Osciladores

Capítulo 6
IT224M
UNI

Ing. Marcial Antonio López Tafur

mlopez@uni.edu.pe
 Diagrama de bloque de un oscilador
sinusoidal usando un amplificador con un
trayecto de realimentación dependiente
de la frecuencia.

2
• Circuito general para un oscilador a
transistores.
• El transistor puede ser transistor de
juntura bipolar o transistor de efecto
de campo.
• Este circuito puede ser usada para
configuraciones emisor/fuente común,
base/gate, o colector/drain poniendo a
tierra V2, V1, o V4, respectivamente.
• La realimentación se consigue
conectando el nodo V3 a V4. 3
4
Circuito oscilador Transistorizado usando un
BJT en emisor común. (a) Oscilador Colpitts.
(b) Oscilador Hartley.

5
(a) Circuito Equivalente de un cristal.
(b) Reactancia de entrada de un
resonador a cristal.

6
Circuito oscilador Pierce a cristal.

7
 Circuito para un oscilador de
resistencia negativa de un puerto.

8
Ejemplo de un circuito de adaptación de
carga para el oscilador de un puerto.

9
 Circuito para un oscilador
transistorizado de dos puertos.

10
Ejemplo de diseño de un circuito para
un oscilador transistorizado.

11
(b) Carta de
Smith para
determinar
T.

12
 (a) Geometría de un resonador de un
dieléctrico acoplado a una microstripline;
(b) circuito equivalente.

13
(a) Oscilador Resonador dieléctrico
usando realimentación en paralelo;
(b) Oscilador Resonador dieléctrico
usando realimentación serie.

14
(a) Ejemplo de un circuito para el
resonador dieléctrico.

15
(b) Ejemplo de |out| vs. frecuencia.

16
Espectro de salida de un oscilador de
RF típico.

17
Modelo de amplificador realimentado
para la caracterización del ruido de
fase del oscilador.

18
Potencia de ruido vs. frecuencia de un
amplificador con señal aplicada a su
entrada.

19
Densidad de potencia espectral idealizada
del ruido de un amplificador, incluyendo
1/f y componentes termales.

20
Densidad de potencia espectral del ruido de
fase a la salida de un oscilador.
(a) Respuesta para fh > f (bajo Q).
(b) Respuesta para fh < f (alto Q).

21
 Ilustración como el ruido de fase de un
oscilador local puede permitir la recepción
de señales adyacentes indeseadas a la
señal deseada.

22
 Circuito Conceptual para las
derivaciones de las relaciones Manley-
Row.

23
 Diagrama de bloques de un
multiplicador de frecuencia a diodo.

24
Circuito conceptual para la derivación
de relaciones de potencia en un
multiplicador de frecuencia resistivo.

25
Diagrama circuital de un multiplicador de
frecuencia con un FET. El transistor es
modelado usando un circuito equivalente
unilateral.

26
Rendimiento de Potencia vs. frecuencia de
fuentes de estado-sólido y fuentes de tubo
de microondas .

27
Rendimiento de
Potencia vs.
frecuencia de
los diodos
Gunn.
• pulsante;
° continuo.

28
 Dispositivo Gunn
de GaAs tipo-N (arseniuro de galio)
ces llamado diodo Gunn pero no tiene
ras
e una región de resistencia negativa
e la velocidad del movimiento
ece cuando se incrementa el voltaje
causa una concentración de
rones libres llamado un dominio

29
30
 Dos fuentes de diodo Gunn. (a) unidad
mecánicamente sintonizable banda-E, (b) Es a
sintonización por varactor banda-V.

31
 Modo de Transito-tiempo
• El dominio se mueve a través del GaAs
hasta que alcanza el terminal positivo
• Cuando el dominio alcanza el terminal
positivo desaparece y un nuevo dominio
se forma
• Pulsos de corriente fluyen cuando el
dominio desaparece
• Periodo de los pulsos = tiempo de tránsito
en el dispositivo
32
33
 Frecuencia del Oscilador Gunn
• T=d/v
T = periodo de oscilación
d = espesor del dipositivo
v = velocidad de movimiento, cerca de 1  105
m/s
• f = 1/T

34
 Diodo PIN
• Tipo-P --- Intrínseco --- tipo-N
• Usado como interruptor y atenuador
• Inversamente polarizado – “off”
• Directamente polarizado – parcialmente
“on” dependiendo la polarización (bias)

35
36
 Cavidades resonantes
Longitud de onda resonante para
una cavidad rectangular :
2
r = b L
( m / a ) + ( n / b) + ( p / L )
2 2 2
a

