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CAPÍTULO 3

MODELOS DE PEQUEÑA SEÑAL

3.1 MODELO DE PEQUEÑA SEÑAL DE UNA UNIÓN PN

En la Figura 24 se representa un diodo que se polariza con dos fuentes de alimentación, una
genera una diferencia de potencial constante entre sus extremos y la otra una diferencia de
potencial variable con el tiempo y de media cero. Las fluctuaciones de tensión generadas por esta
fuente son, por hipótesis, muy pequeñas. Si se polarizara el diodo sólo con la primera fuente, la
corriente que circularía sería la dada por la característica estática (ver Figura 25). Sin embargo, al
existir el segundo generador, la corriente fluctúa con el tiempo alrededor de este valor de equilibrio.
El modelo de pequeña señal del diodo permite calcular estas fluctuaciones.

Figura 24: Superposición de una pequeña señal a la tensión de polarización del diodo.

Para calcular estas fluctuaciones se va a suponer, en primera instancia, que la tensión de

polarización fluctuante cambia lentamente con el tiempo, de forma que la característica estática
describe bien el comportamiento del dispositivo. Puesto que lo que se pretende es calcular las
fluctuaciones alrededor del punto de equilibrio (el valor de corriente constante no interesa), resulta
 66

conveniente hacer un cambio de ejes coordenados cuyo origen coincide con el punto de
polarización (ver Figura 25). Si las fluctuaciones son de amplitud pequeña no se comete un error
apreciable si en vez de considerar la curva característica se toma la recta tangente a ella en el punto
de polarización. En definitiva, lo que se obtiene es una relación lineal entre la componente
fluctuante de corriente y la componente fluctuante de la tensión de polarización, por lo que el
modelo de pequeña señal del diodo es una conductancia, g, de valor la pendiente de la curva
característica en el punto de polarización (resistencia de valor 1/g).

Figura 25: Oscilaciones de pequeña señal en el diodo.

El valor de la pendiente en el punto de polarización se puede obtener mediante

diferenciación de la característica estática

Ecuación 36. Parámetro de conductancia de pequeña señal del diodo.

di D Io ⋅ eVD / VT I
g= | v =VD = ≈ D
dv D D VT VT
67

donde ID y VD son la corriente y tensión en el punto de polarización del diodo (valor de corriente y
tensión del diodo si la fuente alterna de pequeña señal se anula). La aproximación que se hace en la
ecuación anterior es válida si el diodo está fuertemente polarizado en directa ( eVD / VT >> 1 ). La
corriente g·v representa la corriente fluctuante que atraviesa el dispositivo, cuya conductividad es g,
debido a los cambios de tensión en torno al punto de polarización.

Si la tensión de polarización fluctuante cambia rápidamente con el tiempo, el modelo de

pequeña señal del diodo se complica. Al término estático de la Ecuación 24 que en pequeña señal
se modela por la conductancia g, hay que añadir en paralelo la capacidad de difusión y de
transición. Ambas se evalúan en el punto de polarización (CT = CT(VD) y CD = CD(VD)) y en
pequeña señal se consideran constantes. En la figura siguiente se muestra el modelo completo de
pequeña señal del diodo. La resistencia Ro se incluye en el modelo porque en las regiones neutras,
la conductividad, aunque es alta, no es infinita, y hay caídas de tensión proporcionales a las
corrientes que circulan por las mismas. El valor típico de Ro es del orden de algunos ohmios. La
capacidad de difusión suele ser mucho mayor que la de transición para tensiones de polarización
directas mientras que ocurre lo contrario para tensiones de polarización inversas.

Figura 26: Modelo de pequeña señal del diodo.

3.2 MODELO DE PEQUEÑA SEÑAL DEL TRANSISTOR BIPOLAR

3.2.1 Modelo en π

En la Figura 27 se representa el modelo en π de pequeña señal de un transistor bipolar.

Las resistencias rbb' y rc'c modelan las caídas de tensión en las regiones neutras de la base y del
 68

colector, respectivamente. La estructura de un transistor real es como la representada en la Figura

28, donde se ha indicado de manera explícita las regiones físicas del semiconductor, responsables
de las resistencias anteriores. La región neutra del emisor se podría modelar también mediante una
resistencia, pero al ser muy pequeña su longitud y muy alto su dopado, esta resistencia es
despreciable respecto de las otras dos. La resistencia rbb' se conoce como resistencia de dispersión
de la base, surge por el camino que tiene que recorrer la corriente de la base desde el terminal
externo B hasta la región activa de la misma (punto B' en la figura) y tiene especial importancia
porque la tensión que amplifica el dispositivo no es la aplicada externamente, sino vb'e. El efecto
eléctrico es una reducción de la ganancia.

