Electrónica

De Estado Sólido
 Conductores, aislantes y
semiconductores
• Conductores: se les llama conductores a aquellos
materiales que poseen muy baja resistencia al paso de
corriente eléctrica, estos materiales poseen un gran
número de electrones (potencialmente electrones libres)
que pueden moverse fácilmente de átomo en átomo con
muy poca energía externa. Típicamente, los buenos
conductores tienen sólo un electrón en la órbita de valencia
(la más alejada del núcleo). Todos los metales son
conductores, unos mejores que otros. Buenos conductores
son: la plata, el cobre, el aluminio, el estaño.
 Electrón de
valencia Plata:47
(electrón 79) Electrón de
(2,8,18,32,1) valencia
Oro:79
(electrón 47)
(2,8,18,32,18,1)

Orbitales

Configuración Configuración
electrónica del oro electrónica de la plata
 N Electrón de
Cobre:29 valencia
M
(electrón 29)
L
(2, 8, 18, 1) K
+ 29

Configuración electrónica
del cobre
 Aislantes
• Se les llama aislantes a aquellos materiales cuyos
electrones están fuertemente ligados al núcleo, y por
lo tanto son incapaces de desplazarse por el interior y
en consecuencia, conducir electricidad (poseen alta
resistencia). Buenos aislantes son por ejemplo: la mica,
la porcelana, el poliéster, el aire.
• Niveles de energía: la estructura atómica existen
niveles discretos de energía asociados con cada
electrón que orbita. Cada material tendrá su propio
conjunto permitido de niveles de energía para los
electrones en su estructura atómica.
 En un dieléctrico los
electrones están
Energía fuertemente unidos a
su núcleo por lo que se
Banda de conducción necesita aplicar mucha
E g  5 ev
energía para que los
electrones de valencia
Banda de valencia Electrones de entren en la banda de
valencia ligados a
la estructura
conducción.
atómica
1eV = 1,6 x 10^-19 [J]
 Semiconductores
• Un semiconductor es un material que presenta un nivel de
resistencia eléctrica que se localiza entre los extremos de un
dieléctrico y de un conductor. Los elementos químicos
semiconductores utilizados son el Silicio (Si) y el Germanio (Ge).

• Tipos de semiconductores:
– Intrínseco
– Extrínseco
 Germanio: 32 2,8,18,4
Silicio: 14 2,8,4

Átomos
tetravalentes

Energía

Banda de conducción E g  1.1 eV

Eg E g  0.67 eV
Banda de valencia Electrones de valencia
ligados a la estructura
atómica
 Semiconductor intrínseco

Un semiconductor intrínseco está hecho sólo de una

clase de átomo, es decir, es puro.

Los cuatro
electrones de
valencia forman
enlaces con otros
átomos de silicio.
 Semiconductor extrínseco.
• Son materiales semiconductores que no son puros. Se les
introducen átomos (llamados impurezas) en su estructura
molecular para aumentar su conductividad eléctrica.
• A la operación de introducción de estos átomos se le llama
dopaje
• Los semiconductores extrínsecos pueden ser:
– Tipo N: introducimos átomos con 5 electrónes de valencia.
Fosforo, arsenico antimonio.
– Tipo P: Introducimos átomos con 3 electrones valencia. Boro,
Galio, Indio.
 ¿Qué ocurre cuando se unen un
semiconductor tipo P y otro tipo
N?
 Los electrones libres de la región
N más próximos a la región P
traspasan la frontera,
produciéndose una recombinación
con los huecos más próximos de
ésta. En la región N se crean “Iones
positivos” y en la región P “Iones
negativos”.
Estas zonas cargadas se conocen E
como zona de deplexión o
agotamiento.
En esta zona se crea un campo eléctrico que a su vez
crea una diferencia de potencial, llamada también
tensión umbral del diodo.
 Existen dos posibilidades al aplicar un voltaje a través de
las terminales del diodo:

Polarización directa (Vd > 0 V). Id

La aplicación de un voltaje positivo

"presionará" a los electrones en el
material tipo N y a los huecos en el
material tipo P para recombinar con los
iones de la frontera y reducir la anchura
de la región de agotamiento hasta
desaparecerla cuando VD sea
aproximadamente igual a 0.7 V para
diodos de Silicio.
 Polarización inversa (Vd < 0 V)

Bajo esta condición el número de iones

positivos descubiertos en la región de
agotamiento del material tipo N aumentará
debido al mayor número de electrones libres
arrastrados hacia el potencial positivo del
voltaje aplicado. El número de iones negativos
descubiertos en el material tipo P también
aumentará debido a los electrones inyectados
por la terminal negativa, las cuales ocuparán los
huecos.
El fenómeno explicado anteriormente, en ambos tipos de Id0
material N y P, provocará que la región de agotamiento se
ensanche o crezca hasta establecer una barrera tan grande que
los portadores mayoritarios no podrán superar, esto significa
que la corriente Id del diodo será cero.