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  • Memoria RAM

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    Conceptos RAM

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    Unidad 2 6. Zécalos de memoria El 6calo de memoria es el lugar de la placa donde se insertan los médu- Nuestra. placa. puede utizr los de memoria RAM que actian como memoria principal del ordena- hasta cuatro médulos de memo dor. Hay diferentes tipos de 26calas de memoria en funcién del tipo de fa 00R2 1 mésdulo de memoria para el que esté dseftado. Destacan estos: SIMM: es antiguo. Su bus tiene un ancho méximo de 32 bits. Habi tualmente aparece de color blanco. Puede ser: | ~ De 30 contactos: trabaja a 5 V. El ancho de cada 26calo es de 8 bits, por lo queen equipos de 32 bits (los més habituales ‘1 2bcalo de memoria SIM de 30 conta para este tipo) se encuentra en grupos de cuatro. Tiene una . guia para orientar la conexién del médulo en uno de los extremos. El mecanismo de syjecin del médulo es rigido y forma parte del armaén del zécao. De 72 contactos:trabaja a5 V o 3,3 V. El ancho de cada zécalo es de 32 bits. Tene una guia en el extremo y otra en cl medio, El mecanismo de sujecin consiste en dos pestafias metilicas colocadas en los extremos del 26ca. ‘6calo de memoria SIMM de 72 contactos. Los contactos se encuentran a ambos lados del z6calo, aunque estén interconectados. # DIMM: es el sucesor de SIMM y el modelo actual de z6calo, Normal- mente es de color negro, aunque cn placas modernas es corriente encontrarlo de diversos colores. Su bus es de 64 bits (el doble que el de SIMM). Puede ser: De 168 contactos (84 por lado): trabaja a 3,3 V, con médulos de memoria SDR. Tiene dos gusas a lo fargo del 26calo para orientar la conexidn del médul. De 184 contactos (92 por lado) trabaja a 2,5 V, con médulos de memoria DDR. Tiene una guia hacia la mitad del s6calo, —De 240 contactos (120 por lado): trabaja entre 15 V y 1,8 V, con médulos de memoria DDR2y DDR3. Tiene una guia hacia la mitad del 26calo, en tuna posicién diferente a la de 184 contactos para evitar una insercidn equivocada, ‘Los contaetos de un lado del 26calo DIMM son independientes de los contactos de otro lado, por esta faain se cuentan por separado, El me- canismo de sujecisin del méulo consta de dos anclajesplasticos méviles *2bcaos de memoria DIM, ubicados en los extremos del 2écalo. EEE *bicacén de las quas en ls 26 alos IMM (de aria abajo: 168, 184 240 contacto TANANANAAARAARAR ARR R AAR Re SO-DIMM: version reducida del Pata ordenadores porttiles. Puede alo DIMM especialmente diseriada ST De 72 contactos (36 en cada lado: orientaos a dispostivos que pre- isan memoria independiente, como puede ser una impresora 0 una Marjeta grifica, Trabaja a 3,3 V. Tiene una guia en uno de los extremos. =De 100 contactos (50 en cada lado): su ancho de bus es de 32 bits. Frabaja a 3,3 V, Tiene dos guias en posiciones similares a la DIMM de 168 contactos. =De 144 contactos (72 en cada lado): ancho de bus de 64 bits. Trabaja a 3,3 V, con médulos de memoria ‘SO-DIMM SDR. Tiene una guia cerca de su punto medio. ~~ De 200 contactos (100 en cada lado): ancho de bus de 64 bits. Trabaja Entre 2,5°V y 1,8 V, con médulos de memoria SO-DIMM DDR: y DDR2. Tiene una guia bastante desplazada hacia un extremo. ~~ De 204 contactos (102 en cada lado): ancho de bus de 64 bits. Trabaja 11,5 V, con médulos de memoria SO-DIMM DDR3. Tiene una guia un Poco mais desplacada hacia un extremo que la de 144 contactos. Este acalo tiene un sistema de sujecisn semirrgide habitualmente metélicas, en los extremos del x6ealo, basado en dos pinzas, © Micro-DIMM: més pequeno que SO-DIMM. Se utilis Fequipos portitiles de dimensiones reducidas). Puede ser: =De 144 contactos (72 por lado): trabajaa 3,3 V, con médulos de memo- Fla Micro-DIMM SDR. Tiene una guia en uno de los extremos. De 172 contactos (86 por lado): trabaja entre 2,5 V y 1,8 V, con médu- los de memoria Micro-DIMM DDR y DDR2. =De 214 contactos (107 por lado): trabaja a 1,5 V, con médulos de memoria Micro-DIMM DDR2. Este z6calo lew Mezzanine, para netbooks ‘a una conexién tipo Excepto el z6calo Mezzanine, todos los 2icalos Micro-DIMM tiener fem tno de sus extremos para facilitar la orientacién del médulo exis. n gui 72. 