Figura 27. Modelo híbrido en π de pequeña señal

El resto de componentes del circuito corresponden con lo que físicamente ocurre en las
dos uniones y en la región activa de la base. Entre los nodos B'-E y B'-C' nos encontramos las
uniones de emisor y colector, respectivamente. Por tanto, las ramas eléctricas equivalentes se
corresponden con los modelos de pequeña señal de un diodo, es decir, un condensador y una
resistencia en paralelo. En la región activa de funcionamiento, la unión de emisor está polarizada en
directa y la unión de colector en inversa. Por tanto, rb'e es mucho menor que rb'c'. Un valor típico
para la primera es 1KΩ y para la segunda decenas de MΩ. Sin embargo, Cb'e será mucho más
grande que Cb'c' ya que el exceso de portadores de la base se carga y descarga en mayor medida a
través de la unión del emisor17.

17
En la unión de emisor, polarizada en directa, tiene gran peso la capacidad de difusión. Mientras, en la unión de
colector, polarizada en inversa, la capacidad de difusión es mucho menor.
69

Figura 28. Resistencias serie de los terminales del BJT

Al variar la tensión vb'e, varía la corriente a través de la unión de emisor, que por efecto
transistor llega hasta el colector. Por ello es necesario una fuente de corriente entre el colector
(nodo C') y el emisor que dependa de la tensión Vb'e. El parámetro gm, que tiene dimensiones de
Ω −1 , se llama transconductancia y es el parámetro más importante cuando se utiliza el transistor
como amplificador. Por último, como se observa en la característica de salida en emisor común
(Figura 22.(a)), por efecto Early, en región activa, al variar la tensión VCE aumenta levemente la
corriente de colector. Este efecto se puede modelar mediante una resistencia rc'e entre colector y
emisor. Un valor típico de esta resistencia es 100KΩ.

A continuación y a modo de ejemplo de cálculo de los parámetros de pequeña señal vamos

a obtener el valor de la transconductancia. Realizaremos las siguientes aproximaciones, que en la
práctica suelen ser razonables:

• Las resistencias rbb' y rc'c' son muy pequeñas y pueden considerarse como cortocircuitos.

• Consideraremos que las tensiones variarán con una frecuencia suficientemente baja para
que los condensadores se comporten como circuitos abiertos. Este hecho no tendrá ninguna
influencia en el resultado final que obtengamos.

• Puesto que rb'c' es de valor elevado se considerará un circuito abierto.

Si ahora cortocircuitamos los terminales C y E, el circuito de pequeña señal quedará como

en la Figura 29, de donde es inmediato comprobar que gm=ic0/vbe, siendo ic0 la corriente de colector
 70

cuando éste esta cortocircuitado con el emisor. Teniendo en cuenta que las variables de pequeña
señal son pequeños incrementos entorno el punto de polarización, el cociente anterior se puede
expresar mediante

Ecuación 37. Definición de la transconductancia del transistor bipolar

∂iC di
gm = = C vCE es cons tan te
∂v BE dv BE

En la Ecuación 37 se toma derivada parcial porque en la definición de gm se consideró

cortocircuito en la salida, es decir, vce=0, lo que significa que la variable de gran señal vCE es
constante18. Si realizamos la derivada de la expresión de iC dada en la Ecuación 31 obtenemos
α ⋅ I ES ⋅ e vBE / VT
gm = vBE =VBE . En la mayoría de los casos de polarización activa la exponencial de la
VT

expresión anterior es mucho mayor que la unidad y se puede concluir que

Ecuación 38. Valor de la transconductancia del transistor bipolar en activa

IC
gm =
VT

Figura 29. Modelo aproximado utilizado para la definición de la transconductancia

18
En este apartado y en lo sucesivo se ha asumido el siguiente convenio: las variables de pequeña señal se denotan por
la letra y el subíndice minúscula (Ej: ic, vbe, ... ), las variables globales o de gran señal con la letra en minúscula y los
subíndices en mayúscula (Ej: vCE, iE, ... ) y los puntos de polarización con todo en mayúscula (Ej: IC, IB, ... )
71

