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UNIVERSIDAD NACIONAL DE

HUANCAVELICA
FACULTAD DE INGENIERÍA
ELECTRÓNICA-SISTEMAS
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA
ELECTRÓNICA
(creada por la ley N° 252859)
Tema:trabajo de polarisacion de bjt
Trabajo individual
Asignatura: DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
Ciclo: v
Semstre:2019 I
ALUMNO:RONY ROYER, PALOMINO
RODRIGUEZ
DOCENTE: DR ROSARIO VILLAREAL,Marco
aurelio

Pampas-2019
TRABAJO DE POLARISACION DE BJT
1). solución
Se aplica una 𝑰𝑩 = 𝟓𝟎𝝁𝑨 y en 𝑹𝑪 hay una caída de 𝟓𝒗. Determinar:
solución

a)𝑰𝑪
b) 𝑰𝑬
c)𝑽𝑪𝑬
c)𝜷𝒄𝒅
HALLANDO VOLTAJE VBB
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵
𝑉𝐵𝐵 − 0.7
50𝑢𝐹 =
100𝐾Ω
𝑉𝐵𝐵 − 0.7
50𝑢𝐹 =
100𝐾Ω
𝑉𝐵𝐵 = 5.7𝑉
HALLANDO IC
5.7 + 0.7 = 𝐼𝐶 𝑋100𝐾Ω
0.064𝑚𝐴 = 𝐼𝐶
HALLANDO B
𝐼𝐶 = 𝐼𝐵 𝑋𝐵
0.064𝑚𝐴 = 50𝑢𝑚𝐴𝑋𝐵
128 = 𝐵
HALLANDO IE
𝐼𝐸 = (1 + 𝐵)𝐼𝐵
𝐼𝐸 = (1 + 128)50𝑢𝐴
𝐼𝐸 = (129)50𝑢𝐴
𝐼𝐸 = 0.00258𝑚𝐴
HALLANDO VCE
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶
𝑉𝐶𝐸 = 7𝑉 − 0.064𝑚𝐴𝑋1𝐾Ω
𝑉𝐶𝐸 = 6.36𝑉
HALLANDO 𝑩𝑪𝝀
𝐼𝐶
𝐵𝐶𝜆 =
𝐼𝐵
0.064𝑚𝐴
𝐵𝐶𝜆 =
50𝑚𝐴
𝐵𝐶𝜆 = 0.28
2) Se muestra el circuito. Determinar
solución
a) 𝐼𝐵
b) 𝐼𝐶
c) 𝐼𝐸
d) 𝛽𝑐𝑑
HALLANDOPRIMERO IB
TAMBIEN B
𝐼𝐶 = 𝐵𝐼𝐵
85 = 𝐵
𝑉 = 𝐼𝐵𝑋𝑅𝐵
4𝑉
= 𝐼𝐵
100
0.04𝐴 = 𝐼𝐵
HALLANDO IC
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶
𝐼𝐶 =
𝑅𝐶
24 − 8𝑉
𝐼𝐶 =
470
𝐼𝐶 = 0.034

HALLANDO IE
𝐼𝐸 = (1 + 85)𝑋0.04
𝐼𝐸 = 3.44𝐴
HALLANDO 𝑩𝑪𝝀
𝐼𝐶
𝐵𝐶𝜆 =
𝐼𝐵
0.034𝐴
𝐵𝐶𝜆 =
0.04𝐴
𝐵𝐶𝜆 = 0.85

3) Se muestra el circuito. Determinar:

solución

a) 𝑉𝐶𝐸
b) 𝑉𝐵𝐸
c) 𝑉𝐶𝐵
d) 𝑆𝑖 𝑒𝑠𝑡á 𝑠𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑑𝑜.

