1) Seguridad en el Laboratorio

El trabajo en un laboratorio involucra el uso de equipamientos y otros elementos cuyos

riesgos es necesario conocer y que será necesario prevenir en todos los casos. Queremos
hacer énfasis, a su vez, en que considerar las cuestiones de seguridad en el laboratorio
no es un mero requisito formal. El riesgo de que se provoquen accidentes como
incendios o shocks eléctricos está siempre presente.

Cuidados Generales
ACCIONES QUE NO SE DEBEN REALIZAR:

1. NO Beber, comer, fumar o maquillarse en el laboratorio

2. NO Correr en los laboratorios.
3. NO Bloquear la salida o pasillos con máquinas o cualquier elemento que
dificulte la circulación.
4. NO Dejar equipos funcionando solos a menos que se hayan tenido en cuenta las
posibilidades de corrimiento de parámetros que puedan resultar peligrosos y, por
lo tanto, contempladas todas las medidas de seguridad del caso. Además, se debe
dar aviso a los responsables del laboratorio.

ES RECOMENDABLE:

1. Conocer la ubicación de los elementos de seguridad que haya en el laboratorio:

matafuegos, alarmas, salidas de emergencia, etc.
2. Mantener el orden y la limpieza. Cada persona es responsable de la zona que
tiene asignada y todos lo somos de los lugares comunes.
3. Trabajar de a dos, para ayudarse en caso de que ocurra un accidente.
4. Vestir ropa cómoda y calzado con suela de goma.
5. Verificar, antes de retirarse, que el lugar de trabajo quede limpio. Guardar en su
lugar todos los elementos usados. Si se usaron llaves de gas y/o canillas,
verificar que estén cerradas.

Cuidados en trabajos con corriente eléctrica

CUIDADOS DE EQUIPOS:

Los incendios por causas eléctricas son muy frecuentes. Las causas son:

1. Sobrecalentamiento de cables debido a sobrecarga de los conductores.

2. Sobrecalentamiento debido a fallas en los termostatos o fallas en equipos de
corte de temperatura.
3. Fugas debidas a fallas de aislación.
4. Sobrecalentamiento de materiales inflamables ubicados cerca de o dentro de
equipos de baja tensión que, en operación normal, pueden llegar a calentarse.
5. Ignición de materiales inflamables por chispas o arco.
CUIDADOS PERSONALES:

Tan sólo 20 mA que pasen al corazón pueden producir la muerte de una persona. Si
tomamos en cuenta que la resistencia humana media es de 4000 ohmios, con sólo 80 V
sería suficiente para producir la muerte. De modo que con 220 V el riesgo es aún mayor.

Riesgos: Shock eléctrico

Los shocks se clasifican en 4 categorías según la intensidad de corriente.

CATEGORIA INTENSIDAD EFECTO

1 Menos de 25 mA* Tetanización sin

influencia sobre el
corazón

2 De 25 mA a 80 mA Tetanización con
posibilidad de parálisis
temporal cardíaca y
respiratoria

3 De 80 mA a 4 A Zona peligrosa de
fibrilación ventricular.

4 Más de 4 A Parálisis cardíaca y

respiratoria y quemaduras
graves

*: El umbral mínimo de percepción es 1,1 mA en C.A. pero el umbral mínimo de

contracción muscular se produce con 9 mA pudiendo ocurrir contracción de los
músculos que pueden producir la proyección de la persona lejos del conductor y si no
fuera así, puede llegar a la asfixia por contracción de los músculos respiratorios.

El tiempo de contacto con el conductor también es un factor a tener en cuenta. El

corazón no puede producir fibrilación a menos que el tiempo de contacto sea del orden
de un período cardíaco (0,75 seg en promedio). Esto es importante porque los
disyuntores diferenciales producen el corte de corriente en aproximadamente 200 mseg.
Cuidados Mecánicos
 Las ropas de trabajo deben ajustar bien
 Debe evitarse el uso de corbatas o bufandas, así como cadenas, relojes, pulseras
o anillos.
 Calzado de taco bajo y suela de goma
 Cabellos recogidos
 No limpiar o aceitar las maquinas en funcionamiento.
 No abandonar una maquina en marcha
 No dejar obstáculos en el camino.