3.2.2 Modelo híbrido o de parámetros h

Figura 30. Modelo de pequeña señal de parámetros h

La obtención rigurosa del modelo en π de apartados anteriores requiere la utilización de

técnicas de teoría de circuitos que le quita al procedimiento la intuición física que pudiera tener. Sin
embargo, la obtención matemática del modelo con parámetros h es más inmediata y en el
procedimiento se pone de manifiesto el significado y las limitaciones de los modelos de pequeña
señal. Partimos de las características estáticas de entrada y salida en emisor común que se vieron en
el apartado 2.5, es decir, las relaciones

Ecuación 39. Características estáticas de emisor común

v BE = v BE (i B , vCE )
iC = iC (i B , vCE )

Dado el punto de polarización (IB,VCE) del dispositivo, aproximamos las superficies no

planas dadas en la Ecuación 39 por el plano tangente a las superficies en el punto de polarización.
Matemáticamente el plano tangente se obtiene desarrollando por Taylor las relaciones de la
Ecuación 39 y despreciando los términos de orden mayor que uno. Es decir,

Ecuación 40. Aproximación de las características por un plano

∂v BE ∂v
v BE ≈ v BE ( I B , VCE ) + ⋅ (i B − I B ) + BE ⋅ (v CE − VCE )
∂i B ∂vCE
∂i ∂i
iC ≈ iC (i B , vCE ) + C ⋅ (i B − I B ) + C ⋅ (v CE − VCE )
∂i B ∂vCE
 72

Para que la aproximación de la Ecuación 40 sea buena es necesario que la desviación de

las variables de gran señal iB y vCE, respecto del punto de polarización, sea muy pequeña.
Teniendo en cuenta que vBE(IB,VCE)=VBE e iC(IB,VCE)=IC y recordando que las variables de pequeña
señal se definen como la diferencia entre la variable de gran señal y el punto de polarización (Ej:
ib=iB-IB, vbe=vBE-VBE, ... ), a partir de la Ecuación 40 se llega al modelo con parámetros h

Ecuación 41. Modelo de pequeña señal de parámetros h

vbe = hie ⋅ ib + hre ⋅ vce

ic = h fe ⋅ ib + hoe ⋅ vce

donde los parámetros h se definen como

Ecuación 42. Definición de los parámetros del modelo h

∂v BE v βVT ∂v BE v VT
hie = |Q ≈ be |vce =0 ≈ hre = |Q ≈ be |ib =0 ≈
∂i B ib IC ∂vCE vce VA
∂iC ic ∂iC i IC
h fe = |Q ≈ |vce =0 ≈ β hoe = |Q ≈ c |ib =0 ≈
∂i B ib ∂vCE vce VA

En las definiciones de los parámetros h dadas en la Ecuación 42 , la letra Q indica que las
derivadas parciales se evalúan en el punto de polarización, es decir, iB=IB y vCE=VCE. Nótese
además que las derivadas pueden aproximarse por el cociente de las variables de pequeña señal y
que las condición de considerar constante la variable de gran señal (implícita en la definición de
derivada parcial) es equivalente a anular la correspondiente variable de pequeña señal (Ej.: vCE es
constante equivale a que vce=0). El conjunto de ecuaciones dado por la Ecuación 41 es equivalente
al circuito de la Figura 30. Valores típicos son: hie=1KΩ, hre=10-4, hfe=100 y h-1oe=80KΩ.

3.2.3 Cálculo de los parámetros de pequeña señal

Ambos modelos, en π y con parámetros h, representan al mismo dispositivo físico. Por

tanto sus parámetros están relacionados por las expresiones
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Tabla 1. Relación de los parámetros de los dos modelos

hfe=gm·r b’e h ie=r b’b+r b’e

hre= r b’e/ r b’c’ h oe= 1/r c’e+ (1+hfe) / r b’c’

Los parámetros de pequeña señal dependen fuertemente del punto de polarización del
dispositivo. Expresiones aproximadas son:

Tabla 2. Parámetros del modelo en π en función del punto de polarización

IC βVT
gm ≈ rb 'e ' ≈
VT IC
βVA VA
rb 'c ' ≈ rc 'e ' ≈
IC IC

A modo de ejemplo obtengamos los parámetros hie y hfe en función de los parámetros del
modelo en π. De la Ecuación 42 se observa que hie=vbe/ib cuando vce=0. Si cortocircuitamos la
salida del modelo en π y consideramos que rb'c es un circuito abierto, el circuito restante queda
como en la Figura 31. Por tanto, hie=(vbe / ib)=r b'b+r b'e. Aplicando la definición de hfe obtenemos:
hfe =ic/ib}=gm·vb'e /ib= gm·ib·r b'e/ib=gm·r b'e

