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Tema04 PDF
Tema04 PDF
Propiedades eléctricas
de los materiales: conductores de los materiales: conductores
y dieléctricos y dieléctricos
Objetivos:
● Conocer las características de los conductores cargados en equilibrio:
campo eléctrico en el interior y en la superficie, potencial y distribución
de cargas.
● Conocer las características de los fenómenos de influencia total entre
conductores.
● Definir la capacidad de un condensador y saber calcular la capacidad
equivalente de asociaciones de condensadores en serie y en paralelo.
● Entender los fenómenos de carga de un condensador y saber hallar la
energía almacenada en un condensador.
● Saber discutir los efectos de un dieléctrico sobre la capacidad, carga,
energía, diferencia de potencial y campo eléctrico de un condensador.
Tema 4. Conductores y
Introducción
dieléctricos
+
4.1 Teoría de bandas de energía.
● Modelo de +- +-
+
+- +-
+
+ + + -
conductor
- - - -
+ - + - + +- + +
4.2 Conductores en equilibrio.
-
- -
+ + + + + + -
Influencia electrostática. Pantallas. - - - -
+ + -
+ + + + + + - -
4.3 El condensador. Capacidad. - - - + + - -
+ + + + + +
Circuito RC. Carga y descarga de un
-
+
- - -
condensador. + + +
-
+ +
Energía almacenada por un condensador. - Electrones libres
Densidad de energía. I ones +
Introducción
energía
● Modelo de μ e4 13,6 eV
Átomo de hidrógeno: E n=− =−
dieléctrico 4 πε0 2 2 ℏ n 2 n2
(aislante) Mm
μ=
0 mM
Àtomos con electrones -2
compartidos y configuración -4
Energía de los 10
E (eV)
electrónica estable -6
primeros niveles
-8 energéticos del átomo de
-10 hidrógeno, con un
Electrones ligados
-12 electrón en su estado
-14 fundamental
energía energía
μ e4 13,6 eV
Átomo de hidrógeno: E n=− =−
4 πε0 2 2 ℏ n 2 n2 0 Excitación-
Fotón
-2 desexcitación de
Mm E γ-12,09 eV
μ= -4 un electrón en el
0 mM
E (eV)
-6 átomo de
-2
Fotón hidrógeno
-4 -8
Energía de los 10 Fotón 12,09 eV
E (eV)
-6 -10
primeros niveles Eγ
-8 energéticos del átomo de -12
-10 hidrógeno, con un -14
-12 electrón en su estado
-14 fundamental
Si la energía que se aporta al átomo es mayor que la energía de
ligadura del electrón, éste podrá “liberarse” del átomo, y entonces se
dice que el átomo está ionizado. Por este motivo, a la energía de
La energía que posee el electrón en el átomo se denomina energía de ligadura se le denomina también energía de ionización.
ligadura
energía energía
Átomo de hidrógeno: Grupo 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Periodo
1 2
1
H He
7p
5f 6d 3 4 5 6 7 8 9 10
2
7s Li Be B C N O F Ne
6p 11 12 13 14 15 16 17 18
3
Na Mg Al Si P S Cl Ar
4f 5d 6s 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36
5p 4
K Ca Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se Br Kr
4d
5s 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54
5
Rb Sr Y Zr Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb Te I Xe
3d 4p
55 56 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86
4s 6 *
Cs Ba Lu Hf Ta W Re Os Ir Pt Au Hg Tl Pb Bi Po At Rn
3p
87 88 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118
3s 7 **
Fr Ra Lr Rf Db Sg Bh Hs Mt Uun Uuu Uub Uut Uuq Uup Uuh Uus Uuo
Configuración electrónica del
2p
2s
átomo del H
57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70
*
1s La Ce Pr Nd Pm Sm Eu Gd Tb Dy Ho Er Tm Yb
89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102
**
Ac Th Pa U Np Pu Am Cm Bk Cf Es Fm Md No
energía energía
7p 7p
5f 6d
5f 6d
7s Cu “8 átomos”
7s 6p
6p 4f 5d 6s Banda
5p 4p de
4d
4f 5d 6s 5s
3d conducción
5p 3d 4p
4d 4s
3p
5s 3s Banda
Configuración electrónica del
3d 4p 2p
átomo del Cu 4s
de
2s valencia
4s 1s
3p
3s
Configuración electrónica del
2p Niveles energéticos de la última capa del
2s
átomo del Cu átomo de Cu aislado (izquierda), y de ocho
átomos de cobre formando una hipotética
estructura cristalina de “8 átomos” (derecha).
