Laboratorio N° 05: EL TRANSISTOR BIPOLAR – ZONA

ACTIVA, CORTE Y SATURACIÓN

Paul Jhefry Huamán Guia
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica, Universidad Nacional de Ingeniería
Lima, Perú
phuamang@uni.pe

I. Objetivo III. Teoría

 Conocer las características técnicas y los A. TRANSISTOR BIPOLAR

requerimientos de uso del transistor.
 Adquirir destreza en el uso de los equipos y
la obtención de las curvas características del
transistor Bipolar.
 Adquirir destreza en el manejo de los
manuales y obtención de los data sheet de los
dispositivos a usar de Internet y los equipos
de medición.
 Determinar las operaciones de corte y
saturación de los transistores.
 Identificar las rectas de carga y punto de
operación.
 Adquirir destreza en el manejo de los
equipos y el ensamble de los circuitos.
 Afianzar el trabajo en equipo asumiendo
responsabilidades en el desarrollo de la
experiencia.
II. COMPETENCIAS
 Maneja correctamente el multímetro,  NPN es uno de los dos tipos de transistores
generador, fuente de alimentación y
osciloscopio, configurando y conectándolos
apropiadamente.
 Selecciona correctamente los componentes a
utilizar para el análisis de corte y saturación
del transistor bipolar.
 Elabora informes técnicos claros mediante
un formato digital establecido, detallando el
proceso de laboratorio desarrollado,
entregando puntualmente.
 Usa software de simulación y compara con
los resultados experimentales.
 Reconoce la importancia del trabajo en
equipo y se integra y participa en forma
efectiva en equipos multidisciplinarios de
trabajo.
El transistor bipolar es un dispositivo que posee tres
capas semiconductoras con sus respectivos
contactos llamados; colector (C), base (B) y emisor
(E).
La palabra bipolar se deriva del hecho que
internamente existe una doble circulación de
corriente: electrones y lagunas o agujeros.
B. CLASIFICACION DE LOS
TRANSISTORES
B.1 Por la disposición de sus capas.
NPN:
bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se
refieren a los portadores de carga mayoritarios
dentro de las diferentes regiones del transistor.
La mayoría de los transistores bipolares usados
hoy en día son NPN, debido a que la movilidad
del electrón es mayor que la movilidad de los
"huecos" en los semiconductores, permitiendo
mayores corrientes y velocidades de operación.
 Los transistores NPN consisten en una capa de
material semiconductor dopado P (la "base")
entre dos capas de material dopado N. Una
pequeña corriente ingresando a la base en
configuración emisor-común es amplificada en
la salida del colector.
 La flecha en el símbolo del transistor NPN está
en la terminal del emisor y apunta en la dirección
en la que la corriente convencional circula
cuando el dispositivo está en funcionamiento
activo.
PNP
 El otro tipo de transistor de unión bipolar es el
PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las
cargas mayoritarias dentro de las diferentes
regiones del transistor. Pocos transistores usados
hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda
mucho mejor desempeño en la mayoría de las
circunstancias.
 Los transistores PNP consisten en una capa de
material semiconductor dopado N entre dos
capas de material dopado P. Los transistores
PNP son comúnmente operados con el colector
a masa y el emisor conectado al terminal
positivo de la fuente de alimentación a través de
una carga eléctrica externa. Una pequeña
corriente circulando desde la base permite que
una corriente mucho mayor circule desde el
emisor hacia el colector.
 La flecha en el transistor PNP está en el terminal
del emisor y apunta en la dirección en la que la
corriente convencional circula cuando el
dispositivo está en funcionamiento activo.
B.2 Por la disipación de potencia.
El funcionamiento y utilización de los
transistores de potencia es idéntico al de los
transistores normales, teniendo como
características especiales las altas tensiones e
intensidades que tienen que soportar y, por tanto,
las altas potencias a disipar.
Existen tres tipos de transistores de potencia:
 bipolar.
 unipolar o FET (Transistor de Efecto de
Campo).
 IGBT.
B.3 Por la frecuencia de trabajo.
 El 2N2222, también identificado como
PN2222, es un transistor bipolar NPN de
baja potencia de uso general.
 Sirve tanto para aplicaciones de
amplificación como de conmutación. Puede
amplificar pequeñas corrientes a tensiones
pequeñas o medias; por lo tanto, sólo puede
tratar potencias bajas (no mayores de medio
Watts). Puede trabajar a frecuencias
medianamente altas.
 Por todas esas razones, es un transistor de
uso general, frecuentemente utilizados en
aplicaciones de radio por los constructores
aficionados de radios. Es uno de los
transistores oficiales utilizados en el BITX.
Su versatilidad ha permitido incluso al club
de radioaficionados Norcal lanzar en 1999
un desafío de construir un transceptor de
radio utilizando únicamente hasta 22
ejemplares de este transistor - y ningún
circuito integrado.
 Las hojas de especificaciones señalan como
valores máximos garantizados 500
miliamperios, 50 voltios de tensión de
colector, y hasta 500 milivatios de potencia.
La frecuencia de transición es de 250 a
300 MHz, lo que permite utilizarlo en
aplicaciones de radio de alta frecuencia
(hasta 300 MHz). La beta (factor de
amplificación, hFe) del transistor es de por
lo menos 100; valores de 150 son típicos.
 El 2N2222 es fabricado en diferentes
formatos, los más comunes son los TO-
92, TO-18, SOT-23, y SOT-223.
 C. SIMBOLOGIA DE LOS TRANSISTORES E. CURVAS

