Propiedades térmicas de los materiales

Resistencia de los materiales

Matías Alexis Vargas Apablaza

Instituto IACC

02 de agosto 2019
 Desarrollo

1). a

α = 11 * 10^-6 (Coeficiente de dilatación del acero)

Li = 2,5 [m]

Ti = 184 [°C]

Tf = 23 [°C]

Lf = ¿?

Lf = α * Li * (Tf – Ti) +Li

Lf = 11 * 10^-6 * 2,5 * (23 – 184) +2,5

Lf = 11 * 10^-6 * 2,5 * -161 + 2,5

Lf = 2,495 [m]
2.)

J= -D dc
dx

J= -D ca - cb
xa – xb

J= -3*10⁻⁷ [cm²/s] * 1,7 * 10⁻² [g/cm³] – 0,8 * 10⁻² [g/cm³]

0,5 [cm] – 0,8 [cm]

J= 0,0000003 * 0,0017 – 0,008 [g/cm²*s]

-0,3

J= 0,0000003 * 0,009 [g/cm²*s]

-0,3

J= 9 * 10⁻⁹ [g/cm²*s] Flujo de carbono en la placa.

3.)

Se define difusión por vacancia o sustitucional, al proceso que ocurre cuando los átomos en una

estructura cristalina encuentran espacios o vacantes para alojarse, esto es siempre y cuando

tengan la suficiente energía térmica disponible para su activación. En este caso podemos cifrar el

proceso de unión por capilarizacion con plata, este proceso es muy utilizado en las uniones de

refrigeración. El material de aporte es sometido a una temperatura muy elevada que es su punto

de fusión, entre 250 °C a 400 °C dependiendo de la aleación del aporte o aleación de plata, este

punto de fusión de la soldadura es menor al punto de fusión del metal base, que para este caso es

el cobre el cual tiene una temperatura de fusión es de 1084,62 °C, esta propiedad hace que la

unión de las piezas bases queden resistentes a la presión y totalmente herméticas en su conjunto.

Difusión intersticial:

Se define difusión intersticial, al proceso que cunado los átomos en sus redes cristalinas se

desplazan en intersticios, es decir entre los pequeños espacios libres o desocuoados que quedan
entre un átomo y otro átomo. Esta difusión es mucho más rápida que la difusión por vacancia,

dentro de la utilización del método intersticial, podemos dar el siguiente ejemplo: dopaje de

semiconductores los cuales se impregnan de impurezas que cambian sus propiedades eléctricas,

en el dopaje se aplica un porcentaje de silicio con fósforo para tener semiconductores tipo N.

4.)

Hablamos de cambios de fases o estado de materia a la trasformación que puede tener un

material, un claro ejemplo es el proceso del agua, en su estado normal es un líquido pero cuando

se aplican temperaturas menor a bajo 0 °C esta se vuelve sólida, y da como resultado el hielo.

Pero si aumentamos su temperatura igual o sobre los 100 °C el agua tiene la energía cinética

necesaria para convertirse en vapor gasificándose.

En las grandes industria estos proceso son muy utilizados y aprovechados un ejemplo muy claro

es la generación de vapor para mover turbinas generadoras de energía eléctrica, para esto se

utiliza el agua, la cual paso por una caldera o intercambiadores de calor expuestos a gran llama

para generar una excesiva temperatura y así poder cambiar el estado del agua de líquido a

gaseoso, la presión de este vapor se utiliza para realizar el giro de las turbinas a gran velocidad.

Otra forma de utilización de cambio de fases de los materiales es la utilizada en plantas de

fundición las cuales aprovechan el hierro, gran parte de este material reciclado el cual es

depositado en hornos, que a temperatura sobre 1.535 °C convierten el sólido hierro en una

colada liquida, la cual es vertida sobre moldes de arena para dar formas a distintos objetos tales

como tapas de alcantarillado, faroles de plazas, carcasas de bombas, block de motores etc.
5.)

Desarrollo:

2200 °C

Fase % MgO % NiO

Liquida 14 % 86 %

Solida 35 % 65 %

2400 °C

Fase % MgO % NiO

Liquida 35 % 65 %
 Solida 61 % 39 %

2600 °C

Fase % MgO % NiO

Liquida 62 % 38 %

Solida 81 % 19 %

TAREA SEMANA 4

Bibliografía

IACC (2019). Propiedades térmicas de los materiales. Resistencia de los Materiales.

Semana 4.