1s La separación entre los niveles energéticos es
meramente ilustrativa y no está dibujada a
escala.
Cu (29 e-): 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s1
Teoría de bandas de 4.1
Teoría de bandas de 4.1
energía energía
7p
5f
6p
6d
7s Cu “N átomos” Energía interna U ∝k B T
4f 5d 6s Banda
5p 4p de k B T =E F /100
4d Constante de Boltzmann
3d conducción
5s
3d 4p Aumenta T k B =1 . 38 · 10−23 J/K
4s
3p
3s Banda
Configuración electrónica del de
2p
2s
átomo del Cu 4s
valencia Función de distribución
1s de Fermi-Dirac
1
Niveles energéticos de la última capa del n =
átomo de Cu aislado (izquierda), y de ocho k B T =E F /2
k B T =E F
1exp{ −E F /k B T }
átomos de cobre formando una hipotética k B T =E F /10
estructura cristalina de “N átomos” (derecha).
La separación entre los niveles energéticos es
meramente ilustrativa y no está dibujada a
escala.
/E F
1C
Teoría de bandas de 4.1
energía energía
Función de
distribución de BC BC BC
Fermi-Dirac
Energía de Fermi, EF Eg ≅ 10 eV Eg ≅ 1 eV
BV BV BV
Dieléctrico Semiconductor Conductor
(aislante)
4.2 4.2
ρ = 0 φ=
∑ Qi
ε0
V = c te
σ Qi =0
E
4.2 4.2
4.2 4.2
Q Q1
R1 R1
Q2 R2
4.2 4.2
a) c)
Q=Q1 Q2 Q1 QR1 Q Q2 Q
σ1 = = = , σ 2= =
S1 4πR21 R1R2 4πR1 R1 R2 S 2 4πR 2 R1R2
Q1 Q2 QR1 QR 2
V= = ⇒ Q 1= , Q 2=
4 πε 0 R1 4 πε 0 R2 R1 R2 R1 R2
d)
b)
Q1 Q2
lim R
2
∞ Q 1 =lim R 2 ∞ QR1
R1 R2 =0
Q
V =V 1=V 2 = =
4 πε0 R1 4 πε0 R2
=
4 πε0 R1 R2
lim R
2
∞ Q 2 =lim R 2 ∞ QR2
R1 R2
=Q
limR
2
∞ V =limR2 ∞ Q
4 πε0 R1 R2
=0
4.2 4.2
4.2 4.2
Problema 11 Pantallas
dq 1 1 Q R
● Las cargas internas al conductor hueco no
V QO=∫ = ∫ dq= 4 πε R tienen influencia sobre el exterior del
4 πε0 r 4 πε0 R 0 O q
conductor hueco conectado a tierra.
Q
V O =V QO V qO=
1 Q q
=0
4 πε0 R d
σext= 0
d E =0 σ
+Q E =0
qR V =0
Q=−
d
V =0
4.2 4.2
Pantallas Pantallas
● Las cargas externas al conductor hueco no
tienen influencia sobre el interior del
conductor hueco conectado a tierra. Dieléctrico
+Q
σ E
E =0
V =0
V =0
Conductor
4.3 4.3
El condensador El condensador
● Influencia electrostática total: la influencia ● Influencia electrostática total:
electrostática entre dos conductores se
denomina total cuando todas las líneas de
campo de un conductor atraviesan el otro.
Superficie
de Gauss
-Q +Q
+Q
-Q
-Q +Q
4.3
El condensador. 4.3
El condensador
Capacidad
● Sistema de dos conductores que se ● Capacidad de un condensador:
ejercen una influencia total. Magnitud de la carga en
● Almacenan carga eléctrica (y energía). Q Q cualquiera de las armaduras
C= =
V 1−V 2 V 12 Diferencia de potencial
entre las armaduras
Armaduras ● En los circuitos eléctricos, el condensador se
V1 del condensador representa del siguiente modo:
C
+Q V1 V2
V2
-Q ● Faradio: es la unidad SI de capacidad.