Aqui mostramos las curvas del transistor BJT.

Donde:
IB: es la corriente en la base
IE: es la corriente en el emisor
IC: es la corriente en el colector Los transistores de unión bipolar tienen diferentes
Además en todo transistor se cumple la siguiente regiones operativas, definidas principalmente por la
relación forma en que son polarizados:
𝐼𝐶 = 𝛽 × 𝐼𝐵
𝛽+1 REGIÓN ACTIVA
𝐼𝐸 = 𝐼
𝛽 𝐶 Como acabamos de ver un transistor está
trabajando en la zona activa cuando la unión de
𝛽 : indica la ganancia de corriente en un transistor emisor se polariza en directa y la unión de
BJT. colector en inversa. En el caso de un transistor
pnp, para polarizar la unión de emisor en directa
D. POLARIZACION DEL TRANSISTOR habrá que aplicar una tensión positiva del lado
del emisor, negativa del lado de la base, o lo que
Cuando hablamos del diodo, veíamos que tenía dos es lo mismo una tensión VBE positiva. De igual
posibilidades de polarización; directa e inversa. manera, para polarizar la unión de colector en
Ahora que trabajamos con el transistor que posee inversa hay que aplicar una tensión VCB
dos uniones, una entre emisor y base (unión JE) y la negativa.
zona entre base y colector (unión JC) las cuales
pueden ser polarizadas de forma similar al diodo.
Para que un transistor bipolar funcione
adecuadamente, es necesario polarizarlo
correctamente. Para ellos se debe cumplir que: La
juntura BASE - EMISOR este polarizado
directamente, y La juntura COLECTOR – BASE
este polarizado inversamente.
Ejemplo: Si el transistor es NPN, la base debe tener
un voltaje positivo con respecto al emisor y el REGION DE CORTE
colector debe tener un voltaje también positivo pero,
mayor que el de la base. En el caso de un transistor Un transistor esta en corte cuando la corriete de
PNP debe ocurrir lo contrario. colector = la corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)

La combinación de estas dos polarizaciones entre las En este caso el voltaje entre el colector y el emisor
dos regiones nos permitirá hacer trabajar al diodo en del transistor es el voltaje de alimentación del
cuatro zonas de trabajo distintas. circuito.

Como no hay corriente circulando, no hay caída

de voltaje, ver Ley de Ohm. Este caso normalmente
se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib = 0).
 b. Polarizar el dispositivo y medir C V y B V
para completar la siguiente tabla:

.
REGION DE SATURACION

Un transistor está saturado cuando la corriente de
colector = la corriente de emisor = la corriente
máxima, (Ic = Ie = I máxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende
del voltaje de alimentación del circuito y de
los resistores conectados en el colector o el emisor o
en ambos, ver L a ley de Ohm.
c. A partir de esta tabla graficar la curva de
transferencia de entrada a salida 𝑽𝑪 vs V Si
es necesario, tomar medidas de puntos
intermedios.
d. Graficar la curva de transferencia de
corrientes ( 𝐼𝐶 vs 𝐼𝐵 ) y el beta de las mismas
(BETA vs 𝐼𝐶 ). Ejemplo:

Este caso normalmente se presenta cuando

la corriente de base es lo
suficientemente grande como para inducir
una corriente de colector ß veces más grande. (
recordar que Ic = ß * Ib)
e. Armar el circuito de la figura 3
IV. Desarrollo de la experiencia
Materiales:
 01 transistor NPN 2N2222 ó 2N3904
 01 protoboard
 01 Resistencia de 100Ω; 2de 1KΩ de 1W
 02 Fuente DC; puntas de prueba
 01 protoboard y cables conectores
 01 multímetro
 Resistencias:10KΩ;15KΩ;56KΩ;22KΩ; f. Medir las tensiones 𝑉𝐶 , 𝑉𝐸 y 𝑉𝐵 para trazar la
180KΩ; 3.3KΩ;6.2KΩ;10KΩ;47KΩ recta de carga del circuito, variando R6.
,510KΩ;2KΩ de 1W
 01 Potenciómetro lineal de 50KΩ y 500 KΩ
0.5W
 01 Generador de funciones
 02 transistores BJT iguales BC548A
 02 Diodos LED
 01 Osciloscopio, puntas de prueba g. Determinar las corrientes y graficar la recta
 01 amperímetro analógico de carga en el plano I_C vs V_CE del
Procedimiento: transistor. Indicar la zona de operación
correspondiente.
a. Armar el circuito de la figura 2:

h. Graficar en un mismo plano las diferentes

rectas de carga, a colores, indicando las zonas
de operación. Adjuntar las datasheet con los
datos de los transistores utilizados.
 i. Armar el circuito de la figura 2, conectar los Zona de Zona Activa Zona de
diodos LED en serie con las resistencias R1 y Corte Saturación
R2, colocar en V3 una fuente DC y 𝑉𝐵𝐸 0.66𝑣 < 𝑉𝐵𝐸 < 0.8𝑣 𝑉𝐵𝐸
reemplazar R1 por un potenciómetro. < 0.66𝑣 = 4.68𝑣
j. Para determinar la región activa varíe el 𝐼𝐵 = 0𝐴 2.53𝑢𝐴 < 𝐼𝐵 < 726𝑢𝐴 𝐼𝐵
voltaje de entrada V3 y realice las = 48.2𝑚𝐴
mediciones necesarias, de tal forma que 𝐼𝐶 = 0𝐴 0.73𝑚𝐴 < 𝐼𝐶 < 9.44𝑚𝐴 𝐼𝐶
pueda determinar el intervalo de voltaje = 9.47𝑚𝐴
(V(min) < V3 < V(max)) que mantiene al 𝐼𝐸 = 0𝐴 0.73𝑚𝐴 < 𝐼𝐸 < 10.2𝑚𝐴 𝐼𝐸
transistor operando en la región activa. = 57.7𝑚𝐴
k. Para determinar cuando el transistor está en 𝑉𝐶𝐸 = 12𝑣 9.10𝑣 < 𝑉𝐶𝐸 < 12𝑣 𝑉𝐶𝐸
corte o está en saturación, aumentar de 1v en
= 0.31𝑣
1v el V(max) DC de V3; hasta encontrar un
cambio en V0. Luego repetir el
c. Con los valores obtenidos con el simulador,
procedimiento disminuyendo V(min) de V3
haga las gráficas de las curvas: 𝐼𝐶 𝑣𝑠 𝑉𝐶𝐸 ;
desde el último valor de v, hasta cero.
𝐼𝐶 𝑣𝑠 𝐼𝐵 ; 𝐵𝑒𝑡𝑎 𝑣𝑠 𝐼𝐶 ; 𝐼𝐵 𝑣𝑠 𝑉𝐵𝐸 ; y obtenga
En la simulación determinar la resistencia R1 que
el gráfico de respuesta en frecuencia
facilite el corte y saturación de manera más rápida
indicando la ganancia de tensión vs.
y usar ese valor en la práctica de laboratorio.
Frecuencia usando la escala logarítmica.
i. Tomar datos y completar la siguiente tabla:
I_C vs V_CE
8
7
6
I_C (mA)

5
4
3
2
V. Respuesta a Preguntas 1
0
a. Realice los cálculos para hallar 𝐼𝐵 , 𝐼𝐶 0 5 10 15
empleando el simulador ORCAD / Pspice o V_CE (Voltios)
similar.
b. Simule los pasos de la guía de laboratorio y
anote las tensiones y corrientes que se piden I_C vs I_B
en el experimento.
8
V 0 1 2 3 4 5 6 7 8
7
𝑉𝐶 (𝑣) 12 11.7 11.2 10.7 10.4 10.1 9.82 9.64 9.5
6
𝑉𝐵 (𝑣) 0 0.83 1.51 2.21 2.92 3.63 4.35 5.07 5.77
I_C(mA)