4 Zbcalo de memoria tipo Mezzanine. c oy y SOO 8F8304804 ‘Zocalo de memoria SO-DIMM de 204 contacto, 1 Ubicadin de as guias en los 26- «alos SO-DIMM (de ariba abajo: 72,100, 148, 200 208 contactos. Componentes internos 5. La memoria RAM La memoria RAM es un. dispositivo donde se almacenan los datos y las instruc- iones necesarios para el correcto furicionamiento de un equipo. Es la memoria de trabajo que utilizan el sistema operativo y los programas. Esté formada por circuitos integrados, y su cualidad principal es la volatilidad, es decir, la informacién que se almacena en su interior permanece inalterada ‘mientras se le suministra corriente eléctrica, aunque hay memorias RAM que no Se comportan exactamente asi 5.1, Caracteristicas La memoria RAM tiene una serie de caracteristicas que la hacen diferente a otto tipo de memorias: * Volatitidad: la volatilidad es una caracteristica de las memorias RAM que de- termina el tiempo que permanecen los datos antes de desaparecer. Las memorias RAM dindmicas (DRAM) estin formadas por condensadores que se «descar- an», por lo que cada cierto tiempo, el controlador de memoria debe regrabar la informacién para que no se pienla, lo que se denomina «ciclo de reftesco» La memoria RAM estatica (SRAM) esta formada por semiconductores hasados ‘en biestables. Estos se autoalimentan y mantienen su estado siempre que no se interrumpa la alimentacién eléctrica, por lo que no necesita ser regrabada 0 refrescada. Tanto en una como en otra, cuando no se suministra corriente el¥ctrica, toda la informacién se pierde, por lo que son «volatiles»; pero, ademés, la memoria RAM dindmica tiene un inconveniente, y es que requiere un refresco continuo ppara no perder la informacidn, Por esta razén, las segundas son més earas que las primeras, que no necesitan refrescarse continuamente. ‘¢ Capacidad: es la cantidad de datos que puede almacenar una memoria, Como cualquier tipo de memoria, la capacidad se mide en miiltiplos de byte (8 bits). kilobytes, megabytes y gigabytes, principalmente * Velocidad de acceso: se mide en nanosegundos, y es el tiempo que se necesita para realizar una operacién sobre la memoria, bien sea de escritura o de lectura de datos. Se denomina memoria «de acceso aleatorio», porque la informacion. que contiene se puede leer o escribir con el mismo tiempo de acceso, indepen. dientemente de donde se encuentre esta informacién # Velocidad 0 frecuencia de reloj: se mide en megahercios, y es la cantidad de ‘veces por segundo que es posible accedera la memoria En ocasiones, esta vel dad no se refiere exactamente a la velocidad real del bus, puesto que depende de teint accesos se realicen por cada ciclo de reloj. Sien lugar de un acceso por ciclo se realizaran dos, el bus equivalente tendefa una velocidad del doble de la indicada. Son lo que se denomina «megahercios efectivos 6 equivalentes» ® Latencia: es un parimetro que hace referencia a los retardos producidos en ‘cada acceso de memoria. Es necesario que sea minima para asegurar un Sptiono funcionamiento de la memoria # Tasa de transferencia o ancho de banda: ¢s un parimetro que se mide en MBs ‘©GBJs, representa el niimero de datos que se pueden leer o escribir por unidad de tiempo, ‘Ademas de las memorias de ac eso aleatorio (RAM), también hay memorias de acceso se- ‘cuencial (SAM). Su funcionamiento implica que, al acceder a una posicién de me- moria, es necesario leer previa- ‘mente todas las posiciones que le preceden, por lo que la velocidad de la lectura depende de la posi-

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