El transistor de efecto de campo metal-�xido-semiconductor o MOSFET (en ingl�s

Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para

amplificar o conmutar se�ales electr�nicas. Es el transistor m�s utilizado en la
industria microelectr�nica, ya sea en circuitos anal�gicos o digitales, aunque el
transistor de uni�n bipolar fue mucho m�s popular en otro tiempo. Pr�cticamente la
totalidad de los microprocesadores comerciales est�n basados en transistores
MOSFET.

El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S, Source),

drenador (D, Drain), puerta (G, Gate) y sustrato (B, Bulk). Sin embargo, el
sustrato generalmente est� conectado internamente al terminal de fuente y por este
motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.

El t�rmino 'metal' en el nombre MOSFET es actualmente incorrecto ya que el aluminio

que fue el material de la puerta hasta mediados de 1970 fue sustituido por el
silicio policristalino debido a su capacidad de formar puertas auto-alineadas. Las
puertas met�licas est�n volviendo a ganar popularidad, dada la dificultad de
incrementar la velocidad de operaci�n de los transistores sin utilizar componentes
met�licos en la puerta. De manera similar, el '�xido' utilizado como aislante en la
puerta tambi�n se ha reemplazado por otros materiales con el prop�sito de obtener
canales fuertes con la aplicaci�n de tensiones m�s peque�as.

Un transistor de efecto de campo de puerta aislada o IGFET (Insulated-gate field-

effect transistor) es un t�rmino relacionado que es equivalente a un MOSFET. El
t�rmino IGFET es m�s inclusivo, ya que muchos transistores MOSFET utilizan una
puerta que no es met�lica, y un aislante de puerta que no es un �xido. Otro
dispositivo relacionado es el MISFET