Para un resonador cilíndrico :

r
2
r =
L
 Bmn   p 
2 2

  + 
 r   L 
37
Cavidades resonantes (cont’d)
• La energía es acoplada dentro de la cavidad
a través de una pequeña abertura, por un
lazo de acople o una sonda de acoplamiento.
Estos métodos de acoplamiento también se
aplican para las guías de onda
• Aplicaciones de los resonadores:
– filtros
– vatímetros de absorción
– tubos para microondas

38
 Componentes de las Ferritas
• Las ferritas están compuestas de óxidos metálicos
de Fe, Zn, Mn, Mg, Co, Al, y Ni.
• Tiene propiedades magnéticas similares a los
metales ferromagnéticos y al mismo tiempo tienen
gran resistividad asociada con los dieléctricos.
• Sus propiedades magnéticas pueden ser
controladas por medio de un campo magnético
externo.
• Ellas pueden ser transparentes, reflectivas,
absortivas, o causar rotación de la onda
dependiendo del campo H.

39
Ejemplos de dispositivos de Ferrita

Atenuador Aislador
2

q
1 3
Differential
Phase Shifter Circulador
de 4-puertos
4
40
Notas sobre dispositivos de Ferrita
• Differential phase shifter - q es el desplazamiento de
fase entre las dos direcciones de propagación.
• Aislador - permite el flujo de potencia en una sola
dirección.
• Circulador – la potencia que entra al puerto 1 irá
sólo al puerto 2; la potencia que entra al puerto 2 irá
sólo al puerto 3; etc.
• Mucho de lo anterior está basado en la rotación de
Faraday.
• Otros usos: filtros, resonadores, y sustractores.

41
 Diodo Schottky - Barrier

Electrodo Está basado en una simple

Contacto de Metal interface metal-semiconductor.
Capa No hay juntura p-n pero existe
Dieléctrico una región de deplexión. La
Semi- SiO2
conductor corriente es por portadores
Substrato mayoritarios; por consiguiente,
Electrodo
de Metal muy bajo en capacitancia.

Aplicaciones: detectores, mezcladores y conmutadores.

42
 Diodo Varactor
• Bajas frecuencias: usados como capacitor
variable controlado por voltaje
• Microondas: usados como multiplicadores
de frecuencia
– Toma ventaja de la curva no lineal V-I de los
diodos

43
 Diodo Varactor

Cj
Co

Símbolo Circuital
V
Caracteristica de la capacitancia de la juntura
Varactores operan bajo condiciones pol reversa.
la capacitancia de la juntura es: Co K
Cj =
donde Vb = potencial de la barrera (Vb − V ) m
(0.55 to 0.7 para silicio)
y K = constante (a menudo = 1)
44
Circuito Equivalente del Varactor

La resistencia en serie, Rs, y la

Capacitancia del diodo, Cj, determina
Cj La frecuencia de corte:
Rj
1
fc =
2Rs C j
Rs
El factor de calidad del diodo para una
Determinada frecuencia f, es:
fc
Q=
f
45
 Aplicaciones del Varactor
• Osciladores controlados por voltaje (VCO)
en circuitos de AFC y PLL
• Variable phase shifter
• Generador de armónicos en circuitos
multiplicadores de frecuencia.
• Circuitos de conversión ascendente o
descendente (Up or down)
• Circuitos amplificadores Paramétricos –
de bajo ruido

46
Circuito Amplificador Paramétrico

Pump signal (fp) Modo degenerativo : fp = 2fs

Modo No-degenerativo :
L2 Upconversion - fi = fs + fp
C2 Downconversion - fi = fs - fp
C1 Ganancia de potencia, G = fi /fs
Señal de C3 Modo regenerativo :
entrada D1 L3 resistencia negativa
L1
(fs) muy bajo ruido
muy alta ganancia
Signal Idler
fp = fs + fi
tank (fs) tank (fi)
47
 Diodo PIN

R S1 RFC
P+ +V
C2
I C1
In
N+ Out
D1
PIN as shunt switch
El diodo PIN tiene una región intrínseca entre los
materiales P+ y N+. Tiene una resistencia muy alta en
el modo OFF y una muy baja resistencia cuando es
polarizado directamente.
48
 Aplicaciones del Diodo PIN
• Conmutar dispositivos tales como
atenuadores, filtros, y amplificadores en la
entrada y salida del circuito.
• Atenuador por variación de Voltaje
• Modulador de amplitud
• Conmutador Transmitir-recibir (TR)
• Phase shifter (con una sección de línea de
transmisión)

