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SISTEMA DE
COMUNICACIONES POR F/O-I
PRESENTADO POR:
Mg.Ing. Wilbert Chávez Irazábal
Universidad Nacional del Callao

Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
COMUNICACIONES POR F/O
(APD)
(APD)
(PIN-PD)
(LED)
1
FOTOEMISOR
 Un fotoemisor es un dispositivo que emite radiación en la región del
espectro correspondiente a las longitudes de onda ópticas.
 Esta región del espectro comprende desde:
 10 nm a 390 nm (ultravioleta)
 390 nm a 760 nm (luz visible)
 760 nm hasta alrededor de 1 mm (infrarrojo).
Tipos de fuentes ópticas de semiconductor:
1. LED (Diodo emisor de luz)
2. LASER:
A. DIODO LASER - VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser)
B. ILD (Diodo láser o láser de inyección).

FOTOEMISOR
2
1. DIODO EMISOR DE LUZ LED:
Características:
 Los fotones son emitidos en direcciones aleatorias sin relación de fase

entre ellos.
 Los LEDs emite luz incoherente.
 La luz emitida tiene un ancho espectral relativamente grande: 30 - 60 nm.
 La luz emitida tiene una dispersión angular relativamente grande.
 La menor directividad de su diagrama de radiación, en comparación con los
láseres, se traduce en una inferior eficiencia de acoplamiento a las fibras.

1. DIODO EMISOR DE LUZ LED:
Características:
 El ancho de banda de modulación no llega a alcanzar los GHz(~ 622 Mbps),

lo que impide su utilización en enlaces de alta velocidad.
 La luz es producida en un espectro amplio, acoplando poca energía en la
fibra (aprox. 100 microWatts).
 Se utiliza para emitir luz en fibras ópticas Multimodo.
 Tiempo de vida larga.
3
TIPOS DE DIODO EMISOR DE LUZ LED:
A-.LEDs de Emisión Lateral (ELEDs):

 Presenta un diagrama de radiación elíptico.
 Gran eficiencia de acoplo a una FO (> 10 veces que el LED de
superficie).
 Mayores velocidades de modulación, aptos para aplicaciones en
redes de área local (sistemas comunicaciones ópticas).

TIPOS DE DIODO EMISOR DE LUZ LED:
B.-LEDs Superluminicentes (SLEDs):

 Características electro-ópticas cercanas a las del láser
 La potencia emitida es mayor que en los LEDs anteriores y la
monocromaticidad también, aunque sin alcanzar los valores del diodo
láser.
 Requiere altas corrientes hasta alcanzar emisión estimulada, aunque al
no haber realimentación no aparece efecto láser.
4
CARACTERISTICAS DE FUNCIONAMIENTO DEL LED:
Para el caso del LED de emisión superficial, la POTENCIA ACOPLADA a la

F/O será:
Pburrus=p (1-r)ARB(NA)².
 r= Coef. Reflexión Fresnel.

 A= Superficie menor de la F/O ó de emisión del LED.
 RB= Radiancia de la fuente.
 NA=Apertura de la FO.

Potencia óptica de salida:
 Potencia óptica de salida en función de la corriente aplicada es

cuasi lineal para los diferentes tipos de LEDs:
 La potencia emitida por el LED de emisión superficial es mayor que
el de emisión lateral (por borde).
 En el caso de LED ideal sería una recta.
5
Ancho de Banda de LEDs:

 La función de transferencia en potencia puede expresarse como:
H(w)=1/(1+jwt)
 El ancho de banda óptico (potencia mitad) se produce para una frecuencia:
BWopt= √3[(1/2pt)] (Hz)
 Valores típicos para BWopt en LEDs están en el rango de 50-150 MHz.
El correspondiente ancho de banda eléctrico está dado por:
BWelect= (1/2pt)
 En conclusión: El BWopt es √3 mayor que el BWelect.

2.- TIPO DE DIODO LASER:
A. DIODO LASER - VCSEL :
• El Laser de Emisión por superficie de cavidad vertical (Vertical Cavity

Surface Emitting Laser - VCSEL) es similar al Laser Fabry-Perot, pero
reduce drásticamente el coste de los lasers acercandolos a los LEDs.
• Los VCSELs pueden ser construidos con GaAs, InGaAs.
• Comercialmente la corriente de umbral de un VCSEL es de
aproximadamente 4 mA.
• Alcanza potencias ópticas del orden de 10 mW.
• Se puede aplicar un VCSEL en transmisión de datos en el rango de
velocidad de 100 Mbs a 1 Gbs.
• Puede alcanzar una velocidad de 10Gbs, para una distancia de 200mts.
6
TIPO DE DIODO LASER:
A. DIODO LASER - VCSEL :
• Su ancho espectral ( Dl ) es de aproximadamente 1nm.