HALLANDO PRIMERO 𝑰𝑬 𝒀 𝑰𝑩
−3𝑉 − 0.7
𝐼𝐵 =
27𝐾Ω
𝐼𝐵 = 1.37𝐴
𝐼𝐶
𝐵𝐶𝜆 =
𝐼𝐵
𝐼𝐶
125 =
1.37
𝐼𝐶 = 0.71𝑚𝐴
HALAANDO 𝑽𝑪𝑬
VCE = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶
VCE = −8𝑉 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶
𝑉𝐶𝐸 = −8𝑉 − 0.071𝑚𝐴𝑋390
VCE = −8.027
HALLANDO 𝑽𝑩𝑬
−8𝑉 − 𝑉𝐵𝐸
1.37 =
4.7𝐾Ω
1.37𝑋4.7𝐾Ω = VCE
6.44 = VCE
D) no entra en saturación por los voltajes obtenidos de forma negativa.
4) Se muestra el circuito. Determinar:
solución
a) 𝐼𝐵
b) 𝐼𝐶
c) 𝐼𝐸

HALLANDO 𝑰𝑩
3𝑉 − 0.7𝑉
𝐼𝐵 =
20𝐾Ω
𝐼𝐵 = 0.115𝐴
HALLANDO 𝑰𝑪
𝐼𝐶 𝜆𝐶𝜆
=
𝐼𝐵 1 − 𝜆𝐶𝜆
𝐼𝐶 0.98
=
0.115 1 − 0.98
0.98𝑋0.115
𝐼𝐶 =
0.02
𝐼𝐶 = 0.05635𝑚𝐴
HALLANDO 𝑰𝑬
𝐼𝐵 = 𝐼𝐸 − 𝐼𝐶
0.115 = 𝐼𝐸 − 0.05635𝑚𝐴
0.17135𝑚𝐴 = 𝐼𝐸
5) Se muestra el circuito. Determinar:
Solución
a) 𝑉𝐶
b) 𝑉𝐵
c) 𝑉𝐸
d) 𝑉𝐶𝐸
e) 𝑉𝐵𝐸
f) 𝑉𝐵𝐶

HALLANDO 𝑰𝑪
9.3𝑉
𝐼𝐶 =
10𝐾Ω
𝐼𝐶 = 0.93𝑚𝐴
HALLANDO 𝑽𝑪𝑪
𝑉𝐶𝐶 = 11.70 + 9.3𝑉
𝑉𝐶𝐶 = 20𝑉
HALLANDO 𝑽𝑬
𝑉𝐸 = 10𝑉 − 0.7𝑉
𝑉𝐸 = 9.3𝑉
HALLANDO 𝑽𝑪𝑬
𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐸
20𝑉 = 𝑉𝐶𝐸 + 9.3𝑉
11.7𝑉 = 𝑉𝐶𝐸
𝟏𝒎𝑾
6) El factor de corriente de disipación de potencia de un transistor es . La
°𝑪
𝑷𝑫(𝐦𝐚𝐱) = 𝟎. 𝟓𝒘 𝒂 𝑻 = 𝟐𝟓°𝑪. Hallar:

𝑃𝐷(𝑚𝑎𝑥)=?𝑎 𝑇=100°𝐶

7) El transistor tiene un 𝜷𝒄𝒅 = 𝟓𝟎. Calcular:


solución

a) 𝑅𝐵 =? 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑄1 = 𝑠𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛, 𝑐𝑢𝑎𝑛𝑑𝑜 𝑉𝐸𝑅𝑇 = 5𝑣


b) 𝑉𝐸𝑁𝑇 =? 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑄1 = 𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒.