49
 Diodo Gunn
El diodo Gunn es un dispositivo de transferencia de e
electrones que puede ser usado en osciladores de micro
ondas o amplificadores de reflexión de un puerto. Su
Estructura básica se muestra abajo. La región activa N-,
Esta aprisionada entre dos regiones altamente dopadas
N+.
Electrones
l desde el cátodo
K (K)
N- se mueven
A al ánodo (A)
Electrodo en una formación de racimo
metálico Llamada
N+ Dominios,
Electrodo
Note que no hay juntura
metálico
p-n. 50
 Modos de operación del Gunn
• Modo de Amplificación estable (SA) : el diodo se
comporta como un amplificador debido al efecto de
su resistencia negativa.
• Modo de Tiempo de Tránsito (TT) : frecuencia de
operación , fo = vd / l donde vd es el domino de
velocidad, y l es la longitud efectiva. Potencia de
salida < 2 W, y la frecuencia está entre 1 GHz a 18
GHz.
• Modo de Carga-Espacial limitada (LSA) : requiere
una cavidad resonante de alto-Q; frecuencia de
operación hasta los 100 GHz potencia de salida
pulsante > 100 W.
51
 Circuito para el Diodo Gunn y
Aplicaciones
Cavidad Tornillo La cavidad resonante
resonante sintonizador es excitada por los
pulsos de corriente
Iris
del diodo Gunn y
la energía de RF es
Diodo
acoplada vía el iris
V a la guía de onda.
Aplicaciones del diodo Gunn : fuentes de microondas
Para el oscilador local del receptor, radares para la,
Policía y enlaces de comunicaciones por microondas.
52
Avalanche Transit-Time Devices
• If the reverse-bias potential exceeds a certain
threshold, the diode breaks down.
• Energetic carriers collide with bound electrons to
create more hole-electron pairs.
• This multiplies to cause a rapid increase in
reverse current.
• The onset of avalanche current and its drift
across the diode is out of phase with the applied
voltage thus producing a negative resistance
phenomenon.

53
 Diodo IMPATT
• IMPATT significa Impact Avalanche and Transit
Time
• Opera en la región de ruptura inversa
(avalancha).
• El voltaje aplicado causa interrupción
momentánea una vez por ciclo
• Esto inicia un pulso de corriente que se mueve a
través del dispositivo
• La frecuencia depende del espesor del
dispositivo.
54
 Notas sobre el diodo IMPATT
• La corriente de acumulación y el tiempo de tránsito
para el pulso de corriente cruce la región de
movimiento causa un retardo de fase de 180o entre
V e I; esto, R negativa.
• Diodos IMPATT típicamente operan en la región de
3 a 6 GHz pero a mayores frecuencias también
operan.
• Deben operar en conjunto con un circuito resonante
externo de alto Q.
• Tienen relativamente un alto nivel de potencia de
salida (>100 W pulsante) pero son muy ruidosos y
no muy eficientes.
55
56
 Diodo IMPATT
Estructura del diodo IMPATT (impact
avalanche transit time) es mostrada:

- P+ N N+ +

Región de l
Avalancha Drift Region

vd
Frecuencia de Operación : f = donde vd = drift
2l velocity
57
 Transistores para Microondas
• BJTs de silicio y FETs de GaAs son
ampliamente usados.
• BJT usados para amplificación hasta cerca de 6
GHz.
• MesFET (metal semiconductor FET) y HEMT
(high electron mobility transistor) son operables
más allá de 60 GHz.
• FETs tienen alta impedancia de entrada, mejor
eficiencia y mayor estabilidad de frecuencia que
los BJTs.
58
 Ganancia de potencia de un
transistor para microondas
Zs Red de Red de
Transistor adaptación
adaptación ZL
Go GL
Vs Gs

Max. ganancia de potencia de un amplificador unilateral

transistor con adaptación conjugada de entrada y salida.
1 1
Gmax = Gs GoGL = | S 21 | 2

1− | S11 | 2
1− | S 22 |2
Note que Go = |S21|2 es la ganancia del transistor. Para
estabilidad incondicional, |S11| < 1 y |S22| < 1.
59
Factor de ruido & Figura de ruido

Factor de ruido, Fn = SNRin/SNRout

Figura de ruido, NF (dB) = 10 log Fn
= SNRin (dB) - SNRout (dB)
Temperatura Equivalente del ruido, Te = (Fn -1) To
donde To = 290 K
Para amplificadores en cascada, el factor de ruido total:
F2 − 1 F3 − 1 Fn − 1
FT = F1 + + + ...+
G1 G1G2 G1G2 ...Gn −1
donde Gn = ganancia del amplificador de la etapa “n”.
60
 Dispositivos YIG
• YIG stands for Yttrium - Iron - Garnet
– YIG es una ferrita
• Una esfera YIG dentro de un campo
magnético dc es usada como una cavidad
resonante.
• Cambiando la intensidad del campo
magnético cambia la frecuencia de la
resonancia.

