Aplicación de amplificadores de potencia y
dispositivos de 4 Capas.
Vargas Calo Néstor David
Escuela Politécnica Nacional
nestor.vargas@epn.edu.ec
Objetivos:
• Diseñar Realizar un circuito de aplicación con
amplificadores de potencia.
• Realizar un circuito de aplicación con dispositivos de 4
capas.
I. PREPARATORIO
A. Consultar los tipos de amplificadores de potencia (tipo A,
AB, B, C, D).
Fig. 1. Clasificación de las etapas de salida: a) clase
A, b) clase B, c) clase AB, d) clase C.
Clase A
Un amplificador clase A se polariza y conduce corriente
de manera continua.
La polarización se ajusta para que la entrada haga variar
la corriente del colector en una región lineal de la
característica del transistor. En consecuencia, su salida es
una reproducción lineal amplificada de la entrada. Son
amplificadores de potencia ineficaces que se usan como
amplificadores de voltaje de señales pequeñas o para
amplificadores de baja potencia. Su desventaja es que aún
con señal nula disipa una cantidad considerable de
potencia.
El funcionamiento en clase A se lleva a cabo, íntegramente,
dentro de la región activa, comprendida entre el corte y la
saturación del dispositivo, sin llegar a salirse de ella en
ningún momento. El punto de trabajo de reposo se fija en
el punto medio entre los puntos de corte y
saturación de la recta de carga.
Características
- Ángulo de conducción: 360º
- Baja distorsión
- Bajo rendimiento (se desperdicia mucha potencia)
Clase AB
Un amplificador clase AB se polariza cerca del corte con
cierto flujo de corriente continuo del colector. También se
usa en amplificadores push-pull y proporciona una
linealidad mejor que un amplificador clase B, pero con
menos eficiencia. Esta configuración es una variante de la
etapa de tipo B en la que se sacrifica la disipación de una
pequeña cantidad de potencia cuando opera sin señal, a
cambio de evitar la zona muerta de respuesta.
Esta clase sigue requiriendo de una conexión en
contrafase, para obtener un ciclo completo de salida, sin
embargo, el nivel de polarización de DC es, por lo general,
más cercano al nivel de corriente de base cero, para una
mejor eficiencia de potencia.
Características
- Ángulo de conducción entre 180º y 360º
- Presenta distorsión (mayor que en la clase A)
- Mayor rendimiento que la clase A
- Para tener una señal de salida se 360º se necesita de un
montaje en contrafase.
Clase B
Un amplificador clase B se polariza en corte de modo que
cuando en el colector la entrada es cero no fluye corriente.
El transistor sólo conduce la mitad de la entrada de onda
senoidal. En otras palabras, conduce en 180° de una
entrada de onda senoidal. Esto significa que sólo se
amplifica la mitad de la onda senoidal. Por lo común, en
una configuración push-pull se conectan dos
amplificadores clase B de modo que la alternación positiva
y la negativa se amplifican en forma simultánea. En estas
etapas no se produce disipación de potencia cuando la
señal es nula. Puesto que la corriente de colector es
proporcional a la amplitud de la señal de entrada, la clase
 B proporciona amplificación sensiblemente lineal,
mientras esté conduciendo el transistor. Esta componente
lineal siempre está presente a la salida, y será
aprovechable como señal amplificada, aunque el hecho de
que se produzca una interrupción de la señal durante el
medio ciclo negativo provoca la aparición de fuertes
componentes armónicos (en especial
Fig. 2. Transistor BD 135.
pares).
.
Características
- Ángulo de conducción: 180º
- Presenta mayor distorsión que la clase AB
C. Consultar las características y forma de polarizar del
amplificador operacional LM741.
- Mayor rendimiento que la clase AB
- Si se necesita que la señal de salida sea de 360º se
requiere un montaje en contrafase. TABLA II
CARACTERÍSTICAS MÁS IMPORTANTES DEL AMPLIFICADOR LM741
SÍMBOLO PARÁMETRO VALOR UNIDADES
Clase C Tensión de alimentación
VCEO 45-60-80 Vdc
VCBO Tensión de entrada diferencial 45-60-100 Vdc
VEBO Voltaje de entrada 5.0 Vdc
IC Duración de cortocircuito de 1.5 Adc
salida
ICP Disipación de energía 3 Adc
PD Rango de temperatura de 1.25 Watts
funcionamiento
LM741C 10 mW/°C
Se encuentra polarizado en una zona de respuesta no LM741I
lineal, de forma que los dispositivos activos sólo conducen TJ, TSTG Rango de temperatura de 150, °C
almacenamiento
en una fracción reducida del periodo de la señal, es decir, -55 a 150
VIO Voltaje de compensación de 2 mV
menos de 180° del ciclo. De esta forma se consiguen entrada
rendimientos máximos, aunque se necesitan IIO Corriente de desplazamiento 20 nA
de entrada
elementos reactivos que acumulen la energía durante la Resistencia de entrada
RI 2 MΩ
conducción y la liberen en el resto del ciclo en el que el
ISC Corriente de cortocircuito de 25 mA
dispositivo no conduce, es decir, operará solamente con un salida
circuito de sintonización (resonante), el cual proporciona CMRR Relación de rechazo en modo 90 dB
común
un ciclo completo de operación para la
TR Respuesta transitoria 0.3 µs
frecuencia sintonizada o resonante. Esta clase de Tiempo de subida
operación es, por tanto, utilizada en áreas especiales de Consumo de energía
PC 50 mW
circuitos de sintonización, tales como radio o
comunicaciones (amplificación de señales de banda muy
estrecha).
Características
- Ángulo de conducción menor a 180º
- Presenta mayor distorsión que la clase B
- Mayor rendimiento que la clase B
- No es posible utilizar montaje en contrafase