5
𝐼𝐶 (𝑚𝐴) 0 0.51 1.49 2.41 3.24 4 4.7 5.34 5.93
4
𝐼𝐵 (𝑢𝐴) 0 1.71 5.36 9.14 12.9 16.7 20.6 24.4 28.3
3
Beta 298.25 277.99 263.68 251.16 239.52 228.16 218.85 209.54
2
1
V 9 10 11 12 13 14 15 16
0
𝑉𝐶 (𝑣) 9.4 9.33 9.27 9.21 9.17 9.12 9.09 9.06 0 20 40 60 80
𝑉𝐵 (𝑣) 6.49 7.21 7.96 8.65 9.41 10.1 10.8 11.6 I_B(mA)
𝐼𝐶 (𝑚𝐴) 6.27 6.51 6.69 6.81 6.92 7.01 7.08 7.15
𝐼𝐵 32.1 35.9 39.8 43.5 47.5 51.2 54.9 59
Beta 195.35 181.34 168.09 156.55 145.68 136.91 128.96 121.19
 Beta vs I_C
350
300
 2N 3904
250
Beta

200
150
100
50
0
0 2 4 6 8
I_C ( mA)

I_B vs V_BE
80

60
I_B (mA)

40

20

0
0 5 10 15
V_BE (Voltios)

e. Que voltaje AC de entrada puede soportar el

d. Obtenga el Data Sheet del transistor y transistor 2N 2222 y el 2N 3904.
determine las características de corte y  2N 3904
saturación, así como el punto de operación
del 2N 2222 y el 2N 3904.

 2N 2222

 2N 2222
 VI. Simulaciones Para V = 3v
 Circuito de la Figura 2 con Voltaje
R2
alterna(AC) 1k V1
12V
Para V = 0v

+2.41
R2

AC mA
1k V1
12V

AC mA
0.00
R1 Q1
+9.14 BC548
180k AC µA

+10.7
AC Volts
R1 Q1 +3.00
0.00 BC548
AC Volts

+2.42
AC mA
180k AC µA

+12.0 +2.21
AC Volts AC Volts
0.00
AC Volts
AC mA
0.00

0.00
AC Volts

Para V = 4v

R2
Para V = 1v 1k V1
12V

R2
1k V1
12V

+3.24
AC mA
+0.51
AC mA

R1 Q1
+12.9 BC548
180k AC µA
R1 Q1
+1.71 BC548 +10.4
180k AC µA AC Volts
+4.00
+11.7 AC Volts
+3.25
AC mA
AC Volts
+1.00 +2.92
AC Volts
+0.51
AC mA

AC Volts
+0.83
AC Volts

Para V = 5v
Para V = 2v
R2
1k V1
R2 12V
1k V1
12V
+4.00
AC mA
+1.49
AC mA

R1 Q1
R1 Q1 +16.7 BC548
+5.36 BC548 180k AC µA
180k AC µA
+10.1
+11.2 AC Volts
AC Volts +5.00
+2.00
AC Volts
+4.02
AC mA

AC Volts
+1.50
AC mA

+3.63
+1.51
AC Volts
AC Volts
Para V = 6v Para V = 9v

R2 R2
1k V1 1k V1
12V 12V

+6.27
AC mA
+4.70
AC mA
R1 Q1 R1 Q1
+20.6 BC548 +32.1 BC548
180k AC µA 180k AC µA

+9.82 +9.40
AC Volts AC Volts
+6.00 +9.00
AC Volts AC Volts

+6.31
AC mA
+4.72
AC mA

+4.35 +6.49
AC Volts AC Volts

Para V = 7v Para V = 10v

R2 R2
1k V1 1k V1
12V
12V

+6.51
AC mA
+5.34
AC mA

Q1 R1 Q1
R1 +35.9 BC548
+24.4 BC548
180k AC µA
180k AC µA
+9.33
+9.64
AC Volts
AC Volts +10.00
+7.00
AC Volts
+6.55
AC mA
AC Volts
+5.37
AC mA

+7.21
+5.07
AC Volts
AC Volts

Para V = 8v Para V = 11v

R2
R2 1k V1
1k V1 12V
12V
+6.69
AC mA
+5.93
AC mA

R1 Q1
R1 Q1 +39.8 BC548
+28.3 BC548 180k AC µA
180k AC µA
+9.27
+9.50 AC Volts
AC Volts +11.0
+8.00 AC Volts
+6.73
AC mA

