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FICHA TECNICA > DIODO SEMICONDUCTOR

4.1. Corriente promedio máxima que puede circular por el diodo.

40 A

4.2. Voltaje inverso de pico que puede soportar el diodo. 1000V

4.3. Corriente transitoria máxima. 1A

4.4. Rango de temperatura de operación -65to +175°C

4.5. Resistencia térmica. 26° C/W

4.6. Caída de tensión que se presenta en los terminales del diodo cuando éste está en conducción. 0.6V

4.7. Máxima corriente inversa cuando el diodo está polarizado inversamente a temperatura ambiente 5uA

4.8. Material de fabricación del diodo Silicio

4.9. Rango de temperatura de almacenamiento 65to+175°C

4.10.Qué terminal indica la banda de color en el diodo ? CATODO

4.11.Capacitancia de la juntura PN 15Pf

4.12.Peso del diodo 0.0012 onzas,


0.3 gramos

4.13.Diámetro del diodo en milimetros


FICHA TECNICA > BJT

1. Corriente que puede soportar en forma continua el colector. 1.5 A

2. El voltaje colector – emisor. 45V

3. La ganancia ß del transistor cuando la corriente de colector es de 30 mA. 30 m A

4. La temperatura de la juntura. 150° C

5. La corriente que puede soportar el colector en forma transitoria. 0.1 u A

6. El voltaje colector - emisor cuando el transistor está en saturación. 0.5 V

7. La disipación de potencia cuando la temperatura del encapsulado está a la temperatura ambiente. 75° C

8. El código de su transistor complementario. BD136

9. La disipación de potencia cuando la juntura está a 75 ºC.

10. Voltaje base-emisor para que el transistor conduzca.

11. Voltaje colector – base que puede soportar cuando el emisor está desconectado.

12. Voltaje colector – emisor cuando la base no está energizada. 0.5V

13. Voltaje emisor – base cuando el colector está desconectado. 1V

14. La corriente que puede soportar la base. 0.5 A

15. Dónde se usa este transistor. En


Amplificadores
FICHA TECNICA > UJT
FICHA TECNICA > MOSFET

a. Corriente de drenador, a temperatura ambiente, que puede soportar el MOSFET. 8A

b. Máximo voltaje drenador-surtidor que puede soportar el transistor. 500V

c. Resistencia estática entre drenador y surtidor, cuando el transistor está en saturación. 0.75 Ohm

d. Tiempo de conmutación, para pasar a la condición de conducción. 19n S

e. Tiempo de conmutación, para pasar a la condición de bloqueo. 11n S

f. Voltaje gate-surtidor que determina el paso de bloqueo a conducción. 4V

g. Disipación total de potencia. 125W

h. Máxima temperatura de operación de la juntura. 150° C

i. Identificación de sus terminales. GDS

j. Tipo de transistor MOSFET.

k. Temperatura de almacenamiento. -65 to 150°C

l. Máxima corriente en forma de pulsos que puede soportar el drenador. 32A

m. Corriente de drenador que puede soportar a la temperatura de 100ºC 5.1 A

n. Si el factor de derating es de 1,0 W/ºC, la disipación de potencia del MOSFET a la temperatura de 50ºC es :

o. El tiempo de recuperación inversa del diodo que se encuentra entre surtidor y drenador. 420n S

p. El voltaje forward del diodo que se encuentra entre drenador y surtidor.


FICHA TECNICA > SCR

a. Máxima corriente promedio de ánodo que puede soportar el SCR. 120 A

b. Máximo voltaje inverso que puede aplicarse entre ánodo y cátodo. 500 V

c. Mínimo valor de corriente de ánodo que hará que el SCR pase de la condición de conducción, a la condición de bloqueo. 40m A

d. Voltaje entre los bornes ánodo y cátodo cuando el SCR está en conducción. 1.5 V

e. El valor de la velocidad de elevación de tensión al estado ON (dv/dt). 1u S

f. El valor de la velocidad de elevación de la corriente al estado ON ( di/dt ) 1u S

g. Mínimo valor de corriente de ánodo que hará que el SCR pase de la condición de bloqueo, a la condición de conducción. 40m A

h. Corriente de disparo de la compuerta. 15m A

i. Voltaje de disparo de la compuerta.

j. Corriente transitoria que puede soportar en 10 milisegundos. 120 A


FICHA TECNICA > TRIAC

4A

a. Máxima corriente RMS que puede soportar el TRIAC.

b. Máximo voltaje inverso que puede aplicarse entre ánodo 2 y ánodo 1. 600 V

c. Valor típico de la corriente de ánodo que hará que el TRIAC pase de la condición de conducción a la condición de bloqueo en el cuadrante I. 5m A

d. El valor de la velocidad de elevación de tensión al estado ON (dv/dt). 0.25 min

e. La corriente que requiere el gate cuando el TRIAC trabaja en el primer cuadrante. 35m A

f. El valor de la corriente de mantenimiento. 15m A

g. El voltaje que se presenta entre ánodo 1 y ánodo 2 cuando el triac está en conducción. 1.7V

h. La corriente de disparo de la compuerta cuando el triac trabaja en el cuadrante 2. 35m A

i. El valor de la velocidad de elevación de la corriente al estado ON ( di/dt) 50 A

j. ¿En que cuadrante la compuerta o gate del TRIAC requiere mayor corriente?

k. El voltaje disparo de la compuerta. 1.5 V

l. La identificación de sus terminales ánodo 1, ánodo 2 y gate.

m. La corriente de pico no repetitiva en el estado ON durante 20 milisegundos. 25 A

n. Temperatura de operación de la juntura. o. Resistencia térmica de la juntura a la base de montaje. 3 KW