8) ¿Cuál es el problema más probable, en caso de haber alguno en cada


circuito mostrado? Suponer 𝜷𝒄𝒅 = 𝟕𝟓.
solución

HALLANDO 𝑰𝑩
3V−0.7V
IB = 22KΩ

IB = 0.10𝑚𝐴
HALLANDO 𝑰𝑪
𝐼𝐶 = 𝐵𝐶𝜆 𝑋IB
𝐼𝐶 = 75𝑋0.10𝑚𝐴
𝐼𝐶 = 7.5𝑚𝐴
EL CIRCUITO NO ENTRA EN SATURACION
HALLANDO
VRC = 1KX7.5mA
VRC = 7.5V
EL CIRCUITO TRABAJA CORRECTAMENTE

9) Se muestra el circuito. determinar:

a) 𝐸𝑙 𝑝𝑢𝑛𝑡𝑜 𝑄(𝐼𝐶𝑄 , 𝑉𝐶𝐸𝑄 . )


b) 𝐺𝑟𝑎𝑓𝑖𝑐𝑎𝑟 𝑙𝑎 𝑟𝑒𝑐𝑡𝑎 𝑑𝑒 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎.
c)
10) Se desea polarizar el transistor con 𝐼𝐵 = 20𝜇𝐴. Determinar:

a) 𝑉𝐵𝐵 =?
b) 𝐼𝐶𝑄
c) 𝑉𝐶𝐸𝑄
11) Diseñar un circuito con un transistor 𝒏𝒑𝒏 polarizado
usando 𝑽𝑩𝑩 = 𝑽𝑪𝑪 = 𝟏𝟎𝒗, para un punto Q de 𝑰𝑪 = 𝟓𝒎𝑨 y 𝑽𝑪𝑬 =
𝟒𝒗, 𝜷𝒄𝒅 = 𝟏𝟎𝟎. El diseño implica la determinación de 𝑹𝑩 𝒚 𝑹𝑪 , y el
mínimo rango de la potencia del transistor. Graficar el circuito.
HALLANDO 𝑅𝐵

𝑅𝐵 = 𝛽𝑐𝑑 𝑋𝑅𝐵
𝑅𝐵 = 100𝑋22𝐾
𝑅𝐵 = 2200𝐾

HALLANDO 𝑅𝐶
𝑅𝐵 = 𝛽𝑐𝑑 𝑋𝑅𝐵
𝑅𝐵 = 100𝑋560K
𝑅𝐵 = 560𝑚K

12) Dado un circuito polarizado de la base. Calcular:

a) 𝐼𝐵
b) 𝐼𝐶
c) 𝑉𝐶𝐸
d) 𝑠𝑖. 𝛽𝐶𝐷 𝑠𝑒 𝑑𝑢𝑝𝑙𝑖𝑐𝑎, 𝐻𝑎𝑙𝑙𝑎𝑟 𝑒𝑙 𝑝𝑢𝑛𝑡𝑜 𝑄

13) El circuito polarizado de la base se someterá a una variación de


temperatura desde 𝟎°𝑪 hasta 𝟕𝟎°𝑪 la 𝜷𝒅𝒄 decrece en un 50% en
0°C y crece en un 75% en 70°C, desde su valor nominal de 110
en 25°C, calcular:

𝐵𝐷𝐶 = 110
𝐵1 = 55
𝐵2 = 192.5
TEMPERATURAS
𝑇0 = 25°𝐶
𝑇1 = 0°𝐶
𝑇2 = 70°𝐶
HALLANDO 𝑩𝟐
75
110 + 𝑋110 = 192.5
100
HALLANDO 𝑰𝑩𝟏 DE 𝑻𝟏 = 𝟎°𝑪
9𝑉 − 0.7𝑉
𝐼𝐵1 =
15𝐾
8.3𝑉
𝐼𝐵1 =
15𝐾
𝐼𝐵1 = 5.53𝐴
HALLANDO 𝑰𝑪𝑸

𝐼𝐶𝑄 = 55𝑋𝐼𝐵1

𝐼𝐶𝑄 = 0.304𝑚𝐴

HALLANDO 𝑰𝑪𝑬𝑸

a) ∆𝐼𝐶 → [𝐼𝐶 (70°𝐶) − 𝐼𝐶 (0°𝐶)]


b) ∆𝑉𝐶𝐸 → [𝑉𝐶𝐸 (70°𝐶) − 𝑉𝐶𝐸 (0°𝐶)]

14)
15) Se muestra el circuito. Determinar:

a) 𝑉𝐵
b) 𝑉𝐸
c) 𝑉𝐶
d) 𝑅𝐸(𝑚𝑖𝑛) 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑞𝑢𝑒 𝑒𝑙 𝑄1 𝑛𝑜 𝑐𝑎𝑖𝑔𝑎 𝑒𝑛 𝑠𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛.

