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FIEE-UNMSM. Alta Frecuencia del Amplificador de una sola etapa.

Respuesta en Alta Frecuencia de un amplificador de una sola etapa


Facultad de Ingeniería Electrónica y Eléctrica - UNMSM

Resumen: El objetivo de este laboratorio fue estudiar el Cbe simplemente aparece como una capacitancia a tierra
comportamiento en altas frecuencias de un amplificador de de ca, como muestra la figura 10-32, en paralelo con
audio. Para este laboratorio fue necesario el uso del Cent(Miller). Viendo el colector, Cbc aparece en la
osciloscopio, multímetro, generador de señales, fuente de
poder DC, transistores, resistencias, condensadores,
conectores, Protoboard. Llegamos a la conclusión que en altas
frecuencias aparecen las llamadas capacidades parásitas del
transistor, se obtuvo una señal de salida desfasada 180° para
cada valor de frecuencia.

Índice de Términos: Amplificador de una etapa,


respuesta a alta frecuencia, capacidades parásitas.
I. INTRODUCCIÓN: capacitancia de salida Miller del colector a tierra. Como
La Respuesta en alta frecuencia de circuitos con muestra la figura 10-32, la capacitancia de salida Miller
transistores está fijada por los condensadores internos y aparece en paralelo con Rc.
las constantes de tiempo asociadas.
Un circuito equivalente en ca en alta frecuencia para el
amplificador basado en BJT de la figura 10-31(a) se
muestra en la figura 10-31(b). Observe que los
capacitores de acoplamiento y puenteo se tratan como
cortos efectivos y no aparecen en el circuito equivalente.
Las capacitancias internas,Cbe y Cbc, las cuales son Estas dos capacitancias Miller crean una circuito RC de
significativas sólo en altas frecuencias, sí aparecen en el entrada de alta frecuencia y un circuito RC de salida en
diagrama. Como previamente se mencionó, Cbe en alta frecuencia. Estos dos circuitos, el de entrada y el de
ocasiones se llama capacitancia de entrada Cib y Cbc es salida difieren en baja frecuencia, los cuales actúan como
ocasiones se llama capacitancia de salida Cob, Cbe se filtros pasoaltas porque las capacitancias están a tierra y
especifica en hojas de datos a un cierto valor de VBE. por consiguiente actúan como filtros pasobajas. El
Amenudo, una hoja de datos registrará Cib como Cibo y circuito equivalente en la figura 10-32 es un modelo ideal
Cob como Cobo. La o como la última letra en el porque se desprecian las capacitancias parásitas
subíndice indica que la capacitancia se mide con la base provocadas por las interconexiones del circuito.
abierta. Por ejemplo, un transistor 2N2222A tiene una
Cbe de 25 pF a VBE _ 0.5 V de cd, IC _ 0 y f _ 1 MHz.
También, Cbe se especifica a un cierto valor de VBC. El
2N2222A tiene una Cbc máxima de 8 pF a VBC _ 10 V
de cd.

Teorema de Miller en análisis en alta frecuencia


Aplicando el teorema de Miller al amplificador inversor
de la figura 10-31(b) y utilizando la ganancia en
frecuencias medias, se tiene un circuito que puede ser
analizado en cuanto a respuesta en alta frecuencia.
Viendo desde la fuente de señales, la capacitancia Cbc
aparece en la capacitancia de entrada Miller de la base a
tierra.
FIEE-UNMSM. Alta Frecuencia del Amplificador de una sola etapa.

II. MATERIALES Y MÉTODOS CIRCUITO PRÁCTICO


A. Equipos, materiales y herramientas utilizados. Circuito de la figura 4.1 implementado
Transistor 2n2222
Resistores (1/4 W): 56k, 12k, 10k, 1.5k, 0.68k,
1k
Condensadores 2(22uf), 100uf
Multímetro digital
Generador de señales
Fuente DC
Protoboard
B. Esquemas
El siguiente circuito fue el que implementamos:

FIGURA
4.1
GANANCIA VS. FRECUENCIA

fo=50Hz

PUNTO Q DE LA FIGURA 4.1:

fo=100 Hz
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fo=1KHz fo=500KHz

fo=200KHz
f0= 10 KHz

fo=100KHz fo=700KHz
FIEE-UNMSM. Alta Frecuencia del Amplificador de una sola etapa.

fo=1MHz Av
200 500 700 1 2
f0
KHZ KHZ KHZ MHZ MHZ

Vi 136mv 140mv 140mv 152mv 148mv

Vo 5.67v 4.07v 3.03v 2.04v 1.27v

Av 41.69 29.07 21.64 15.79 8.58

IV. ANÁLISIS DE RESULTADOS

 En los resultados podemos ver que tenemos


algunas capacitancias parasitarias a altas
C. Procedimiento. frecuencia.
1. Realice la simulación del circuito mostrado en la  Para una mejor obtención de los resultados,
figura 4.1. Encuentre el punto de trabajo y complete la empleamos el modelo híbrido, ya que este
tabla 4.1. resulta mejor en altas frecuencias.
2. Implemente el circuito de la figura 4.1. Establezca
como señal de salida del generador una onda sinusoidal Av vs. Frecuencia
de 10KHz, con el mayor nivel de amplitud posible que 50
permita obtener una señal sin distorsión de amplitud a
la salida del amplificador. 45

40
3. Despreciando el efecto de los condensadores
(frecuencias medias) determine experimentalmente la 35
ganancia de tensión y halle el punto de trabajo. 30
Complete la tabla 4.1
25
III. RESULTADOS 20

Tabla 4.1 15

VCEQ (V) ICQ (A) 10

Valor 5
7.58 2.02 m 0
Simulado
Valor 1 100 10000 1000000
7.54 2.06 m
Medido
Tabla 4.2
 Cuando la salida del amplificador cae en 0.707
de su valor en frecuencias medias, observamos
Av la frecuencia en ese punto y a partir de ese
100 1 10 100 momento ocurre la caída de la ganancia a un
f0 50 HZ
HZ KHZ KHZ KHZ valor casi nulo.

Vi 152mv 148mv 140mv 152mv 148mv


V. CONCLUSIONES
Vo 3.51v 5.03v 6.55v 6.63v 6.07v  A altas frecuencias aparecen las llamadas
capacidades parásitas del transistor.
Av 23.09 33.99 46.79 43.62 41.01
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 La mejor manera de poder realizar el análisis en


altas frecuencias es utilizando el modelo de
parámetro híbrido π.
 También observamos que la señal de salida se
encuentra desfasada 180° con respecto a la
señal de entrada, pero esto no impide que el
circuito amplifique.
REFERENCIAS:

 Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos


electrónicos. Décima edición –Robert L.
Boylestad.
 Circuitos electrónicos – Schilling
 Principios electrónicos – Malvino.

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