Tipos de transistor

Transistor de contacto puntual

Este tipo de transistor también se suele llamar como transistor de punta de contacto. Este es
considerado como el primero de todos los transistores que podía conseguir ganancia.

Data desde el año 1947, año en que fue creado por John Bardeen con ayuda de Walter Brattain.
Esta está compuesta por una base de germanio donde se sostienen dos puntas metálicas que
corresponde al colector y al emisor. Este es muy frágil, difícil de construir y tiende a ser muy
ruidoso.

Transistor de efecto de campo

Es considerado como el primero de todo los transistores de efecto de campo de unión que existen
en la actualidad. Este transistor está constituido por una barra de material de silicio que actúa
como un semiconductor, y que en sus terminales se efectuá un contacto óhmico. Este transistor
logra controlar la energía en función de una tensión. Este se construye a través de una unión PN.

Poseen tres terminales, las cuales se conocen como gate o puerta, que equivale a la base del BJT,
esta es la que regula el paso de la energía a través de las otras dos terminales, conocidas como
fuente y drenaje.

Fototransistor

Estos tipos de transistores tienden a ser muy sensibles frente a la radiación electromagnética
cuando está próxima a la luz visible. Con esta sensibilidad el flujo de energía se llega a controlar a
través de la luz incidente. En estos transistores la corriente de la base se puede obtener a partir de
la luz incidente.

Transistor de potencia

Estos transistores son muy parecidos a los transistores tradicionales, lo que le distingue, es que
estos tienden a aguantar una mayor cantidad de tensión así como también de intensidad.

Los transistores de potencia también llega a disipar altas potencias así como revive altas tensiones,
a la vez presentan un prolongado recalentamiento. Estos hacen uso de los disipadores para así
evitar cualquier sobrecalentamiento.

Transistor bipolar

Transistor bipolar de puerta aislada, también llamada por sus siglas IGBT. En este puede pasar una
corriente grande en función de una corriente pequeña que pasa por la base. Este tipo de transistor
se origina por la unión de tres cristales que son excelentes semiconductores, y que presentan
dopajes intercambiados y a al vez distintos. Estos llegan a presentar transistores NPN o PNP.
Transistor unipolar

Es muy parecido al anterior pero se distingue en que este usa la tensión como medio para regular
el lugar de corriente, ya que presenta cierta impedancia de entrada alta.

Transistor de baja potencia

Se refiere al tipo de transistor que solo presenta una pequeña intensidad, lo cual corresponde a
una potencia que no asciende de los 0.5 W. También suelen ser llamados como transistor de
pequeña señal.

Transistores de unión por crecimiento

Aquí se efectúa un proceso de crecimiento a través del cual se consiguen los cristales partiendo de
la fundición del silicio y del germanio, los cuales muestran una unión poco separada. Los
transistores de unión se llegan a subdividir en tipos de unión de campo interior, de unión de
alineación y en unión de crecimiento.

Transistor de unión difusa

Es visto como un semiconductor que deja atrás el uso del silicio y pasar a utilizar germanio, lo cual
ofrece excelentes ventajas para la potencia de la unidad. Estos se subdividen en tipos de difusión
hometaxial, doble, doble planar y triple planar.

Transistores epitaxiales

Son transistores de unión que resultan del crecimiento de un pastilla de semiconductor y por
medio de los procesos fotolitográficos que son empleados durante el crecimiento para definir las
regiones de base y de emisor. De esta se puede notar una subdivisión, encontrándose transistores
de capa epitaxial, de base epitaxial y de sobrecapa.