B. Consultar las características del transistor BD 135 o un Fig. 1. Diagrama interno del amplificador operación
equivalente LM741

TABLA I
CARACTERÍSTICAS MÁS IMPORTANTES DEL TRANSISTOR BD135
SÍMBOLO PARÁMETRO VALOR UNIDADES
D. Realizar la simulación del circuito del ANEXO 1.
VCEO Voltaje colector-emisor 45-60-80 Vdc Con una señal de entrada senoidal de 50 mV a una
VCBO Voltaje colector-base 45-60-100 Vdc frecuencia de 1 kHz
VEBO Voltaje emisor-base 5.0 Vdc
IC Corriente de colector 1.5 Adc
ICP Corriente de colector (Pulso) 3 Adc
Disipación total del
Ver anexo 1
PD 1.25 Watts
dispositivo
@ TA = 25 ° C 10 mW/°C
Derivación por encima de 25 °
C
TJ, TSTG Empalme de operación y 150, °C
almacenamiento
Rango de temperatura -55 a 150
 II. ANEXOS c) Simulación del diseño de la fuente rectificadora con
transformador en Proteus.
ANEXO 1. d) Graficas
Simulaciones del literal C Amarillo: Voltaje de entrada
Verde: Voltaje de salida

III. REFERENCIAS
[1] Antonio Calderón, “Circuitos electrónicos”, Escuela Politécnica
Nacional, Ecuador, 2007.
[2] BOYLESTAD, ROBERT L. y NASHELSKY, LOUIS.
Electrónica: “Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos”,
PEARSON EDUCACIÓN, México, 2009.
[3] Fairchild Semiconductor, BF135 Datasheet, [Disponible en la
red]: http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-
pdf/view/50768/FAIRCHILD/BD135.html
[4] Fairchild Semiconductor, BF135 Datasheet, [Disponible en la
a) red]: http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-
pdf/view/170960/FAIRCHILD/LM741.html
[5] Qucs (Versión 0.0.19) [Software]. (2016)
[6] Proteus (Versión 8.6) [Software]. (2017).
1

1k
2

Q2
2N3904
A

1N4001 C
Q3
1

BD135 D

15V
2

1N4001

SPEAKER 8OHMS
2

1 2
33k 1N4001 SPEAKER
150k
U1 Q4
4
5

2N3906
1

1 2 2 Q1
1K 6 2N3904 Q5
3 BD135
10uF
2

VSINE
7
1

LM741

1K
220
1

b)

C)

Fig. 1. a) Simulación en Qucs.

b) Simulación en Proteus.