AC Volts
+5.96
AC mA

+7.96
+5.77 AC Volts
AC Volts
Para V = 12v Para V = 15v

R2 R2
1k V1 1k V1
12V 12V

+6.81
AC mA

+7.08
AC mA
R1 Q1 R1 Q1
+43.5 BC548 +54.9 BC548
180k AC µA 180k AC µA

+9.21 +9.09
AC Volts AC Volts
+12.0 +15.0
AC Volts AC Volts
+6.85
AC mA

+7.13
AC mA
+8.65 +10.8
AC Volts AC Volts

Para V = 13v Para V = 16v

R2 R2
1k V1 1k V1
12V
12V
+6.92
AC mA

+7.15
AC mA
R1 Q1
+47.5 BC548 R1 Q1
180k AC µA +59.0 BC548
180k AC µA
+9.17
AC Volts +9.06
+13.0
AC Volts
AC Volts +16.0
+6.97
AC mA

AC Volts +7.21
+9.41
AC mA
AC Volts
+11.6
AC Volts

Para V = 14v

R2
1k V1
12V
+7.01
AC mA

R1 Q1
+51.2 BC548
180k AC µA

+9.12
AC Volts
+14.0
AC Volts
+7.06
AC mA

+10.1
AC Volts
  Circuito de la Figura 3 con Voltaje
continua(DC) variando la resistencia. Para 22kΩ
Para 56kΩ R2
1k

R2
1k

+2.95
R1

mA
47k

+5.20
R1

mA
47k

V1 Q1
12V +11.2 BC548
µA
V1 Q1 +9.05
12V +22.6 BC548
Volts
µA
+6.80
R4
Volts +3.66 22k
R4 Volts R3
+2.96 1k
+5.94 56k
R3 Volts
Volts
+5.22 1k
Volts

Para 47kΩ Para 15kΩ

R2 R2
1k 1k
+4.79

+2.12
R1 R1
mA

mA
47k 47k

V1 Q1 V1 Q1
12V +20.3 BC548
12V +7.70 BC548
µA
+7.21 µA
+9.88
Volts
Volts
R4
+5.52 47k R4
Volts R3 +2.82 15k
+4.81 1k Volts R3
Volts +2.12 1k
Volts
Para 3.3kΩ Para la Zona Activa (mínima)
R1
R2 1k
1k D1 V1
LED-GREEN 12V

+0.73
mA
+0.16
R1

mA
47k

D2
R2 Q1
+2.53 BC548
V1 Q1 180
LED-GREEN
µA

12V +0.54 BC548 V2

µA 0.9V
+11.8 +9.10

+0.73
+0.66

mA
Volts Volts
Volts

R4
+0.79 3.3k
Volts R3
+0.16 1k
Volts

Para la Zona Activa (maxima)

R1
1k
D1 V1

LED-GREEN 12V
Circuito de la Figura 2 con Voltaje
Continua (DC)

+9.44
mA
Para la Zona de Corte
R1
1k
D2
D1 R2 Q1
V1 +726 BC548
LED-GREEN 12V 180 µA
LED-GREEN
V2
3.1V
0.00
mA

+0.33
+10.2
+0.80
mA
Volts
Volts

D2
R2 Q1
0.00 BC548
180
LED-GREEN
µA
Para la Zona de Saturación
V2 R1
0V
1k
+12.0
D1
0.00

0.00 V1
mA

Volts
Volts LED-GREEN 12V
+9.47
mA

D2
R2 Q1
+48.2 BC548
180 mA
LED-GREEN
V2
15.7V

+0.31
+57.7

+4.68
mA

Volts
Volts
 VII. Bibliografia
[1] Anonimo, "Transistor Bipolar", recuperado
de
http://cvb.ehu.es/open_course_ware/castellano/tecnic
as/electro_gen/teoria/tema-4-teoria.pdf.
[2] Dpto. Tecnología Electrónica, "Dispositivos
Electronicos I" Recuperado de:
http://mdgomez.webs.uvigo.es/DEI/Guias/tema5.pdf
[3] Anonimo, "DatasheetCatalog", Recuperado
de:http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet
2/1/026yudu3urfdud404g8c2g11rpcy.pdf
[4] Anonimo, "Alldatasheet", Recuperado de:
http://html.alldatasheet.com/html-
pdf/15077/PHILIPS/2N3904/745/3/2N3904.
html