2) Procedimiento de Supervisión (Inspección)

 Programa Semestral de Contraste
Los medidores de energía eléctrica instalados deben ser contrastados como mínimo una
vez cada diez (10) años, plazo contado a partir de la fecha de su fabricación o del último
contraste realizado. Sólo en el caso que no queden disponibles medidores con una
antigüedad igualo mayor a diez (10) años, se podrán incluir medidores con una
antigüedad menor, previa aprobación por parte del OSINERGMIN.
Para el control de la frecuencia del contraste de los equipos de medición, las
concesionarias deberán implementar una "Base de Datos del Total de Medidores de
Energía Instalados", la cual debe adecuarse a la estructura indicada en el Anexo W 1 y
ser presentada con la frecuencia indicada en el Cuadro W 1 del numeral 2.2 del presente
procedimiento.
El Programa Semestral de Contraste no debe ser inferior al 5% del total de medidores
que se encuentran bajo administración de la concesionaria, porcentaje al cual se le
deducirá el lote de medidores a contrastar en cumplimiento de lo establecido en el
numeral 7.3.5 de la Norma Técnica de Calidad de los Servicios Eléctricos, aprobada por
Decreto Supremo N° 020-97 EIVI Y el numeral 6.3.4 de la Resolución Directoral N°
016-2008-EM/DGE.
Adjunto a su Programa Semestral de Contraste, la concesionaria deberá comunicar al
OSINERGMIN lo siguiente:

i) Información documentada sobre disponibilidad de equipos de

medición disponibles (sean en stock o en proceso de adquisición),
que se encuentren destinados para los reemplazos o cambios,
indicándose su marca, modelo y año de fabricación, entre otros.
 1. INTRODUCCION TEÓRICA

En la naturaleza existen tres tipos de materiales según sea su comportamiento frente al

paso de la corriente eléctrica: conductores, aislantes y semiconductores.

Todo material está compuesto de partículas increíblemente pequeñas llamadas átomos.

Un átomo, a su vez, constan principalmente de un núcleo y unos electrones. Cuando se
juntan átomos iguales, es decir, con el mismo número de electrones, obtenemos lo que
se conoce como elemento. Así, por ejemplo, el cobre es el resultado de juntar átomos
que tienen 29 electrones entre sí. Ahora bien, la forma de unir estos átomos es lo que
técnicamente se conoce con el nombre de enlace y es lo que va a determinar las
características físicas y químicas de dicho elemento.

A efectos eléctricos, lo que nos interesa exclusivamente de un elemento es la facilidad

de éste para permitir el paso de corriente eléctrica, denominándose conductividad. Esta
facilidad viene determinada por lo que se conoce como electrones de valencia. Esto no
es más que el número de electrones pertenecientes al átomo que tendrían la oportunidad
de circular junto con la corriente eléctrica por la tubería, sea en un conductor o un
semiconductor. En los materiales aislantes es muy difícil separar a un electrón de
valencia de su átomo.

El semiconductor es el caso intermedio, donde es posible el paso de electrones, pero no

tan fácilmente como en los conductores, ya que necesitan un ayuda extra.

MATERIALES SEMICONDUCTORES

Los semiconductores son una clase especial de elementos cuya conductividad se

encuentra entre la de un buen conductor y la de un aislante. En general, los materiales
semiconductores caen dentro de una de dos clases: de un solo cristal y compuesto. Los
semiconductores de un solo cristal como el germanio (Ge) y el silicio (Si) tienen una
estructura cristalina repetitiva, en tanto que, compuestos como el arseniuro de galio
(GaAs), el sulfuro de cadmio (CdS), el nitruro de galio (GaN) y el fosfuro de galio y
arsénico (GaAsP) se componen de dos o más materiales semiconductores de diferentes
estructuras atómicas. Los tres semiconductores más frecuentemente utilizados en la
construcción de dispositivos electrónicos son Ge, Si y GaAs.