+Q -Q 1F = 1C/ V
4.3 4.3
El condensador El condensador
Condensador cilíndrico
Condensador plano
2π ε 0 L
C=
S ε0 S ln r 2 /r 1
C=
d
d
Circuito RC. Carga y 4.3
Circuito RC. Carga y 4.3
d qt
i t=
dt
[ ][ ]
−
qt dt
C R
=dqt
0,63 ε
t 0 ⇒ V=0
t ∞ ⇒ V =
=RC t
Circuito RC. Carga y 4.3
Circuito RC. Carga y 4.3
Descarga de un condensador:
V
ε
●
V t =e−t/RC
t 0 ⇒ V =
● Constante de tiempo: =RC
t ∞ ⇒ V =0
V =e−RC /RC=⋅0,37 0,37 ε
● Tiempo transcurrido cuando el potencial
alcanza el 37% del valor máximo.
τ t
Densidad de energía
un condensador
q
du=dq v=dq ● Energía de un condensador plano:
q C
dq v= 1 2
C U
U=∫0 du=∫0 dq
Q q U= E S d
C 2
2
1Q
U= ● Densidad de energía de un campo
2 C electrostático:
1 1
2
1Q 1 1 ue = E2 = r 0 E 2
U= = QV = C V 2 2 2
2 C 2 2
Asociación de 4.3
Asociación de 4.3
condensadores condensadores
● Condensadores en paralelo.
● Condensadores en serie.
+Q1 -Q1
+Q -Q +Q -Q +Q -Q +Q -Q
C1
1 2 3 n n+1
+Q2 -Q2 +Q -Q
C1 C2 Cn Ceq ≡
A C2 B A B
Ceq
1
Ceq = 1
C1 + C12 + + C1n = ∑ C1i +Qn -Qn
i Cn
Ceq = C1 + C2 + + Cn = ∑Ci
i
4.3 4.3
(1) C A B
QT = Q3,4 =Q1,2
4C C’
A B C1,2=2C C3,4=2C
(3) (4)
(2) A B
C
Ceq =C QT = VC
4.3 4.3
A B
Ceq =C QT = VC
4.3 4.3
Problema 6 Problema 8
C1 C2 8. Se dispone de dos condensadores C1
Q = Q1 + Q2 de capacidad C1 y C2, tras conectarlos
en paralelo se aplica a la asociación
Q1 Q2 Q1 Q2 una diferencia de potencial V. Calcula
= la carga que adquiere cada
C1 C2 C2
condensador (Q1 y Q2) así como la
diferencia de potencial entre las placas
de cada uno de ellos (V1 y V2). V
QC2
Q2 = C1
(C1 + C2 ) Q1
QC1
Q1 =
(C1 + C2) C2
Q2
4.3 4.3
Problema 8 Problema 9
9. En la asociación de condensadores de la
C1 figura, indica en qué condensador se C2=C/3
almacena:
a) la mayor carga, y A C1=C B
V1 = V2 = V b) la menor carga,
al aplicar entre A y B una d.d.p. V.
(C1 = C; C2 = C/3; C3 = C(2/3)).
C3=2C/3
C2
Q1 = C1V1 = C1V
V
Q2 = C2V2 = C2V
4.3 4.3
Problema 9 Problema 15
Q2 C
9. En la asociación de condensadores de la 15. Sea un condensador (1) A B
figura, indica en qué condensador se C2=C/3 (1)
almacena: de capacidad C sometido a
A C1
=C
B V1
a) la mayor carga, y una diferencia de potencial
b) la menor carga,
al aplicar entre A y B una d.d.p. V. Q3 V1, y otros dos de igual C
(C1 = C; C2 = C/3; C3 = C(2/3)). Q1 A B
capacidad y descargados. Q1
C3=2C/3
Tras aislar el primer
V condensador se asocia a los C C
Q1 = Q2 + Q3 C1 mayor carga
otros dos tal como se
muestra en la figura. Calcula Q2 Q3
V2 = V3
las cargas que adquieren los
Q2 tres condensadores, Q1, Q2, y
C2 = ⇒ Q2 = C2V2 = CV2 / 3 C2 menor carga
V2 Q3.