Figura 31. Circuito en π usado para establecer la relación entre parámetros

 74

3.3 EJERCICIOS PROPUESTOS

1) La Figura 32 representa un amplificador al que se le ha conectado una señal vi en la entrada y

una carga RL en la salida. Hallar:
a. El punto de polarización del transistor.
b. Los parámetros de pequeña señal hie, hfe y hoe.
c. Dibujar el modelo de pequeña señal del conjunto señal-amplificador-carga a
frecuencias intermedias, suponiendo que los condensadores se han diseñado para
que se comporten como cortocircuitos a dichas frecuencias.
v
d. La ganancia del amplificador Av = o
vi
vo ⎞
e. Los parámetros del modelo equivalente del amplificador AvO = ⎟ , R i, R o .
vi ⎟⎠CA
vo
f. Calcular la ganancia Av = usando el modelo del amplificador con los parámetros
vi
calculados anteriormente.
g. Representar gráficamente las tensiones instantáneas vO(t) y vCE(t) en función del
⎛ 2π ⎞
tiempo, si vi (t ) = 0,0423 ⋅ sen⎜ t⎟
⎝T ⎠
⎛ 2π ⎞
h. Idem que el punto anterior si vi (t ) = 0,063 ⋅ sen⎜ t⎟
⎝ T ⎠
Datos: VBEact = VBEsat = 0.7 V, VCEsat = 0.2 V, β = 100, Va=50 V, KT/q (300K)=0,025 V, R1 = 100
KΩ, R2 = 16,3 KΩ, RC = 1 KΩ, RL = 1 KΩ, Vcc = 10 V

Vcc

R1 Rc C

C
Q1
Vo RL
Vi R2

Amplificador

Figura 32
75

2) Para el circuito de la Figura 33, determinar:

a. El punto de polarización del transistor.
b. Los parámetros de pequeña señal hie, hfe y hoe.
c. Dibujar el modelo de pequeña señal del conjunto señal-amplificador-carga a
frecuencias intermedias, suponiendo que los condensadores se han diseñado para
que se comporten como cortocircuitos a dichas frecuencias.
v
d. La ganancia del amplificador Av = o
vi
Datos: VBEγ = -0.5V, VBEact =-0.7V, VBEsat = -0.8 V, VCEsat = -0.2 V, β = 100, Rb = 100 KΩ, RC = 1
K Ω , RL = 1 K Ω

-5 V -10 V

Rb Rc C

C
Q1
Vo RL
Vi

Figura 33

3) El circuito de la Figura 34 representa a un amplificador compuesto por dos transistores bjt, más
una fuente de pequeña señal con una resistencia interna Rs. Se pide:
a. Calcular el valor de la resistencia Rc1 para que Q1 esté polarizado en activa y Q2
justo en medio de la zona activa.
b. Calcular el valor de la resistencia Rc1 para que Q1 esté polarizado en activa y Q2
justo en el límite entre el corte y la zona activa.
c. Dibujar el modelo de pequeña señal del amplificador.
v ⎞
d. Obtener los parámetros AvO = o ⎟⎟ , Ri, Ro.
vi ⎠CA
e. Suponiendo que la señal de entrada, vs(t), es la representada en la figura, dibujar la
tensión instantánea de salida, vO(t), en los casos de polarización a y b.
Datos: VBEact = VBEsat = 0.7 V, VCEsat = 0.2 V, β = 100, hie = 1KΩ, Rb1 = 100 KΩ, Rb2 = 7,6 KΩ,
RC2 = 1 KΩ, RS = 1 KΩ, Vcc = 10 V
 76

Vcc

Rc2 C
Vs(mV)
Rb1 Rc1
Q2 1
C
Rs
1 2 3 4
Q1
Vo (t)
-1
Vs Vi Rb2
-2

Figura 34

4) Suponiendo que los condensadores del amplificador de la Figura 35 se han diseñado para que se
comporten como cortocircuitos a las frecuencias de trabajo, hallar:
a. El valor de la resistencia Rb2, sabiendo que la tensión de colector de polarización es
VC = 5 V.
b. Dibujar el modelo de pequeña señal del amplificador.
v ⎞
c. Obtener los parámetros AvO = o ⎟⎟ , Ri, Ro.
vi ⎠CA
d. Modificar el circuito para conseguir duplicar la ganancia sin variar el punto de
polarización del transistor.
e. Modificar el circuito para conseguir elevar la tensión de polarización VO sin variar
la ganancia del amplificador.
Datos: VBEact = VBEsat = 0.7 V, VCEsat = 0.2 V, β = 100, hie = 1KΩ, Rb1 = 10 KΩ, RC = 3 KΩ, Re1 =
100Ω, Re2 = 50Ω, Vcc = 10 V