MATERIALES INTRÍNSECOS

El término intrínseco se aplica a cualquier material semiconductor que haya sido

cuidadosamente refinado para reducir el número de impurezas a un nivel muy bajo; en
esencia, lo más puro posible que se pueda fabricar utilizando tecnología actual.

Uno de los avances tecnológicos de las últimas décadas ha sido la capacidad de producir
materiales semiconductores de muy alta pureza. Actualmente, los niveles de impureza
de 1 parte en 10 mil millones son comunes, con mayores niveles alcanzables para
circuitos integrados a gran escala.
NIVELES DE ENERGÍA

Cuanto más alejado está un electrón del núcleo, mayor es su estado de energía y
cualquier electrón que haya abandonado a su átomo padre tiene un estado de energía
mayor que todo electrón que permanezca en la estructura atómica.

Un electrón en la banda de valencia de silicio debe absorber más energía que uno en la
banda de valencia de germanio para convertirse en portador libre. Asimismo, un
electrón en la banda de valencia de arseniuro de galio debe absorber más energía que
uno en la de silicio o germanio para entrar a la banda de conducción.

MATERIALES EXTRÍNSECOS: MATERIALES TIPO n Y TIPO p

Un material semiconductor que ha sido sometido al proceso de dopado se conoce como

material extrínseco

Material tipo n: Tanto los materiales tipo n como los tipo p se forman agregando un
número predeterminado de átomos de impureza a una base de silicio. Un material tipo n
se crea introduciendo elementos de impureza que contienen cinco electrones de valencia
(pentavalentes), como el antimonio, el arsénico y el fósforo.

Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se conocen como átomos
donadores.

El efecto de este proceso de dopado en la conductividad relativa se puede describir

mejor utilizando el diagrama de bandas de energía de la figura 1.8. Observe que un
nivel de energía discreto (llamado nivel donador) aparece en la banda prohibida con una
Eg significativamente menor que la del material intrínseco. Los electrones libres
creados por la impureza agregada se establecen en este nivel de energía y absorben con
menos dificultad una cantidad suficiente de energía térmica para moverse en la banda de
conducción a temperatura ambiente. El resultado es que, a temperatura ambiente, hay un
gran número de portadores (electrones) en el nivel de conducción y la conductividad del
material se incrementa de manera significativa.

Material tipo p: El material tipo p se forma dopando un cristal de germanio o silicio

puro con átomos de impureza que tienen tres electrones de valencia. Los elementos más
utilizados para este propósito son boro, galio e indio

Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se llaman átomos aceptores.
Observe que ahora el número de electrones es insuficiente para completar las bandas
covalentes de la estructura recién formada. El vacío resultante se llama hueco y se
denota con un pequeño círculo o un signo más, para indicar la ausencia de una carga
positiva. Por lo tanto, el vacío resultante aceptará con facilidad un electrón libre
FLUJO DE ELECTRONES CONTRA FLUJO DE HUECOS
PORTADORES MAYORITARIOS Y MINORITARIOS
En un material tipo n (Fig. 1.11a) el electrón se llama portador mayoritario y el hueco portador
minoritario.
En un material tipo p, el hueco es el portador mayoritario y el electrón el minoritario

DIODO SEMICONDUCTOR
El diodo semiconductor, con aplicaciones demasiado numerosas de mencionar, se crea
uniendo un material tipo n a un material tipo p; sólo la unión de un material con un
portador mayoritario de electrones a uno con un portador mayoritario de huecos

Sin polarización aplicada (V = 0 V)

En el momento en que los dos materiales se “unen”, los electrones y los huecos en la
región de la unión se combinan y provocan una carencia de portadores libres en la
región próxima a la unión. Observe que las únicas partículas mostradas en esta región
son los iones positivos y negativos que quedan una vez que los portadores libres han
sido absorbidos.
Condición de polarización en inversa (VD<0 V)
La corriente en condiciones de polarización en inversa se llama corriente de saturación
en inversa y está representada por Is.

