Está en la página 1de 20

Universidad Nacional Mayor de San Marcos

UNMSM

Facultad de Ing. Electrónica, Eléctrica y


de Telecomunicaciones

Apellidos y Nombres Matrícula

Castro Gómez Brayan 18190006


Luna Venturo Noe 18190271
Puma Cabrera Gustavo 18190061

Curso Tema

Dispositivos Electrónicos El transistor bipolar PNP


2N3906. Características
básicas

Informe Fechas Nota

FINAL Realización Entrega

Número 26/06/19 3/7/19

Grupo Profesor

L17 Miercoles 4 pm- 6 pm Ing. Luis Pareto Quispe

Facultad de Ingeniería Electrónica, Eléctrica y de Telecomunicaciones Página 1


Universidad Nacional Mayor de San Marcos

EXPERIENCIA Nº 6
El transistor bipolar PNP 2N3906
Características básicas

I) TEMA: EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP 2N3906.


CARACTERÍSTICAS BASICAS.

II) OBJETIVOS:
1. Verificar las condiciones de un transistor bipolar PNP.
2. Comprobar las características de funcionamiento un transistor
bipolar PNP.

III) MARCO TEÓRICO:

Transistor

Distintos encapsulados de transistores.

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de


amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la
contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente
se los encuentra prácticamente en todos los enseres domésticos de uso diario: radios,
televisores, grabadores, reproductores de audio y vídeo, hornos de microondas,
lavarropas automáticos, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de
cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorecentes, equipos de
rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, celulares, etc.

Sustituto de la válvula termoiónica de tres electrodos o triodo, el transistor bipolar fue


inventado en los Laboratorios Bell de EEUU en diciembre de 1947 por John Bardeen,
Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con
el Premio Nobel de Física en 1956.

El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas


artificialmente que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el
colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre las dos
primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las válvulas, el
transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente
amplificada. En el diseño de circuitos a los transistores se les considera un elemento

Facultad de Ingeniería Electrónica, Eléctrica y de Telecomunicaciones Página 2


Universidad Nacional Mayor de San Marcos

activo, a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son elementos


pasivos. Su funcionamiento sólo puede explicarse mediante mecánica cuántica.

De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es función amplificada


de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor sólo gradúa la corriente que circula
a través de sí mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la "base"
para que circule la carga por el "colector", según el tipo de circuito que se utilice. El
factor de amplificación logrado entre corriente de base y corriente de colector, se
denomina Beta del transistor. Otros parámetros a tener en cuenta y que son particulares
de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor,
de Colector Base, Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias
tablas donde se grafican los distintos parámetros tales como corriente de base, tensión
Colector Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de
esquemas básicos para utilización analógica de los transistores son emisor común,
colector común y base común.

Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET,


MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se inyecta en el
terminal de "base" para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensión
presente en el terminal de puerta o reja de control y gradúa la conductancia del canal
entre los terminales de Fuente y Drenador. De este modo, la corriente de salida en la
carga conectada al Drenador (D) será función amplificada de la Tensión presente entre
la Puerta (Gate) y Fuente (Source). Su funcionamiento es análogo al del triodo, con la
salvedad que en el triodo los equivalentes a Puerta, Drenador y Fuente son Reja, Placa
y Cátodo.

Los transistores de efecto de campo, son los que han permitido la integración a gran
escala que disfrutamos hoy en día, para tener una idea aproximada pueden fabricarse
varios miles de transistores interconectados por centímetro cuadrado y en varias capas
superpuestas.

Tipos de transistor:

 Transistor de punta de contacto. Primer transistor que obtuvo ganancia,


inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de
germanio sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que
constituyen el emisor y el colector. La corriente de emisor es capaz de
modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ahí el nombre de
"transfer resistor". Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en
su día. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un
golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió con el
transistor de unión (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de
banda. Hoy día ha desaparecido.
 Transistor de unión bipolar, BJT por sus siglas en inglés, se fabrica
básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de
Galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre
conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el
sustrato de cristal se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos
de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos
uniones NP.

Facultad de Ingeniería Electrónica, Eléctrica y de Telecomunicaciones Página 3


Universidad Nacional Mayor de San Marcos

La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de


aceptadores o "huecos" (cargas positivas), normalmente se utilizan como elementos
aceptadores P al indio, Aluminio o Galio y donantes N al Arsénico o Fósforo. La
configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la
letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al
emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen
diferente contaminación entre ellas.

El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de


dichas contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de
contaminación (difusión gaseosa, epitelial, etc.) y del comportamiento cuántico
de la unión.

 Fototransistor, sensible a la radiación electromagnética, en frecuencias


cercanas a la de la luz.
 Transistor de unión unipolar.
 Transistor de efecto de campo, FET, que controla la corriente en función
de una tensión; tienen alta impedancia de entrada.

 Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido


mediante una unión PN.
 Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET,
en el que la compuerta se aísla del canal mediante un
dieléctrico.
 Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS
significa Metal-Óxido-Semiconductor, en este caso la
compuerta es metálica y está separada del canal
semiconductor por una capa de óxido.

Transistor bipolar
Regiones operativas, configuraciones

El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como los diodos, puede ser
de germanio o silicio.

Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la corriente
en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el gráfico de cada tipo de transistor.

El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B),


colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la
flecha en el gráfico de transistor.

Transistor NPN Transistor PNP

Facultad de Ingeniería Electrónica, Eléctrica y de Telecomunicaciones Página 4


Universidad Nacional Mayor de San Marcos

El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos


una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregará por otra (emisor),
una cantidad mayor a ésta, en un factor que se llama amplificación.
Este factor se llama b (beta) y es un dato propio de cada transistor.

Entonces:
- Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a b (factor de amplificación)
por Ib (corriente que pasa por la patilla base).
- Ic = β * Ib
- Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic, sólo que, la
corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso sale de el, o viceversa.

Según la fórmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el circuito
(Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente cuando se
cambia Vcc. Ver figura.

En el segundo gráfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder entender
que a más corriente la curva es más alta.

Facultad de Ingeniería Electrónica, Eléctrica y de Telecomunicaciones Página 5


Universidad Nacional Mayor de San Marcos

Regiones operativas del transistor

- Región de corte: Un transistor esta en corte cuando:


corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de


alimentación del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay caída de voltaje,
ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base =
0 (Ib =0)

- Región de saturación: Un transistor está saturado cuando:


corriente de colector = corriente de emisor = corriente máxima, (Ic = Ie = I máxima)

En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del


circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver ley
de Ohm.

Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente


grande como para inducir una corriente de colector β veces más grande. (Recordar
que Ic = β * Ib)

- Región activa: Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la


región de corte entonces está en una región intermedia, la región activa. En esta región
la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de β
(ganancia de corriente de un amplificador, es un dato del fabricante) y de las
resistencias que hayan conectadas en el colector y emisor). Esta región es la mas
importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador.

Configuraciones: Hay tres tipos de configuraciones típicas en los amplificadores con


transistores, cada una de ellas con características especiales que las hacen mejor
para cierto tipo de aplicación. y se dice que el transistor no está conduciendo.
Normalmente este caso se presenta cuando no hay corriente de base (Ib = 0)

- Emisor común
- Colector común
- Base común

Nota: Corriente de colector y corriente de emisor no son exactamente iguales, pero se


toman como tal, debido a la pequeña diferencia que existe entre ellas, y que no afectan
en casi nada a los circuitos hechos con transistores.

Facultad de Ingeniería Electrónica, Eléctrica y de Telecomunicaciones Página 6


Universidad Nacional Mayor de San Marcos

IV) MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO:

1. Una Fuente de corriente continua Variable.

2. Un Multímetro.

3. Un miliamperímetro y un micro amperímetro

Facultad de Ingeniería Electrónica, Eléctrica y de Telecomunicaciones Página 7


Universidad Nacional Mayor de San Marcos

4. Un Voltímetro de cc.(analógico)

7. Resistencias: 510Ω, 1K Ω, 51K Ω

8. Cables cocodrilo / banano

9. Capacitores/ Condensadores:

Facultad de Ingeniería Electrónica, Eléctrica y de Telecomunicaciones Página 8


Universidad Nacional Mayor de San Marcos

10. Transistor PNP 2N3906

11. Osciloscopio digital

12. Potenciómetro

Facultad de Ingeniería Electrónica, Eléctrica y de Telecomunicaciones Página 9


Universidad Nacional Mayor de San Marcos

V) PROCEDIMIENTO:
1. Verificamos el estado operativo del transistor, usando el ohmímetro.
Llenamos la tabla 1.

Resistencia 𝐃𝐢𝐫𝐞𝐜𝐭𝐚 (Ω) 𝐈𝐧𝐯𝐞𝐫𝐬𝐚 (Ω)

Base-Emisor 782 Ω >20 M

Base-Colector 786 Ω >20 M

Colector-Emisor >20 M >20 M

2. Armamos el siguiente circuito.

a) Medimos las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base


(Ib). Obtener el β (P1=0Ω).
b) Medimos los voltajes entre colector-emisor (Vce), entre base-
emisor (Vbe) y entre emisor-tierra (Ve).
c) Colocamos los datos obtenidos en la tabla 2.

Valores (R1=56 Ic Ib β Vce Vbe Ve (v.)


KΩ) (mA.) (uA.) (v.) (v.)