5) La Figura 36 se corresponde con un montaje amplificador realizado con un transistor bjt.

a. Teniendo en cuenta que para que funcione correctamente como amplificador se
señal, el transistor debe encontrarse en activa, y suponiendo que Ib es despreciable
frente a Ir, hallar los valores de polarización VB, VE y VC.
b. Dar un orden de magnitud para R, de forma que se cumpla que Ib << Ir. (Considere
por ejemplo, que Ib = 0.01·Ir).
c. Dibujar el modelo de pequeña señal del amplificador, sabiendo que los
condensadores se han diseñado para que se comporten como cortocircuitos a las
frecuencias de trabajo.
v
d. Obtener la amplificación del sistema Av = o
vi
77

e. Si Vi = 5 + K ⋅ sen(ωt ) es la señal instantánea que se aplica en la entrada del

amplificador (K << 5), cuales serán las tensiones instantáneas vB(t), vE(t), vC(t) y
vO(t).
Datos: VBEact = VBEsat = 0.7 V, VCEsat = 0.2 V, β = 100, hie = 1KΩ, Rc = 1 KΩ, Re = 100Ω, Vcc =10V

Vcc

Rc
Rb2 C

C
Q1

Re2 Vo
Vi C
Rb1
Re1

Figura 35

Vcc

Rc
9R C

C Ir
Q1
Vo
Vi R Re
C

Figura 36
 78

Resultados:
1)
a) VBE = 0.7 V, VCE = 5 V, IB = 50 μA, IC = 5 mA
b) hfe = 100, hie = 0,5 KΩ, (hoe)-1 = 10 KΩ

-1
Vi R1//2 hie hfe·ib hoe RC vo RL

c)
d) vo
Av = = −95,3
vi
vo ⎞
e) AvO = ⎟ = −182 , Ri =0,483 KΩ, Ro =0,91 KΩ
vi ⎟⎠CA
f) vo
Av = = −95,3
vi

10
9
vCE(t) vCE(t)

5 5
4
vO(t) vO(t)

0,25T 0,75T T (t) 0,25T 0,75T T (t)

-4
Apd. f -5 Apd. g

g)

2)
a) VEB = 0.7 V, VEC = 5.7 V, IB = 43 μA, IC = 4.3 mA
b) hfe = 100, hie = 0,58 KΩ

Vi Rb hie hfe·ib RC vo RL

c)
vo
d) Av = = −86.2
vi
3)
a) RC1 = 63 KΩ
b) RC1 = 104 KΩ
ib1 C1=B2 ib2 C2
B1

vi Rb1//2 hie hfe·ib1 RC1 hie hfe·ib2 RC2 vo

E1 E1=E2 E2
c)
79

vo ⎞
d) AvO = ⎟ = −10000 , Ri =1 KΩ, Ro =0,88 KΩ
vi ⎟⎠CA

9.36 9.36
vO(t) vO(t)
4.68 4.68

1 2 3 4 (t) 1 2 3 4 (t)

e) Apd. a Apd. b

4)
a) Rb2 = 81 KΩ
ib

hie hfe·ib
vi R1//2 RC vo

RE1

b)
vo ⎞
c) AvO = ⎟ = −30 , Ri =5 KΩ, Ro =3 KΩ
vi ⎟⎠CA
d) Cambiando el condensador de Re2 a Re1.
e) Opciones:
• Aumentar Rb2 => ib baja => ic baja => Vo sube
• Disminuir Rb1 => ib baja => ic baja => Vo sube
• Aumentar Re2 => ic baja => Vo sube

5)
a) VB = 1 V, VE = 0.3 V, VC = 7 V
b) R = 330 Ω
ib

vi 0.9 R hie hfe·ib RC vo

c)
vo
d) Av = = −100
vi
e) V = pequeña señal + componente continua
• Vi = 5 + K ⋅ sen(ωt )
• VB = 1 + K ⋅ sen(ωt )
• VE = 0.3 + 0
• VC = 7 − 100K ⋅ sen(ωt )