• Su longitud de onda central es de aproximadamente 850 nm.

B. LÁSER FABRY-PEROT (FP)
• Enlaces alcance corto-medio a 850 y 1300nm.
• Potencia total pocos mW, FWHM de 3-20nm.
• Altamente polarizados.
• Exhibe cierta inestabilidad en la potencia de salida
que se traduce como ruido (RIN).
7
C. LÁSER DFB (DISTRIBUTED FEEDBACK LASER)
• Enlaces largo alcance, DWDM.s
• Caros, potencia 3-50mW
• Anchura espectral de 10-100MHz (0.08-0.008 pm)
• SMSR (Single Mode Size Rejection) >50dB.
• Es la fuente mas común para transmisores de downstream.
• Valores típicos :
C/N = 60.5 dB, C/CSO = 60 dB, C/CTB = 65dB con una carga de 80 canales
analogicos.

8
CARACTERISTICAS DEL DIODO LASER:
 Se genera con un ILD (Injection Laser Diodo), que produce el láser al

aplicarle una tensión.
 Rayo de luz coherente, concentrado en un espectro reducido.
 Más alcance por más potencia: 5 a 7 milliwatts.
 Costoso
 Mayor velocidad.
 Más sensible a cambios de temperatura.

 Se utiliza con fibra óptica monomodo y multimodo.

 Menor vida útil. 10 veces menor que el LED.
 Emisión angular estrecha, permitiendo buen factor de acoplamiento de
energía a la fibra (50%).
 Modulación a alta frecuencia (25 GHz) (debido a tiempos cortos de
recombinación, asociados con la emisión estimulada).
9
RIN (Relative Intensity Noise)
 La luz emitida por los diodos laser tiene pequeñas fluctuaciones aleatorias
que se caracterizan a través del RIN.
 El RIN se expresa como potencia de ruido (fluctuaciones) dentro de una
banda de 1 Hz comparada con la potencia óptica promedio.
 RIN típico para Lasers DFB es –160 dB/Hz.
 El valor del RIN se degrada rapidamente si hay reflexiones desde la carga
hacia el laser.
 Para evaluar su efecto debe compararse con el índice de modulación óptica
(OMI).
 RIN 160 dB/Hz OMI 3% BW 77 CH = C/N 60 dB.


 P es la potencia promedio.
 d(t) representa el ruido, puede suponerse un proceso.
estacionario y ergódico, de medio cero.
 P(t) Potencia instantánea.
 P Constante.
 Densidad espectral de potencio, S(f) [W2/Hz].
10

 El RIN(f) es constante en la banda de paso del receptor.
 Los valores de RIN para un láser de semiconductor son función de la
corriente de alimentación, y típicamente se encuentran en el rango de
10-15 Hz-1 a 10-12 Hz-1 .
 Por otra parte, se acostumbra a facilitar el dato de RIN en unidades de
dB/Hz, tras aplicar 10log(·) a su valor nominal.
 Esta práctica es bastante común, a pesar de tratarse de una magnitud
que posee dimensiones y no de un valor relativo a otro de referencia;
así, se indica, por ejemplo, -150 dB/Hz o -120 dB/Hz.
 Por ello, antes de utilizar el dato debe tenerse la precaución de
restablecer su valor a las unidades de Hz-1.

CHIRP (Incidental Wavelength Modulation)

 Cuando la corriente que circula a través de un laser cambia por efectos de
la modulación (modulación directa) se produce una pequeña variación de la
longitud de onda emitida.
 Esta modulación de FM incidental se conoce como CHIRP.
 Valores típicos de Chirp: entre 50 y 500 MHz/mA.
 Laser tipo DFB tienen menor valor de Chirp.
 Laser de 1310 nm menor Chirp que 1550 nm.
11
ANCHURA DE LÍNEA:
 Las fluctuaciones de fase o fluctuaciones de frecuencia instantáneas, se

manifiestan en un ensanchamiento de cada una de las líneas espectrales
correspondientes a los diversos modos longitudinales, a este se le llama
Anchura de Línea.

