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(+1/2,+1/2,+1/2) (+1/2,+1/2,0)
(+1,0,0)
(+1/2,0,+1/2)
(0,+1/2,+1/2)
bcc fcc
Sistemas Cristalinos
Projeção para a estrutura de sulfeto de silício
(SiS2).
Hexagonal (hcp)
ABA
cúbica (ccp)
ABC
Sistemas Cristalinos
Cálculo do espaço ocupado numa célula ccp
(igual para hcp)
Buraco octaédrico
0.414r
Buraco tetraédrico
0.225r
Sistemas Cristalinos
Buracos (lacunas) no empacotamento compacto
Buraco octaédrico (N)
hcp ccp
Sistemas Cristalinos
Buracos (lacunas) no empacotamento compacto
Buraco tetraédrico (2N)
hcp
ccp
Sistemas Cristalinos
Estruturas dos elementos metálicos à
temperatura ambiente.
Densidade:
-ósmio: 22.61 g/cm3
-tungsténio: 19.25 g/cm3
-chumbo: 11.3 g/cm3
Empacotamento compacto
Outros arranjos
O empacotamento (hcp ou ccp) que o metal
adota depende de:
- estrutura eletrónica dos seus átomos
- interação com os segundos vizinhos mais próximos
- caracter direcional da ligação
- A formação de defeitos é
geralmente endotérmica, pois
é necessário romper a rede.
- A componente entrópica
aumenta à medida que os
defeitos se formam.
Exemplos:
Ao incorporar baixas quantidades de Cr na
estrutura de Al2O3 produz o (mineral) rubi,
enquanto a substituição de Al por Fe e Ti origina
a safira (cor azul).
A introdução de um Ca2+ numa rede de ZrO2
produz uma lacuna no O2-
Entalpia de rede
É obtida a partir de dados empíricos de entalpia
usando um ciclo de Born-Haber. Define-se como:
variação da entalpia molar padrão que
acompanha a formação de um gás de iões a
partir do sólido.
MX(s) ⟶ M+(g)+X-(g) Á LHo
Entalpia de formação padrão
M(s)+X(s,l,g) ⟶ MX(s) Á f Ho
Entalpia de atomização padrão
M(s) ⟶ M(g) Á atomHo (sólidos: sublimação)
X2(g) ⟶ 2X(g) Á disHo (gases: dissociação)
Entalpia de ionização/ganho de eletrão padrão
M(g) ⟶ M+(g)+1e-(g) Á ionHo
X(g)+1e-(g) ⟶ X-(g) Á geHo
Entalpia de rede
Exemplo: KCl
Propriedades elétricas
Isoladores e condutores
A condução de uma corrente elétrica em
sólidos resulta da existência de um
grande número de eletrões
deslocalizados, i.e., que não estão
confinados a um único átomo.
Podemos medir a condução em termos
da condutividade (condutibilidade, σ /S
cm-1, i.e., siemen por centímetro)
eléctrica que é o inverso da
resistência.
Dividimos materiais em:
Isoladores (log σ ≤ ca -6)
Condutores (log σ ≥ ca 2)
Propriedades elétricas
Metais condutores: é uma substância com
condutividade elétrica que diminui com
o aumento de temperatura.
Semi-condutor: é uma substância com
uma condutividade elétrica que aumenta
com o aumento da temperatura.
Exemplos
Semicondutor
intrínseco
Dopagem
Ga 4s2 4p1 tipo p
Cátodo
Ânodo
Laser de GaAs
preparado utilizando uma junção
Ga-As (pn)
Supercondutores
Para alguns sistemas a resistência é
zero abaixo de uma temperatura
crítica e a matéria é completamente
diamagnética.
Exemplo: mercúrio (T < 4 K)
Cooper pairs e o efeito de
Meissner
A descrição das
propriedades de
supercondutores
envolve pares ligados
de eletrões de spins
diferentes (“Cooper
pairs”); Leon Cooper,
1956.
Quando temos um
íman em cima do
super-condutor
existe levitação
magnética: o efeito
Supercondutores de alta
temperatura
Há grande interesse para aplicações práticas
(por exemplo em comboios de alta
velocidade, ou aplicações biomédicas,
SQUID-superconducting Quantum
Interference Device) ter supercondutores
com temperatura de transição acima de 77 K
(ponto de ebulição de azoto líquido)