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CARRERA DE INGENIERÍA AUTOMOTRIZ

NOMBRE: WILMER QUINGA


ASIGNATURA: ELECTRÓNICA ANALÓGICA
CONSULTA N°1
TRANSISTORES
TRANSISTORES FET

Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así porque
la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos
positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones, pero
tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante
baja.

Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la
familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son
unipolares. Se llama transistor de efecto campo.

Combinación de portadores.

Puesto que hay una tensión positiva entre el drenador y el surtidor, los electrones fluirán
desde el surtidor al drenador (o viceversa según la configuración del mismo), aunque hay que
notar que también fluye una corriente despreciable entre el surtidor (o drenador) y la puerta,
ya que el diodo formado por la unión canal – puerta, esta polarizado inversamente.

En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde inicialmente los huecos fluyen
hacia la terminal negativa de la batería y los electrones del material N, fluyen hacia el
terminal positivo de la misma. Lo anteriormente dicho se puede aplicar al transistor FET,
en donde, cuando se aumenta VDS aumenta una región con empobrecimiento de cargas
libres

ELEMENTOS O TERMINALES.

Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de material p ó n,
llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que
forma con el canal una unión p-n.
En los extremos del canal se hacen sendas conexiones óhmicas llamadas respectivamente
sumidero (d-drain) y fuente (s-source), más una conexión llamada puerta (g-gate) en el
collar.
TRANSISTOR MOSFET

En un transistor Canal N, el sustrato es de semiconductor tipo p, este se conecta de manera interna a


la terminal de la fuente. La fuente y drenaje, están conectadas a un material tipo n a través de un
contacto metálico, sin embargo, en este caso no tenemos un canal que conecte estas terminales. La
compuerta, sigue conectada a una placa metálica, separada al material del sustrato por un oxido de
silicio, con propiedades dieléctricas. A continuación, se observan los transistores MOSFET de
enriquecimiento canal N y canal P.

¿CUÁL TRANSISTOR ES MÁS UTILIZADO?

En conclusión, de la comparativa FET vs MOSFET tenemos que los MOSFET de manera


general son mas populares y utilizados en la electrónica hoy en día. Uno de los parámetros
más importantes es debido a su mayor impedancia, consumen menos corriente, por lo tanto,
menos potencia. Si observamos el panorama global y vemos los circuitos integrados, nos
daremos cuenta que prácticamente todos se basan en MOSFET. Sin embargo, existe todavía
un nicho de mercado para los FET, se implementan cunado requieres además de un bajo
ruido una tolerancia alta ante radiación y temperatura (usados en aplicaciones de alta
confiabilidad).

BIBLIOGRAFIA

https://hetpro-store.com/TUTORIALES/jfet-vs-mosfet

http://www.simbologia-electronica.com/simbolos-electricos-electronicos/simbolos-
transistores-mosfet.htm