ANCHURA ESPECTRAL:
 La anchura espectral de un conjunto de ancho de linea.
La densidad espectral de potencia

S(v).
12
FOTOEMISOR
Fuentes de Luz

FOTODETECTORES:
 El propósito del receptor óptico es extraer la información contenida en una

portadora óptica que incide en el fotodetector.
 El principal componente del Rx es el fotodetector, que convierte la luz en
electricidad a través del efecto fotoeléctrico.
13
FOTODETECTORES:

FOTODETECTORES:
CARACTERISTICAS TECNICAS LOS FOTODETECTORES:
 Respuesta espectral: Se relaciona con la cantidad de corriente producida

con cada longitud de onda, asumiendo que todas las longitudes de onda
tienen el mismo nivel de intensidad luminosa.
 Fotosensitividad: Es el cociente de la energía luminosa (en watts)
incidente en el dispositivo con la corriente resultante (en amperes).
 Eficiencia de quantum: Es el número de pares de electrones-hueco
generados (corriente) dividido por el numero de fotones.
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FOTODETECTORES:
CARACTERISTICAS TECNICAS LOS FOTODETECTORES:
 Corriente de oscuridad: es el flujo de corriente que hay en el fotodiodo en

la ausencia de luz (oscuridad), cuando el fotodiodo está polarizado
inversamente.
 Tiempo de tránsito: es el tiempo que le toma a una portadora de luz
inducida recorrer el área de agotamiento del fotodiodo. Este parámetro
determina la tasa de bits máxima a la cual el fotodiodo funciona
correctamente.
 Respuesta espectral: este parámetro indica las longitudes de onda a las
cuales el fotodiodo absorbe eficientemente energía de las señales
luminosas recibidas.

FOTODETECTORES:
TIPOS DE FOTODETECTORES:
Los principales tipos de receptores son:
A. Fotodetectores PIN.
B. Fotodetectores PIN con preamplificadores FET.
C. Fotodetectores de avalancha APD.
FOTODETECTORES PIN FOTODETECTORES APD
15
FOTODETECTORES:
Los fotodiodos PIN trabajan como receptores ópticos en las longitudes
de onda entre:

FOTODETECTORES:
 Diodo PIN diseñado para comunicaciones de 10,20,40 o 80 Gbits/s

 Enlaces digitales RZ y NRZ.
 Este photodiode PIN InGaAs es utilizada para aplicaciones sobre las
ventanas 850,1310,1550 y 1610.
 Factor de perdida en la onda de +/- 1 dB.
16
FOTODETECTORES:
B. Fotodetectores APD:
 Los APD son diodos polarizados en inversa, pero en este caso las
tensiones inversas son elevadas, originando un fuerte campo eléctrico
que acelera los portadores generados, de manera que estos colisionas
con otros átomos del semiconductor y generan ,as pares electrón-
hueco.
Esta ionizacion por impacto determina la ganancia de avalancha.

FOTODETECTORES:
B. Fotodetectores APD:
Los fotodiodos APD pueden elegirse entre diferentes modelos y tipos,
como:
 APD de silicio (longitudes de onda de hasta 1100 nm).

 APD de InGaAs /InP (longitudes de onda para 1300 nm).
 APD de germanio (para 1300 nm).
17
FOTODETECTORES:
COMPARACIONES DE FOTODETECTORES:
 Costo:
Los diodos APD son más complejos y por ende más caros
 Vida:
Los diodos PIN presentan tiempos de vida útil superiores.
 Temperatura
Los diodos APD son más sensibles a las variaciones de temperatura.
 Velocidad
Los diodos APD poseen velocidades de respuesta mayores, por lo tanto
permiten la transmisión de mayores tasas de información.
 Circuitos de polarización:
Los diodos PIN requieren circuitos de polarización más simples, pues
trabajan a menores tensiones.

FOTODETECTORES:
18
FOTODETECTORES:

AMPLIFICADORES OPTICOS:
19
MULTIPLEXADORES OPTICOS:
 Optical Time Division Multiplexing (OTDM):

• Síncrona : SONET /SDH.
 Multiplexing (WDM): Similar a FDM pero MUX/DEMUX ópticos.
• CWDM: Coarse Wavelength Division Multiplexing
• DWDM: Dense Wavelength Division Multiplexing

 Optical Time División Multiplexing (OTDM):
Estructura básica trama

SONET nivel 1 (OC-1)
20
 Multiplexación por División de Longitud de onda WDM:

¿Qué es WDM?
En Telecomunicación, la multiplexación por división de longitud de onda (WDM,
del inglés Wavelength División Multiplexing) es una tecnología que multiplexa
varias señales sobre una sola fibra óptica mediante portadoras ópticas de
diferente longitud de onda, usando luz procedente de un láser o un LED.

