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Transistor de Efecto de Campo, de Unión (JFET) PDF
Transistor de Efecto de Campo, de Unión (JFET) PDF
TEORIA PREVIA
El transistor de efecto de campo (JFET) tiene las siguientes ventajas y desventajas con
respecto del transistor bipolar
VENTAJAS
- su impedancia de entrada es extremadamente alta (típicamente 100M Ω o más).
- Su tamaño físico es aproximadamente un 20 o 30% del espacio que ocupa un BJT.
Esto lo hace idóneo para su integración en gran escala, sobre el MOSFET que es
más pequeño que el JFET.
- Su consumo de potencia es mucho más pequeña que la del BJT.
- Su velocidad de conmutación es mucho mayor que la del BJT.
- Es menos ruidoso que el BJT, esto lo hace idóneo para amplificadores de alta
fidelidad.
- Es afectado en menor grado por la temperatura.
DESVENTAJAS
CONSTRUCCIÓN
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Ing. José Manuel Glez. Rojas Notas de la Clase de Electrónica II
FUNCIONAMIENTO
El canal n se comporta como una resistencia cuyo valor depende del voltaje existente entre
D y S. Cuando VDS llega a ser lo suficientemente grande la corriente iDS comienza a ser
constante, VDS puede incrementarse hasta BVDS0 (punto en el que ocurre el rompimiento
por avalancha), la nomenclatura significa “voltaje de ruptura entre D y S con VGS = 0”.
La curva que se obtiene para cuando se mantiene en corto las terminales de Gate y Source,
mientras varia el voltaje entre Dren y Source, es la siguiente:
NOTA: Como el canal N se comporta como una resistencia a medida que se incrementa
VDS, entonces el mismo potencial presente en el canal hace que se forme una región de
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Ing. José Manuel Glez. Rojas Notas de la Clase de Electrónica II
agotamiento o campo eléctrico que va incrementándose en intensidad hasta que se cierra
por completo en el punto A, cualquier aumento posterior en la tensión VDS mantendrá al
potencial de A con respecto de tierra constante, razón por la cual la corriente iDS comienza
a ser constante.
El voltaje VGS es negativo en los FET`S de canal N, esto para controlar la anchura del
canal, a medida que se incrementa VGS negativamente se origina una región de agotamiento
entre compuerta y fuente que va reduciendo la corriente iDS gradualmente:
Denotaremos por VPX a un voltaje cualquiera producido bajo la condición de un voltaje VGS
de valor “x” y en el cual la corriente comienza a hacerse constante (saturarse). La relación
existente entre el nuevo VPX y cualquier VGS es:
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Ing. José Manuel Glez. Rojas Notas de la Clase de Electrónica II
VPX = Vpo + VGS
El canal se cierra por completo cuando VGS = VGsoff, en este momento la corriente iDS es
aproximadamente cero.
CURVA DE TRANSCONDUCTANCIA
2
⎛ v ⎞
iDS = I D SS ⎜ 1 − GS ⎟⎟
⎜ V
⎝ GSoff ⎠
2
⎛ ⎞
ó iDS = IPO iDS = I PO ⎜ 1 + vGS ⎟
⎝ VPO ⎠
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EJERCICIO:
2
⎛ v ⎞
iDS = 5mA ⎜ 1 − GS ⎟
⎝ −6 ⎠
2
⎛ v ⎞
iDS = 5mA ⎜ 1 + GS ⎟
⎝ 6 ⎠
2.- Obtener la corriente entre drenador y fuente para los siguientes voltajes compuerta-
fuente.
VGS 0V -2 -4 -6 -8
iDS 5mA 2.22mA .555mA 0 .555mA
El resultado iDS = .555mA para VGS = -8 no existe ya que para el funcionamiento del FET
es solo media parábola.
3.- Calcular la impedancia de entrada de este dispositivo cuando VGS = -15V a temperatura
ambiente y a 100º C.
VGS −15V
Z i 25D C = =
I GSS 1nA
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Zi = 15GΩ
T2-T1
I GSS 100 C = Zi ( 25D C ) =2 10
−15V
Zi (100D C ) =
181nA
Zi (100D C ) = 83M Ω
TRANSCONDUCTANCIA EN UN PUNTO
Si derivamos la ecuación de la curva de transconductancia se obtendrá el valor de la
conductancia en un punto en particular sobre la curva llamado gm:
2
⎛ V ⎞
∂I DSS ⎜ 1 − GS ⎟⎟
∂iDS ⎜ V
gm = = ⎝ GSoff ⎠
∂VGS ∂VGS
2 I DSS ⎛ V ⎞
gm = ⎜⎜ 1 − GS ⎟⎟
−VGSoff ⎝ VGSoff ⎠
gm indica que tanto control tiene el voltaje de entrada VGS sobre la corriente de salida:
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En la figura se observa como para un mismo incremento de VGS se obtienen diferentes
amplitudes de corriente.