Se muestra el circuito del Q1 𝑃𝑁𝑃 polarizado por el emisor. Calcular:


𝐼𝐶𝑄

𝑉𝐶𝐸𝑄

SOLUCION
FORMULA
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 𝑋𝐼𝐶𝑄

9.3 = 10 − 330𝑋𝐼𝐶𝑄

9.3 = 10 − 330𝑋𝐼𝐶𝑄
0.7
𝐼𝐶𝑄 =
330
𝐼𝐶𝑄 = 0.02𝑚𝐴

Se muestra el circuito. Hallar:

𝑉𝐵
𝑉𝐶
𝑉𝐸
𝐼𝐶𝜃
𝑉𝐶𝐸𝜃
𝑉𝐵 = −1.74
𝑉𝐶 = 12𝑉
HALLANDO 𝑰𝑪 POR TEVENIN
IB
1.7V = 4.78KX + 0.7 + 560K. IC
50
1.7 − 0.7V
= IC
4.70K + 500K
IC = 1.98mA
HALLANDO 𝑉𝐸
𝑉𝐸 = 560𝐾𝑋IC
𝑉𝐸 = 560𝐾𝑋1.98mA
𝑉𝐸 = 11.8 𝑉
HALLANDO 𝑉𝐶𝐸
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸
𝑉𝐶𝐸 = 12𝑉 − 11.8
𝑉𝐶𝐸 = 0.2𝑉

16) Se muestra el circuito. Hallar:

a) 𝑉𝐵
b) 𝑉𝐶
c) 𝑉𝐸
d) 𝐼𝐶𝜃
e) 𝑉𝐶𝐸𝜃

17) Se muestra el circuito. Calcular:

a) 𝑉𝐵
b) 𝑉𝐶
c) 𝐼𝐶
d) 𝑅𝐶 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑟𝑒𝑑𝑢𝑐𝑖𝑟 𝑒𝑛 25% 𝑙𝑎 𝐼𝐶
e) 𝑅𝑎𝑛𝑔𝑜 𝑑𝑒 𝑝𝑜𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑚𝑖𝑛𝑖𝑚𝑎 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑒𝑙 𝑄1
18) Determinar las fallas más probables, si las hay, en cada circuito. Con
base en las mediciones indicadas.

la falla más probable encontrada es en la base del transistor porque hay un


corto es punto por las resistencias.
19) En el punto de polarización en DC de un circuito con un transmisor,
𝐼𝐵 = 15𝜇𝐴 𝑒 𝐼𝐶 = 2𝑚𝐴. Además, una variación de 3𝜇𝐴 alrededor del
punto Q produce una variación en 𝐼𝐶 𝑑𝑒 0.35𝑚𝐴 alrededor del punto
Q. Hallar:

a) 𝛽𝑐𝑑
b) 𝛽𝑐𝑎
HALLANDO 𝛽𝑐𝑑
FORMULA
𝐼𝑅𝐶 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵
𝐼𝑅𝐶 = 15𝑢𝐴 + 2𝑚𝐴
𝐼𝑅𝐶 = 0.002015𝐴
PARA 𝛽𝑐𝑑
FORMULA
𝐼𝐶
𝐼𝑅𝐶 = 𝐼𝐶 +
𝛽𝑐𝑑
2𝑚𝐴
0.002015𝐴 = 2𝑚𝐴 +
𝛽𝑐𝑑
0.002
0.002015𝐴 = 0.002 +
𝛽𝑐𝑑
0.002
0.000015𝐴 =
𝛽𝑐𝑑
0.002
𝛽𝑐𝑑 =
0.000015𝐴
𝛽𝑐𝑑 = 133.3