El diodo PIN se compone de regiones P y N altamente dopadas separada por una región

intrínseca “I”. Esta zona le proporciona unas características adecuadas para funcionar en
RF como una resistencia variable controlada por la corriente.
La presencia de la región intrínseca provoca que la distribución de carga espacial positiva
y negativa se sitúen en ambos lados de dicha región, como se muestra en la figura 1 (a),
esto debido al trasvase de huecos de la región P, y de los electrones de la región N a la
región intrínseca. Asimismo, desde la región intrínseca existe un trasvase de electrones a
la región P y de huecos a la región N.
La región intrínseca tiene una alta resistividad y cuando el diodo se polariza en directa la
inyección de huecos y electrones no se anulan inmediatamente, tardan un tiempo,
(llamado tiempo de vida de portador “τ”), que es lo que permite que el diodo no sea capaz
de responder a una señal de RF como lo hace un diodo rápido. Estos electrones y huecos
forman una carga temporal cuyos efectos son reducir la resistencia de la zona I. Cuanto
mayor es esta carga menor es la resistencia efectiva que presenta el diodo. Además, el
tiempo τ determina a partir de qué frecuencia el diodo deja de ser un diodo para
convertirse en una resistencia.
Hay otras características a tener en cuenta en los diodos PIN, cuando estos se polarizan
en inversa anulan la carga en la zona intrínseca y por tanto se forma un condensador
cuya capacidad depende del área de la superficie de las zonas P y N dividida por la
distancia que las separa o ancho de la zona intrínseca. Esto hace que un diodo PIN tenga
mucha menor capacidad que un diodo de conmutación normal.
En general, el campo eléctrico en la unión en los diodos PIN es menor que en los diodos
PN. Este hecho hace que los diodos PIN puedan soportar voltajes en inverso elevados sin
alcanzar la región de ruptura. Además, la baja capacidad asociada a la región de
agotamiento permite que los diodos PIN puedan ser usados en circuitos osciladores de
frecuencias elevadas.

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Fig 1 Variación de (a) la carga espacial p(x), (b) Campo Eléctrico E(x), (c) Potencial V(x) a lo largo de la
unión del diodo PIN en equilibrio (sin tensión aplicada).