21

TIPOS DE WDM
WDM puede ser de dos tipos:
 Densa (DWDM, ‘Dense’ WDM): Muchas longitudes de onda y larga

distancia
 Ligera (CWDM ‘Coarse’ WDM): Pocas longitudes de onda y
entornos metropolitanos


TIPOS DE WDM
Densa (DWDM, ‘Dense’ WDM):
 Los sistemas con más de cuatro longitudes de onda y con una separación entre ellas
de 1 [nm] aproximadamente, son considerados "densos" y son denominados
sistemas DWDM.
 La ITU, ha estandarizado la separación de los canales usados en sistemas DWDM,
esta separación corresponde aproximadamente a un mínimo de 100 [GHz] en el
dominio de las frecuencias, que corresponde a 0.8 [nm] en el dominio de longitudes
de onda, en la región de los 1550 [nm], donde la fibra posee la mínima atenuación.
 La tecnología DWDM permite combinar múltiples longitudes de onda, de manera que
puedan ser transmitidas.
22
Multiplexado por división de longitud de onda (WDM)
TIPOS DE WDM:
 Ligera (CWDM, ‘Coarse’ WDM):
 La ITU (G.694.2) define una banda óptica de 18 ´s para CWDM, entre 1270 y
1610 nm, espaciadas entre ellas 20 nm.
 CWDM es una implementación de WDM para redes de corto y medianas
distancias que llegan hasta unos 80 km.
 Los sistemas CWDM requieren
de un espaciamiento entre
longitudes de onda, mayor o
igual a 20 [nm], esta holgura
permite utilizar componentes de
no tan alta precisión, lo que
hace que este sistema sea
bastante menos costoso que
DWDM.

Multiplexado por división de longitud de onda (WDM)
TIPOS DE WDM:
CWDM DWDM DWDM

Aplicación/parámetro acceso/MAN MAN/WAN largo alcance
Canales por fibra 4-16 32-80 80-160

Espectro utilizado O, E, S, C, L C, L C, L, S
Espaciado entre canales 20 nm (2500 GHz) 0,8 nm (100 GHz) 0,4 nm (50 GHz)
Capacidad por canal 2,5 Gbit/s 10 Gbit/s 10-40 Gbit/s

Capacidad de la fibra 20-40 Gbit/s 100-1000 Gbit/s >1 Tbit/s
Distancia hasta 80 km cientos de km miles de km
23
24

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Universidad Nacional del Callao

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1. DIODO EMISOR DE LUZ LED:

 Los fotones son emitidos en direcciones aleatorias sin relación de fase

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 El ancho de banda de modulación no llega a alcanzar los GHz(~ 622 Mbps),

A-.LEDs de Emisión Lateral (ELEDs):

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B.-LEDs Superluminicentes (SLEDs):

Para el caso del LED de emisión superficial, la POTENCIA ACOPLADA a la

 r= Coef. Reflexión Fresnel.

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Potencia óptica de salida:

 Potencia óptica de salida en función de la corriente aplicada es

Ancho de Banda de LEDs:

 En conclusión: El BWopt es √3 mayor que el BWelect.

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• El Laser de Emisión por superficie de cavidad vertical (Vertical Cavity

• Su ancho espectral ( Dl ) es de aproximadamente 1nm.

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CARACTERISTICAS DEL DIODO LASER:

 Se genera con un ILD (Injection Laser Diodo), que produce el láser al

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CARACTERISTICAS DEL DIODO LASER:

 Se utiliza con fibra óptica monomodo y multimodo.

RIN (Relative Intensity Noise)

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RIN (Relative Intensity Noise)

RIN (Relative Intensity Noise)

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CHIRP (Incidental Wavelength Modulation)

 Las fluctuaciones de fase o fluctuaciones de frecuencia instantáneas, se

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 La anchura espectral de un conjunto de ancho de linea.

La densidad espectral de potencia

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 El propósito del receptor óptico es extraer la información contenida en una

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 Respuesta espectral: Se relaciona con la cantidad de corriente producida

 Corriente de oscuridad: es el flujo de corriente que hay en el fotodiodo en

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Los principales tipos de receptores son:

FOTODETECTORES PIN FOTODETECTORES APD

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 Diodo PIN diseñado para comunicaciones de 10,20,40 o 80 Gbits/s

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 APD de silicio (longitudes de onda de hasta 1100 nm).

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 Optical Time Division Multiplexing (OTDM):

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 Optical Time División Multiplexing (OTDM):

Estructura básica trama

 Multiplexación por División de Longitud de onda WDM:

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 Multiplexación por División de Longitud de onda WDM:

 Multiplexación por División de Longitud de onda WDM:

WDM puede ser de dos tipos:

 Densa (DWDM, ‘Dense’ WDM): Muchas longitudes de onda y larga

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