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Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así
porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
número de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra
su impedancia de entrada bastante baja.
Puesto que hay una tensión positiva entre el drenador y el surtidor, los
electrones fluirán desde el surtidor al drenador (o viceversa según la configuración del
mismo), aunque hay que notar que también fluye una corriente despreciable entre el
surtidor (o drenador) y la puerta, ya que el diodo formado por la unión canal – puerta,
esta polarizado inversamente.
Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de material p
ó n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de
material que forma con el canal una unión p-n.
En los extremos del canal se hacen sendas conexiones óhmicas llamadas
respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), más una conexión llamada
puerta (g-gate) en el collar.
Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas alternativamente con
purezas donadoras o aceptadoras de electrones.
Su estructura y representación se muestran en la tabla.
Modelo de transistor
FET canal n
Modelo de transistor
FET canal p
A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET pueden
intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la característica V-I (se
trata de un dispositivo simétrico).
Siempre nos va a interesar estar en la región de saturación, para que la única variable
que me controle la cantidad de corriente que pase por el drenador sea la tensión de
puerta.
Ecuación de Shockley:
ID=IDSS(1-
VGS/Vp)2
Donde:
4) TÉCNICAS DE MANUFACTURA.
El primer transistor se creó en los laboratorios Bell (Estados Unidos de N.A.) en 1947,
partiendo de una oblea de germanio, gracias a los trabajos de William Shockley, John
Bardeen, y Walter Brattain, por lo cual recibieron el premio Nobel.
En el año 1954, la firma Texas Instruments de Estados Unidos, fabricó el primer
transistor de silicio, lo cual bajó los costos y permitió, gracias a nuevas técnicas de
fabricación, su comercialización a gran escala.
Muy pocas veces las analogías son perfectas y en ocasiones pueden ser engañosas, pero
la analogía hidráulica de la figura siguiente proporciona un sentido al control del JFET
en la terminal de compuerta y a la conveniencia de la terminología aplicada a las
terminales del dispositivo. La fuente de la presión del agua puede semejarse al voltaje
aplicado del drenaje a la fuente, el cual establecerá un flujo de agua (electrones) desde
el grifo o llave (fuente). La "compuerta", por medio de una señal aplicada (potencial),
controla el flujo del agua (carga) hacia el "drenaje". Las terminales del drenaje y la
fuente están en los extremos opuestos del canal-n, como se ilustra en la figura anterior,
debido a que la terminología se define para el flujo de electrones.
Analogía hidráulica para el mecanismo de control del JFET.
Es importante observar que la región de agotamiento es más ancha cerca del extremo
superior de ambos materiales tipo p. La razón para el cambio en la anchura de la
región se puede describir mejor con la ayuda de la figura siguiente. Suponiendo una
resistencia uniforme en el canal-n, la resistencia del canal puede dividirse en las partes
que aparecen en la figura siguiente. La corriente ID establecerá los niveles de voltaje a
través del canal, como se indica en la misma figura. El resultado es que la región
superior del material tipo p estará inversamente polarizada alrededor de los 1.5 V, con
la región inferior inversamente polarizada sólo en los 0.5 V. Recuérdese, la explicación
de la operación del diodo, que cuanto mayor sea la polarización inversa aplicada,
mayor será la anchura de la región de agotamiento, de aquí la distribución de la región
de agotamiento que se muestra en la figura siguiente. El hecho de que la unión p-n esté
inversamente polarizada en la longitud del canal da por resultado una corriente de
compuerta de cero amperes, como se ilustra en la misma figura. El hecho que iG = O A
es una importante característica del JFET.
Según sea el orden de los materiales que forman las junturas, existen los transistores
tipo NPN ó PNP, los cuales, en disposiciones circuitales apropiadas permiten crear una
enorme cantidad de circuitos para diversos fines, ya que se complementan pues
funcionan con sentidos opuestos de circulación de corriente.
En la actualidad, existen una gran variedad de transistores, de efecto de campo o FET
(el electrodo de control actúa por medio de campo eléctrico), los tipo unijuntura, los
MOS o de óxido metálico (variante de los FET), y otras variaciones como los VMOS
(usados para controlar grandes potencias y tensiones), etc.
Existe una innumerable cantidad de diseños, especializados para alta potencia, bajo
ruido eléctrico, alta frecuencia, alta ganancia de corriente, alta tensión, aplicaciones de
conmutación, etc.