Q2 tiene mayor pendiente, es decir mayor conductancia, por lo tanto hay un mayor control
de iDS para el mismo VGS.
POLARIZACIÓN FIJA
Al igual que en el BJT, la malla de entrada es la que polariza al JFET, en este caso la malla
de compuerta. Cabe mencionar que para este dispositivo la corriente de reposo es fijada por
el voltaje de compuerta.
ANALISIS
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Ing. José Manuel Glez. Rojas Notas de la Clase de Electrónica II
ANÁLISIS EN LA MALLA DE COMPUERTA
VGS = -VGG
Esta recta se muestra en la siguiente figura, la cual queda representada por una recta
vertical a lado izquierdo del eje de la corriente.
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VDD − VDS
iDS =
RD
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SOLUCIÓN
−1 ⎞
2
⎛
IDSQmax = 20mA ⎜1 − ⎟ = 13.89mA
⎝ −6⎠
−1 ⎞
2
⎛
IDSQmin = 8mA ⎜1 − ⎟ = 2mA
⎝ −2⎠
∆IDSQ = 11.9mA
AUTOPOLARIZACIÓN
V RG + V GS + V RS = 0
VGS + RS iDS = 0
VGS
iDS = −
RS
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A esta ecuación se le conoce como ecuación de la recta de polarización. Esta recta tiene
pendiente negativa y pasa por el origen, como se observa en la siguiente figura:
La recta ofrece las mejores condiciones tales que no compromete la inestabilidad y los
valores de transconductancia, es decir, no se sacrifican una u otra.
La recta produce buena estabilidad del punto de operación, sin embargo produce
valores de g m bajos que se traducen en una baja ganancia de corriente.
Generalmente muchos diseñadores optan por el tipo de polarización dado por la recta
Este tipo de polarización es mejor que la polarización fija ya que el punto de operación es
más estable.
En la recta la RS puede llamarse óptima ya que esta recta pasa por el centro de una de
las curvas de transconductancia.
V G S o ff
RS =
I D SS
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I DSQ = 0.382 I DSS
VGSQ = 0.382 VGSoff
2
⎛ V ⎞
iDS = I DSS ⎜1 − GS ⎟
⎜ V ⎟
⎝ GSoff ⎠
Normalizando:
2
iDS ⎛ V ⎞
= ⎜1 − GS ⎟
I DSS ⎜⎝ VGSoff ⎟
⎠
iDS V
= GS = K
I DSS VGSoff
∴
K = (1 − K )
2
K = 1 − 2K + K 2
K 2 − 3K + 1 = 0
K1 = −0.382
K 2 = 2.48
i
Como: K = DS ó iDS = K1 I DSS
I DSS
K1 = 0.382 .
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ANÁLISIS EN LA MALLA DE DREN
VDD − vDS
iDS =
RD + RS
EJERCICIO: Polarizar el FET de la figura de tal modo que el punto de operación se ubique
a la mitad de la curva de transconductancia y a la mitad de la recta de polarización.
Calcular además el valor de g m en el punto de operación.
Solución:
VGSoff
RS =
I DSS
RS = 214Ω ≈ 220Ω
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VRD
RD =
I DSQ
RD = 900Ω
RG se propone de un valor de tal modo que se aproveche la alta impedancia del JFET.
En este caso se propone de:
RG = 1MΩ
⎛
2 I DSS ⎞
gm = ⎜1 − VGS ⎟
⎜ V
− VGSoff ⎟
⎝ GSoff ⎠
2(14mA) ⎛ − 1.5 ⎞
gm = ⎜1 − ⎟
− (− 3) ⎝ −3 ⎠
g m = 5768µS
VGG − vGS
iDS =
RS
VGG
Es una recta con pendiente negativa y con la ordenada en el origen a como se observa
RS
en la figura:
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De la figura puede observarse que este tipo de polarización es mejor que las dos anteriores
debido a que ∆ I DSQ es menor, sin embargo para conseguir esto es necesario aplicar valores
elevados de VDD para que VGG sea lo más grande posible y asi el punto de operación sea
más estable.