Condición de polarización en directa (VD>0 V)

La condición de polarización en directa o “encendido” se establece aplicando el potencial
positivo al material tipo p y el potencial negativo al tipo n como se muestra
ECUACIÓN DE SHOCKLEY

Se puede demostrar por medio de la física de estado sólido que las características
generales de un diodo semiconductor, para las regiones de polarización en directa y en
inversa

Is: Es la corriente de saturación en inversa

𝑣𝐷 : Es el voltaje de polarización en directa aplicado a través del diodo

n: Es un factor de idealidad, el cual es una función de las condiciones de operación y
construcción física; varía entre 1 y 2 según una amplia diversidad de factores. (se
supondrá n = 1 en todo este texto a menos que se indique de otra manera).
Voltaje Térmico

K: Es la constante de Boltzmann = 1.38 x 1023 J/K

T es la temperatura absoluta en Kelvin = 273 + la temperatura en °C. q es la magnitud
de la carga del electrón = 1.6 x 10−19 C.
 2. APLICACIONES

2.1.PREGUNTAS PREVIAS

1) Buscar en los manuales y detallar las características de los diodos a usar

(6A6, P600B, ITT020, 72477T, BY127, ECG109 Y ECG110A).
(6A6)

(P600B)
(BY127)

(EGG109 Y ECG110A)

2) Explicar los conceptos de Resistencia dinámica, corriente directa, corriente

inversa, capacidad de transición, voltaje de pico inverso y velocidad de
conmutación del diodo.

Resistencia dinámica
Si el diodo trabaja con voltajes variables, es decir que el punto de trabajo(V.I) se mueve
con el tiempo por la curva característica, la resistencia que presenta el diodo, también
 varia, dependiendo esta del punto de trabajo en cada instante. A esta resistencia se le
denomina resistencia dinámica y tiene un valor dado por:
∆𝑉
𝑟𝐷 =
∆𝐼
En otras palabras, la resistencia dinámica se define como la oposición que presenta el
diodo al paso de una señal alterna o variable entiempo.

Corriente directa
Es el flujo de corriente que se dirige en una sola dirección. La corriente eléctrica es
utilizada para energizar diferentes circuitos eléctricos y electrónicos. En el diodo, la
corriente directa esta determinada por el circuito y la ecuación que la define se le conoce
como la ecuación de Shocley o ecuación del diodo.

𝑽
( 𝑫)
𝑰𝑫 = 𝑰𝑺 𝒏𝑽
(𝒆 𝑻 − 𝟏)

Corriente inversa
Es la corriente de fuga ocasionada por una polarización inversa 𝑽𝑫 en el diodo (𝑽𝑫 <
𝟎)

Capacidad de transición
Es un efecto capacitivo que ocurre en un diodo cuando se trabajan con frecuencias altas.
La capacitancia de transición o de empobrecimiento se manifiesta con la polarización en
inversa y se reduce a medida que le voltaje inverso aumente. Se pueden incluir los efectos
de las capacitancias en el símbolo del diodo semiconductor.
Voltaje de pico inverso
PIV(PRV):voltaje máximo inverso que aparecerá en los terminales del diodo. El valor
umbral de voltaje pico inverso del diodo tiene una importancia primordial en los diseños
de los sistemas de rectificación.
Este valor de voltaje no deberá excederse en la región de polarización inversa o el diodo
entraría en la región de avalancha o zener.
Velocidad de conmutación del diodo
Si la polarización de un circuito con un diodo polarizado en sentido directo, pasa a ser en
sentido inverso, la corriente no podrá pasar inmediatamente al valor que corresponde a la
polarización inversa. La corriente no puede anularse a su valor de equilibrio hasta que la
distribución de portadores minoritarios, que en el momento de invertir la tensión pase a
ser la distribución en la polarización inversa.
3) Explicar la curva característica del diodo zener y su utilidad como
regulador de voltaje.

