISEÑO ELECTRÓNICO II.
TEMA: TRANSISTOR MOSFET
11

Región activa