61
 Rendimiento de Potencia vs.
frecuencia de para diodos IMPATT.

62
 Conversión de frecuencia usando
un mezclador (mixer).
Mixer
fLO fRF = fLO ± fIF

LO f
fIF 0 fIF fLO
Oscilador fLO - fIF fLO + fIF
IF
(a) Up-conversion

Mixer
fRF fIF = fRF ± fLO

Oscilador f
fLO fRF - fLO fLO fRF fRF + fLO
RF
LO
(b) Down-conversion
63
 (a) Circuito para un diodo mezclador
simple. (b) circuito equivalente Idealizado.

64
Variación de la transconductancia del
FET vs. voltaje de gate-a-source.

65
Circuito mezclador con FET.

Circuito equivalente.

66
circuitos mezcladores balanceados.
(a) Usando un híbrido a 90°.
(b) Usando un híbrido a 180°.

67
Fotografía de un circuito receptor de radar monopulso de 35 GHz
microstrip. Tres mixers balanceados usando híbridos tipo aro se muestran,
con tres filtros pasabajos por pasos, y seis híbridos en cuadratura. El
circuito también contiene una fuente a diodo Gunn para el oscilador local.
68
Circuito mezclador para el rechazo de
la frecuencia imagen.

69
Circuito mezclador balanceado Doble.

70
Mezclador diferencial con FET.

71
 Sintetizadores para Microondas
• Synthesiser - UK
• Synthesizer – US
• Sintetizador – Español

72
 Sintetizadores para Microondas
Why would we want a synthesiser?
• Nearly all current microwave activity is
based around a crystal-controlled
transverter + a synthesised transceiver.
• This can cause problems when the band is
fragmented (not contained within a 2MHz
segment) :-
• 13cms - at least 8 different sub-bands
• Personal unattended beacons at 10.4GHz
• 5558MHz / 5760MHz etc.
73
 Sintetizadores para Microondas
Why would we want a synthesiser?
• Synthesisers (usually) allow for great frequency
agility - the ability to change frequency,
sometimes very quickly
• For example a DDS can be used to directly
modulate a carrier
• A synthesised transverter or transceiver would
allow for > 2MHz coverage

74
 Sintetizador de Microondas
¿Qué es un sintetizador?
• Síntesis - el proceso de combinar cosas en un
todo más complejo.
• Un oscilador no es un sintetizador
• Un multiplicador de frecuencia no es un
sintetizador
• Un conversor de frecuencia no es un
sintetizador

• Por lo tanto, combinándolos pueden formar un

sintetizador
75
 Sintetizadores para Microondas
Tres tipos básicos
• Síntesis directa
• Síntesis Indirecta:-
Phase locked loop (PLL)
Direct digital synthesiser (DDS)

76
 Sintetizadores para Microondas
Síntesis Directa
• Síntesis directa :-
• La frecuencia es generada con bloques de
circuitos que realizan funciones matemáticas
simples :-
• Adición, sustracción, multiplicación y división
• Pueden ser modulados en FM/PM – con
cuidado

77
 Sintetizadores para Microondas
Síntesis Directa

100MHz
10MHz OCXO
x10 96MHz

÷ 10 96MHz,
x4
104MHz
1MHz 4MHz

78
 Sintetizadores para Microondas
Síntesis Directa
• Ventajas :-
Mejor rendimiento de ruido de fase.
Pueden ser multiplicados (casi) sin límite.

• Desventajas :-
Muy inflexible – la frecuencia no puede ser
cambiada.

79
 Sintetizadores para Microondas
Síntesis Indirecta - phase locked loop
• Un oscilador de frecuencia variable es
‘enganchado’ a un oscilador estable de
referencia
• - pero no (usualmente) de la misma frecuencia
• Sin duda, el tipo más popular de sintetizador -
millones en uso en todo el mundo.