Q3
C3 = ⇒ Q3 = C3V3 = 2CV2 / 3
V3
4.3 4.3
Problema 15 Problema 15
A (1) C B
1 2
(2) C (3) C A (1) C B (2) C (3) C
V1 Q
4.3 4.3
Problema 15 Problema 15
(1) C
A B
3 Q1 3
(2) C (3)C Q = Q1 + Q23
Q2 Q3 Q1 Q23
1 1 1 2 C =
= + = ⇒ C23 = C C/2
C23 C2 C3 C 2
(1) C (1) C
A B 1 A B
Q1 Q2 = Q3 = Q23 = Q / 3 = V1C Q1
Q2 = Q3 = Q23 3
(2 y 3) C23=C/2 2 (2 y 3) C23=C/2
Q1 = 2Q23 = V1C
Q23=Q2 =Q3 3 Q23=Q2 =Q3
=Q23 =Q23
4.3 4.3
Problema 7 Problema 7
7. Una lámina de cobre de b ε 0S b
espesor b se introduce dentro C0 =
de las armaduras planas de a d a
un condensador de superficie
−1
S
S, tal como se indica en la 1 1
−1
1 1 εS
figura. ¿Cuál es la capacidad C = + = + = 0
C1 C2 ε
0S ε 0S d−b
del condensador antes y a d − b− a
despise de introducir la
lámina?
ε0S ε0S
C1 = C2 =
a d − b− a
d d
4.3 4.4
εr V0
V0 εr
V=
εr
A B A B A B
E0 εr
-Q Q -Q Q Q E0
E=
C0 V V V VV εr
V0
C=ε r C 0
J. Gerpheide
*
Investigación y Ciencia. Septiembre de 1998.
4.4 4.4
Dieléctricos Dieléctricos
● Constante dieléctricas y resistencias a la
ruptura del dieléctrico de diversos ● Capacidad de un condensador plano lleno de
materiales.
Material Constante Resistencia del un dieléctrico de constante εr :
Dieléctrica κ Dieléctrico, kV/mm
Aceite de transformador 2,24 12 S εr ε0 S εS
Aire 1,00059 3 C= =
Baquelita 4,9 24 d d
Mica 5,4 10 – 100
Neopreno 6,9 12
εr ε0 = ε : Permitividad del dieléctrico.
Papel 3,7 16
Parafina 2,1 – 2,5 10
Plexigás 3,4 40
Poliestireno 2,55 24
Porcelana 7 5,7 d
Vidrio (Pyrex) 5,6 14
4.4 4.4
Dieléctricos Dieléctricos
● En general, las leyes de la electrostática
en presencia de un dieléctrico son las
ε0 εr ε0
mismas que hemos estudiado en el vacío, 1 dq 1 dq
sustituyendo la constante ε0 , por εr ε0 . E = ∫ u ∫ u
4 πε r 2 r
0V 4 πεr ε 0 V r 2 r
1 dq 1 dq
V= ∫ V= ∫
ε0 εr ε0 4πε0 V r 4 πεr ε 0 r
Q interior Qinterior
= =
ε0 εr ε0
4.4 4.4
H
+ H
O
O
-
+
-
H E
- +
dp dp
=0 ≠0 Eind
dv dv
4.4 4.4
Q Q Q S
C= = = = ε0
VAB E1d1 + E2d2 d1σ + d2σ d1 d2
+
E0 σ -σ ε r1 ε 0 ε r2 ε 0 ε r1 ε r2
A B
E ind
ε r1 ε r2
S
σ0 −σ0 C = ε0
σ0 −σ’ σ’ −σ0 n
di
d1 d2
∑ ε
i =1 ri
1 σ σ
σ'= σ 01− E1 =
ε r1ε 0
E2 =
ε r 2ε 0
εr