EJERCICIO: Polarizar un JFET por divisor de tensión y de tal modo que se cumplan los
siguientes datos:
Punto de operación a la mitad de la recta de carga y a la mitad de la curva de
transconductancia, el voltaje de alimentación VDD = 12V y calcular el valor de g m en el
punto de operación.
Solución:
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Se elige arbitrariamente VGG = 2 V
I DSQ = 0.382 I DSS = 3.06mA
VGSQ = 0.382VGSoff = −1.91V
VGG − VGSQ
I DSQ =
Rs
VGG − VGSQ 3.91V
Rs = =
I DSQ 3.06mA
Rs = 1278Ω
RG
R1 = Eligiendo RG = 1MΩ
VGG
1−
VDD
R1 = 1.2 MΩ
VDD
R2 = RG
VGG
R2 = 6 M Ω
EJERCICIO: Para cada uno de los circuitos de polarización con FET, determinar el punto
de operación.
a)
Solución:
El punto de operación se obtiene analíticamente a partir de la intersección de la curva de
transconductancia con la recta de polarización.
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2
⎛ V ⎞
iDS = I DSS ⎜1 − GS ⎟
⎜ V ⎟
⎝ GSoff ⎠
V − VGS
iDS = GG
Rs
2
VGG − VGSQ ⎛ V ⎞
= I DSS ⎜1 − GSQ ⎟
Rs ⎜ V ⎟
⎝ GSoff ⎠
VGG − VGSQ
2
2VGSQ VGSQ
= 1− + 2
RsI DSS VGSoff VGSoff
1 ⎛ 1 2 ⎞
VGSQ + ⎜ − ⎟VGSQ + 1 = 0
2
2 ⎜ RsI VGSoff ⎟
VGSoff ⎝ DSS ⎠
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− 0.604 ± (− 0.604)2 − 4(0.0625)
VGSQ =
2(0.0625)
VGSQ1 = −7.546V
VGSQ 2 = −2.12V
Este último valor de VGSQ es el correcto ya que para el otro, el canal estaría cerrado por
completo e I DSQ = 0 .
VRS − VGSQ
I DSQ = =
Rs Rs
I DSQ = 1.767mA
o de otra manera
− 212 ⎞
2
⎛
I DSQ = 8mA⎜1 − ⎟
⎝ −4 ⎠
I DSQ = 1.767mA
2 I DSS ⎛ V ⎞
gm = ⎜1 − GSQ ⎟
− VGSoff ⎜ V ⎟
⎝ GSoff ⎠
g m = 1880µS
VDSQ = 4.05V
b)
DATOS
VDD = 12V
I DSS = 6mA
VGS OFF = −3V
rds = 25K Ω
R1 = 100 K Ω
R2 = 1M Ω
RS = 1K Ω
RD = 1.6 K Ω
rs = 50Ω
RL = 1.2 K Ω
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La curva de transconductancia es:
2
⎛ V ⎞
iDS = I DSS ⎜1 − GS ⎟
⎜ V ⎟
⎝ GSoff ⎠
2
VGG − VGSQ ⎛ VGSQ ⎞
= I DSS ⎜1 − ⎟
Rs ⎜ V ⎟
⎝ GSoff ⎠
VGG − VGSQ
2
2VGSQ VGSQ
=1− + 2
I DSS Rs VGSoff VGSoff
Reacomodando:
1 ⎛ 1 2 ⎞⎟ VGG
V
2
+ ⎜ − V + 1 − =0
2 GSQ
⎜ RsI ⎟ GSQ
VGSoff ⎝ DSS VGSoff ⎠ I DSS RS
ax2 + bx + c
1 1
a= 2
=
VGSoff 9
1 2
b= − = 0.833
RsI DSS VGSoff
VGG
c =1−
I DSS Rs
R1
VGG = VDD
R1 + R2
VGG = 1.091
c = 0.818
VGSQ 2 = −1.16V
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VGG − VGSQ
I DSQ =
Rs
1.091 − (− 1.16)
I DSQ =
1000
I DSQ = 2.25mA
VDSQ = 6.15V
2 I DSS ⎛ V ⎞
gm = ⎜1 − GSQ ⎟
VGSoff ⎜ V ⎟
⎝ GSoff ⎠
g m = 2451µS
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