Diodo Zener: Al diodo Zener, también llamado diodo regulador de tensión, podemos
definirlo como un elemento semiconductor de silicio que tiene la característica de un
diodo normal cuando trabaja en sentido directo, es decir, en sentido de paso; pero en
sentido inverso, y para una corriente inversa superior a un determinado valor, presenta
una tensión de valor constante. Este fenómeno de tensión constante en el sentido
inverso convierte a los diodos de Zener en dispositivos excepcionalmente útiles para
obtener una tensión relativamente invisible a las variaciones de la tensión de
alimentación, es decir, como dispositivos reguladores de tensión.

El símbolo del diodo Zener es:

y su polarización es siempre en inversa, es decir

Tres son las características que diferencian a los diversos diodos Zener entre sí:
 Tensiones de polarización inversa, conocida como tensión Zener.- Es la tensión
que el Zener va a mantener constante.
 Corriente mínima de funcionamiento.- Si la corriente a través del Zener es
menor, no hay seguridad en que el Zener mantenga constante la tensión en sus
bornes
 Potencia máxima de disipación. Puesto que la tensión es constante, nos indica el
máximo valor de la corriente que puede soportar el Zener.
Por tanto el Zener es un diodo que al polarizarlo inversamente mantiene constante la
tensión en sus bornes a un valor llamado tensión de Zener, pudiendo variar la corriente
que lo atraviesa entre el margen de valores comprendidos entre el valor mínimo de
funcionamiento y el correspondiente a la potencia de Zener máxima que puede disipar.
Si superamos el valor de esta corriente el Zener se destruye.

4) Explicar la constitución del diodo LED y sus características más

importantes.

Composición de los LED

Existen diodos LED de varios colores que dependen del material con el cual fueron
construidos. Hay de color rojo, verde, amarillo, ámbar, infrarrojo, entre otros.
LED rojo: Formado por Gap consiste en una unión p-n obtenida por el método de
crecimiento epitaxial del cristal en su fase líquida, en un substrato.
La fuente luminosa está formada por una capa de cristal p junto con un complejo de
ZnO, cuya máxima concentración está limitada, por lo que su luminosidad se satura a
altas densidades de corriente. Este tipo de LED funciona con baja densidades de
corriente ofreciendo una buena luminosidad, utilizándose como dispositivo de
visualización en equipos portátiles. El constituido por GaAsP consiste en una capa p
obtenida por difusión de Zn durante el crecimiento de un cristal n de GaAsP, formado
en un substrato de GaAs, por el método de crecimiento epitaxial en fase gaseosa.

LED anaranjado y amarillo: Están compuestos por GaAsP al igual que sus hermanos los
rojos pero en este caso para conseguir luz anaranjada y amarilla así como luz de
longitud de onda más pequeña, lo que hacemos es ampliar el ancho de la "banda
prohibida" mediante el aumento de fósforo en el semiconductor. Su fabricación es la
misma que se utiliza para los diodos rojos, por crecimiento epitaxial del cristal en fase
gaseosa, la formación de la unión p-n se realiza por difusión de Zn.

Características del LED

Dimensiones y color del diodo
Actualmente los LED tienen diferentes tamaños, formas y colores. Tenemos LED
redondos, cuadrados, rectangulares, triangulares y con diversas formas.
Los colores básicos son rojo, verde y azul, aunque podemos encontrarlos naranjas,
amarillos incluso hay un Led de luz blanca.
Las dimensiones en los LED redondos son 3mm, 5mm, 10mm y uno gigante de 20mm.
Los de formas poliédricas suelen tener unas dimensiones aproximadas de 5x5mm.
El consumo depende mucho del tipo de LED que elijamos:

Color Luminosidad Consumo Longitud Diámetro

onda
Rojo 1,25 mcd 10 mA 660 nm 3 y 5 mm
Verde, 8 mcd 10 mA 3 y 5 mm
amarillo y
naranja
Rojo (alta 80 mcd 10 mA 625 nm 5 mm
luminosidad)
Verde (alta 50 mcd 10 mA 565 nm 5 mm
luminosidad)
Hiper Rojo 3500 mcd 20 mA 660 nm 5 mm
Hiper Rojo 1600 mcd 20 mA 660 nm 5 mm
Hiper Verde 300 mcd 20 mA 565 nm 5 mm
Azul difuso 1 mcd 60º 470 5 mm
Rojo y verde 40 mcd 20 mA 10 mm