Teóricos

Medidos 5,7 mA 30 uA 190 4,9 V 0,9 V 2,53 V

Facultad de Ingeniería Electrónica, Eléctrica y de Telecomunicaciones Página 10


Universidad Nacional Mayor de San Marcos

d) Cambiamos R1 a 68 KΩ, repetir los pasos (a) y (b) y anotamos


los datos de la tabla 3 (por ajuste de P1).

Valores (R11=68 Ic Ib β Vce Vbe Ve (v.)


KΩ) (mA.) (uA.) (v.) (v.)

Teóricos

Medidos 4,5 mA 22,5 200 7,88 V 0,9 V 1,84 V


uA

e) Aumentamos la resistencia de P1 a 100 KΩ, 250 KΩ, 500 KΩ y


1MΩ. Observamos lo que sucede con las corrientes Ic e Ib y con
el voltaje Vce. Llenamos la tabla 5.

P1 100 KΩ 250 KΩ 500 KΩ 1 MΩ

Ic (mA.) 0,2 0,8 0,01 0

Ib (uA.) 9 4,2 0,2 0

Vce (v.) 10,8 11,8 11,9 11,97

3. Ajustamos el generador de señales a 50 mv.pp, 1KHz, onda senoidal.


Observar la salida Vo con el osciloscopio. Completamos la tabla 4.

Tabla Vi(mv.pp) Vo(v.pp) Av Vo(sin Ce) Av(sin Ce)

2(Q1) -------------- ------------- -------------- --------------- ------------------

3(Q2) 570 mA 9V 63,3.10−3 1,6 V 356,26.10−3

VI) CUESTIONARIO FINAL:

1. Explicar el comportamiento del transistor al hacer su verificación


operativa con el Ohmimetro.

Es un elemento que se comporta como una resistencia variable que depende


de una señal eléctrica de control, entonces al cambiar el valor de la señal de
control cambia la cantidad de corriente que pasa por el transistor.

ß = IC / IB

Facultad de Ingeniería Electrónica, Eléctrica y de Telecomunicaciones Página 11


Universidad Nacional Mayor de San Marcos

Conceptualmente se dice que el transistor se comporta como una fuente de


corriente controlada por corriente, es decir, una fuente de corriente que no es
de valor fijo, varía produciendo más o menos corriente en la medida que hay
más o menos corriente en la base.

Como en el transistor no se acumula carga toda la corriente que entra a él debe


salir, entonces:

IE = IC + IB = (ß +1) IB

Si ß >> 1 Þ IE » IC

2. Representar la Recta de Carga en un Gráfico Ic vs. Vce del circuito del


Experimento. Ubicar los puntos correspondientes a las tablas 2, 3 y 5.

(Papel milimetrado)

3. ¿En qué regiones de trabajo se encuentran los puntos de las Tablas 2 y


3?

 Q1 de la tabla 2:

Datos:

R1= 56.1KΩ

R2= 21.77KΩ

Re= 0.30KΩ

Rc= 0.96KΩ

VBE= 0. 619v

P1= 0KΩ

β= 9.6

Facultad de Ingeniería Electrónica, Eléctrica y de Telecomunicaciones Página 12


Universidad Nacional Mayor de San Marcos

VHJ = 12v x 21.77k = 12v x 21.77k = 3.355 v

56.1k + 21.77k + 0k 78.77k

Req = (P1 + R1)(R2) = (56.1k)(21.77k) = 15.68 k

P1 + R1 + R2 56.1k + 21.77k

IB = 3.355v – 0.619v = 2.736v = 0.1474 mA = 147.4 A

(9.6)(300) + 15.68k 18560

Ic =  x IB

 Ic = 9.6(147.4 A)

Facultad de Ingeniería Electrónica, Eléctrica y de Telecomunicaciones Página 13


Universidad Nacional Mayor de San Marcos

ICQ = 1.415 mA

VEC = 12v – (0.3K + 0.96 k)(1.415 mA)

VEC = 10.217 v

Corriente de saturación  VCE = 0v

Ic máx. = Vcc = 12v = 9.524 mA

Rc + Re 0.96k + 0.3K

 VBC = VB – VC

PERO: Vc + 12 = Ic

Rc

Vc = IcxRc – 12v

Vc = (1.415 mA) (0.96k) – 12v

Vc = - 10.614 v

 VB – (- VHJ) = IB

Req

VB = IB x Req – VHJ

VB = (147.4 A)(15.68 k) – 3.355v

VB = 2.329v – 3.355v

VB= - 1.026 v

 VBC = - 1.026 v – ( - 10.614 v)

VBC = 9.588 v

Facultad de Ingeniería Electrónica, Eléctrica y de Telecomunicaciones Página 14


Universidad Nacional Mayor de San Marcos

 Q2 de la tabla 3:

Datos:

R1= 67.4KΩ

R2= 21.77KΩ

Re= 0.3KΩ

Rc= 0.96KΩ

VBE= 0.612v

P1= 0

β= 10.78

Facultad de Ingeniería Electrónica, Eléctrica y de Telecomunicaciones Página 15


Universidad Nacional Mayor de San Marcos

VHJ = 12v x 21.77k = 12v x 21.77k = 2.930 v

67.4k + 21.77k + 0  89.77k

Req = (P1 + R1)(R2) = (67.4k)(21.77k) = 16.455 k

P1 + R1 + R2 67.4k + 21.77k

IB = 2.93v – 0.612v = 2.318v = 117.731 A

(10.78)(300) + 16.455k 19.689k

Facultad de Ingeniería Electrónica, Eléctrica y de Telecomunicaciones Página 16


Universidad Nacional Mayor de San Marcos

Ic =  x IB

 Ic = 10.78(117.731 A)

ICQ = 1.269 mA

VEC = 12v – (0.3K + 0.96 k)(1.269 mA)

VEC = 10.401

Corriente de saturación  VCE = 0v

Ic máx. = Vcc = 12v = 9.524 mA

Rc + Re 0.96k + 0.3K

 VBC = VB – VC

PERO

Vc + 12 = Ic

Rc

Vc = IcxRc – 12v

Vc = (1.269 mA) (0.96k) – 12v

Vc = - 10.782 v

Facultad de Ingeniería Electrónica, Eléctrica y de Telecomunicaciones Página 17


Universidad Nacional Mayor de San Marcos

 VB – (- VHJ) = IB

Req

VB = IB x Req – VHJ

VB = (117.731 A)( 16.455k ) –


2.93v

VB = 1.937v – 2.93v

VB= - 0.993 v

 VBC = - 2.28 v – ( - 10.782 v)

VBC = 8.502 v

4. ¿Qué sucedería con el punto de operación si cambiamos R1 a 120K


Ω?

𝑅𝑏 = 18.51𝑘Ω Vth = 1.859V β = 75

𝑉𝑡ℎ +𝑉𝑐𝑒 1.859−0.6


𝐼𝑐 = 𝑅𝑏 = 18.51𝐾 = 3.21 𝑚𝐴
+𝑅𝑒 +330
75 75

𝑉𝑐𝑒 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐 (𝑅𝑒 + 𝑅𝑐 ) = 12 − 3.21𝑚 × 1330 = −7.307 𝑉

Se acerca más al punto de corte.

El resultado del voltaje sale positivo ya que se tomó la malla en dirección del
desplazamiento de la corriente.

5. Explicar comparativamente lo ocurrido en la tabla 4.

Tenemos los siguientes casos:

Sin carga:

Facultad de Ingeniería Electrónica, Eléctrica y de Telecomunicaciones Página 18


Universidad Nacional Mayor de San Marcos

Con carga:

Como podemos ver en las imágenes la señal se amplifica cuando el circuito


esta con carga, siendo la frecuencia la misma, asi mismo de los datos
experimentales obtenemos que el voltaje de salida sin carga es de 1.8v ,
cuando es con carga tenemos 9v. Esta amplificacion lo podemos constatar
con la relacion Av obtenidos del experimento:

𝑉𝑠𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎
𝐴𝑣 =
𝑉𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎

Sin Carga:

1.8𝑣
𝐴𝑣 = = 3.1579
570 𝑥10−3 𝑣

Con carga:

Facultad de Ingeniería Electrónica, Eléctrica y de Telecomunicaciones Página 19


Universidad Nacional Mayor de San Marcos

9𝑣
𝐴𝑣 = = 15.78
570 𝑥10−3 𝑣

Obteniendo asi la siguiente tabla:

Tabla 4

Tabla Vi(mv.pp) Vo(v.pp) Av Vo(sin Ce) Av(Sin Ce)

3(Q2) 570 mv 9v 15.7895 1.8 v 3.1579

VII) CONCLUSIONES:
 Se concluye que la señal de voltaje de salida se amplifica, es decir,
aumenta cuando el circuito esta con carga.
 La variación del potenciómetro genera cambios en la ganancia de
corriente y voltaje.
 Aumentar el valor de la resistencia no genera mayor ganancia pero
disminuye la estabilidad en un amplificador.
 Se busca tener una buena ganancia y estabilidad.

VIII) BIBLIOGRAFÍA:

 Guía para mediciones electrónicas y prácticas de laboratorio. Stanley Wolf


y Richard Smith.
 Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos, 10 Edición –
Robert L. Boylestad& Louis Nashelsky.
 ELECTRONICA INTEGRADA (9ª ED.) JACOB MILLMAN; CHRISTOS C.
HALKIAS , EDITORIAL HISPANO EUROPEA, S.A., 1991

Facultad de Ingeniería Electrónica, Eléctrica y de Telecomunicaciones Página 20