80
 Sintetizadores para Microondas
Phase Locked Loop
LMX2486 PLL IC
Loop filter VCO
÷R
R 2.3 - 2.45GHz

VCTCXO
Phase-
Frequency ÷N
Detector

81
 Sintetizadores para Microondas
Phase Locked Loop
• Ventajas :-
– Enormemente versátil
– Pueden ser generadas un gran rango de
frecuencias.
– Puede generar salidas directamente a
frecuencias de microondas - sin sub-
armónicos a ser filtrados.
• Desventajas
– El ruido de fase puede ser un tema.

82
 Sintetizadores para Microondas
Phase Locked Loop
• ‘N – entere’ - la frecuencia de salida es un
múltiplo exacto de la frecuencia de referencia.
• Esto da un espaciamiento de canales el cual es
el mismo de la comparación de frecuencias.
• Para cambiar los canales, simplemente cambie
el divisor programable (N).
• Ejemplo – tamaño del paso: 500kHz,
1152MHz o/p,
• N=1152000000/500000 = 2304

83
 Sintetizadores para Microondas
Phase Locked Loop
• ‘N – Fraccional’ - la frecuencia de salida no
necesita ser un múltiplo entero de la referencia.
– Which allows for higher reference frequencies,
thus improving phase noise.
• Fractional parts can now be very complex :-
• up to 21 binary digits (2**21 = 2,097,152)
• Example :- 20MHz comparison freq., o/p
freq = 2320.905MHz, N=116.04525

84
 Sintetizadores para Microondas
Dual Phase Locked Loop
• Instead of dividing the output frequency, a
mixer is used with a second PLL
• This has the advantage of lower phase noise
• But can be considerably more complex
• Multiple loops can be used - for example in
commercial signal generators

85
 Sintetizadores para Microondas
Dual Phase Locked Loop

VCTCXO

86
 Sintetizadores para Microondas
Direct Digital Synthesiser

• Consiste de tres partes básicas:

• Contador (acumulador de fase - hasta 48
bits)
• Sine lookup table (up to 14 bits)
• Conversor Digital a Analógico

87
 Sintetizadores para Microondas
Direct Digital Synthesiser
Clock

Sine
Look-up table DAC
Frequency
word

Phase
accumulator

88
 Sintetizadores para Microondas
Direct Digital Synthesiser

Deseado

Real

89
 Sintetizadores para Microondas
Direct Digital Synthesiser
• Característica dominante es su tamaño de paso
muy pequeño (uHz)
• Otras ventajas – cambio de frecuencia muy
rápida.
• Puede ser fácilmente modulado con FM o PM -
AM disponible en los nuevos IC’s.
• Frecuencia de salida hasta cerca de ~40% de la
frecuencia del reloj.

90
 Sintetizadores para Microondas
Direct Digital Synthesiser
• El mayor problema es los espurios discretos.
• Esto es multiplicado por 20 log N
• La más alta frecuencia de salida es ~400MHz
(1GHz clock)
• Por tanto el DDS tiene algunas limitaciones a
medida que aumentan las multiplicaciones.
• Algunos de calientan mucho.
• Requiere un reloj de alta frecuencia –
externamente multiplicado o ‘multiplicado’
dentro del chip
91
 Sintetizadores para Microondas
GPS Disciplined Oscillator
• Similar al PLL, PERO:-
• La fuente de referencia tiene una baja
estabilidad a corto plazo pero una excelente
estabilidad a largo plazo.
• El VCO (usualmente un OCXO) tiene una muy
buena estabilidad de corto plazo pero se va a la
deriva lentamente sobre un periodo de tiempo.
• Por consiguiente, una constante de tiempo muy
larga es usada >1000 segundos
• El lazo realmente nunca esta “enganchado” – de
aquí el termino ‘disciplinado’ 92
 Sintetizadores para Microondas
GPS Disciplined Oscillator
CPLD,
discrete logic or
microcontroller Loop filter
(usually digital)
OCXO
10MHz

1 pulse per second

Phase-
Frequency ÷N
Detector

93
 Sintetizadores para Microondas
Híbridos PLL/DDS

• Usa un DDS como referencia para un PLL de

entero-N.
• Con los componentes correctos, tiene la
posibilidad de dar lo mejor de ambos mundos –
con un rendimiento excepcional, con un costo
mayor que para el DDS simple o el PLL.

94
 Sintetizadores para Microondas
El futuro
• PLLs tendrá ruido más bajo, bajas
espureas y operará a mayores frecuencias
(corrientemente hasta 8GHz).
• DDS operará a altas frecuencias (>1 GHz)
con bajas espureas
• La tecnología de sintetización se
beneficiará con los diseños de los
Amateur en microondas.

95
Muchas gracias por su atención

UNI-FIEE
Lima Perú