3. APLICACIONES PRÁCTICAS
Los semiconductores son ampliamente utilizados como materia prima en el ensamblaje
de elementos electrónicos que forman parte de nuestra vida cotidiana, como, por
ejemplo, los circuitos integrados.

El semiconductor más utilizado en la industria electrónica es el silicio (Si). Este material

está presente en los dispositivos que conforman los circuitos integrados que forman
parte de nuestro día a día. Además, entre sus aplicaciones se destaca su uso en células
o celdas fotovoltaicas, para la construcción de paneles solares o célula o celda
fotovoltaica.
Las aleaciones de germanio y silicio (SiGe) son empleadas en circuitos integrados de
alta velocidad para radares y amplificadores de instrumentos eléctricos, como, por
ejemplo, guitarras eléctricas.

Otro ejemplo de semiconductor es el arseniuro de galio (GaAs), ampliamente utilizado

en amplificadores de señales, específicamente de señales con alta ganancia y bajo nivel
de ruido.

4. EVALUACION ECONÓMICA

En las primeras décadas después del descubrimiento del diodo en 1939 y el transistor en
1949, se utilizaba germanio casi exclusivamente porque era en cierto modo fácil de
encontrar y estaba disponible en grandes cantidades. También era relativamente fácil de
refinar para obtener niveles muy altos de pureza. Sin embargo, se descubrió que los
diodos y transistores construidos con germanio como material base eran poco
confiables, sobre todo por su sensibilidad a los cambios de la temperatura. En aquel
entonces, los científicos sabían que otro material, el silicio, tenía mejores sensibilidades
a la temperatura, pero el proceso de refinación para producir silicio con niveles muy
altos de pureza aún se encontraba en su etapa de desarrollo. Finalmente, en 1954 se
presentó el primer transistor de silicio y éste de inmediato se convirtió en el material
semiconductor preferido, pues no sólo es menos sensible a la temperatura, sino que es
uno de los materiales más abundantes en la Tierra.

Sin embargo, el campo de la electrónica se volvió cada vez más sensible a las cuestiones
de velocidad. Las computadoras operaban a velocidades cada vez más altas. Se tenía
que encontrar un material semiconductor capaz de satisfacer estas necesidades. El
resultado fue el desarrollo del primer transistor de GaAs a principios de la década de
1970. Este nuevo transistor operaba a velocidades hasta de cinco veces la del Si. El
problema, no obstante, fue que por los años de intensos esfuerzos de diseño y mejoras
en el proceso de fabricación con Si, las redes de transistores de Si para la mayoría de las
aplicaciones eran más baratas de fabricar y ofrecían la ventaja de estrategias de diseño
altamente eficientes. El GaAs era más difícil de fabricar a altos niveles de pureza, más
caro y tenía poco apoyo de diseño en los primeros años de su desarrollo. No obstante,
con el tiempo la demanda de mayor velocidad dio por resultado que se asignaran más
fondos a la investigación del GaAs, al punto de que en la actualidad se utiliza de manera
consistente como material base para nuevos diseños de circuitos integrados a gran
escala.

Se siguen fabricando dispositivos de germanio, aunque para un número limitado de

aplicaciones, Dada su disponibilidad y bajos costos de fabricación. El Si tiene el
beneficio de años de desarrollo y es el material semiconductor líder para componentes
electrónicos y circuitos integrados (CI). El GaAs es más caro, pero a medida que los
procesos de fabricación mejoran y las demandas de mayores velocidades se
incrementan, comenzará a desafiar al Si como el material semiconductor dominante.

5. RECOMENDACIONES

Dependiendo del uso del uso que se va a dar al semiconductor