ESCUELA DE INGENIERÍA E INDUSTRIAS

TNS EN GEOLOGÍA – TNS EN PROYECTOS ELÉCTRICOS DE DISTRIBUCIÓN – TNS EN

FABRICACIÓN Y MONTAJE DE ESTRUCTURAS METÁLICAS – TNS EN
TELECOMUNICACIONES Y CONECTIVIDAD

TRABAJO DE INVESTIGACION

EL DIODO SEMICONDUCTOR Y SUS APLICACIONES

NOMBRES: Álvaro Arias Delgado.

Jean Cortes Díaz.

Miguel Vicencio

Jorge Sáez Rojas.

MÓDULO: Tecnología de los Materiales.

DOCENTE: Javier Pinto

FECHA: 28 de Mayo del 2019.

 INDICE

1. Introducción………………………………………………………….. 3
2. Semiconductores……………………………………………………. 4
2.1 Semiconductores Intrínsecos…………………………………. 4-5
2.2 Semiconductores Extrínsecos……………………………….... 5
2.2.1 Semiconductor tipo N…………………………………… 6-7
2.2.2 Semiconductor tipo P…………………………………… 7-8
3. ¿Qué es un Diodo?....................................................................... 8
4. Funcionamiento del Diodo………………………………………… 9-10
5. Tipos de Diodos……………………………………………………... 11
6. Diodo Led……………………………………………………………. 12-23
7. Diodo Rectificador……………………………………………………24-27
8. Diodo Zener…………………………………………………………...27-30
9. Conclusión…………………………………………………………….31
10. Bibliografía…………………………………………………………......32

2
INTRODUCCION

Los semi-conductores ocupan un lugar prominente en el conjunto de los

materiales eléctricos .Esto se debe al alto grado de desarrollo que se ha
alcanzado en el conocimiento de sus propiedades básicas, así como también
en el de sus aplicaciones. Podemos decir que hoy en día los semi-conductores
son piezas básicas en toda la tecnología electrónica, la que en los últimos años
ha demostrado un crecimiento espectacular, abarcando el campo de los
procesadores, la robótica, las comunicaciones etc.,
Este informe tiene como objetivo, mostrar aspectos básicos de la capacidad
que estos últimos tienen para formar parte de los circuitos que controlan el
paso de la corriente eléctrica, así como el dar a conocer parte de las variadas
formas y aplicaciones que los semiconductores pueden llegar a exhibir en
forma de elementos de control tan comunes como lo son los Diodos
semiconductores .Para ello, nos hemos centrado en tres de estos elementos
semiconductores ,como lo son el diodo LED, el diodo zener y el diodo
rectificador.

RESEÑA HISTÓRICA

En 1727 Stephen Gray descubrió la diferencia entre conductores y aislantes.

Después, en 1821, George Simón Ohm publica las leyes que llevan su nombre
y que describen la proporcionalidad entre la corriente y el voltaje que atraviesa
un conductor y también que es posible determinar la conductividad eléctrica de
cualquier objeto.

Fleming patento el primer Diodo Termoiónico en Gran Bretaña el 16 de

noviembre de 1904.

En 1874 el científico alemán Karl Ferdinand Braun descubrió la naturaleza de

conducir por una sola dirección de los cristales semiconductores.

En la época de su invención, estos dispositivos fueron conocidos como

rectificadores.

En 1947, nace la industria de semiconductores con la invención del transistor

por parte de John bardee, Walter brattain y Williams Shockley.

3
SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS.

Son los cristales de silicio o germanio que forma una

estructura tetraédrica similar a la del carbono mediante enlaces
covalentes entre sus átomos, en la figura representados en el plano por
simplicidad.

Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones

pueden absorber la energía necesaria para saltar a la banda de
conducción dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia.

Las energías requeridas, a temperatura ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV

para el silicio y el germanio respectivamente.

El proceso inverso también se produce, de modo que los electrones

pueden caer desde el estado energético correspondiente en la banda de
conducción a un hueco en la banda de valencia, liberando así energía.

Este fenómeno se conoce como "recombinación". A una determinada

temperatura, las velocidades de creación de pares e-h, y de recombinación se
igualan, de modo que la concentración global de electrones y huecos
permanece constante. Sea "n" la concentración de electrones
(cargas negativas) y "p" la concentración de huecos (cargas positivas), se
cumple entonces que:

ni = n = p

Donde ni es la concentración intrínseca del semiconductor, función exclusiva

de la temperatura y del elemento en cuestión. La densidad o concentración
intrínseca de portadores es muy baja.

Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (27 ºC):

ni (Si) = 1.5 1010cm-3

ni (Ge) = 2.4 1013cm-3

Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los

semiconductores, ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la
corriente eléctrica. Si se somete el cristal a una diferencia de potencial se

4
producen dos corrientes eléctricas. Por un lado la debida al movimiento de los
electrones libres de la banda de conducción, y por otro, la debida al
desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tenderán
a saltar a los huecos próximos, originando una corriente de huecos con 4
capas ideales y en la dirección contraria al campo eléctrico cuya velocidad y
magnitud es muy inferior a la de la banda de conducción.

Si a un semiconductor intrínseco, como el anterior, se le añade un pequeño

porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el
semiconductor se denomina extrínseco, y se dice que está dopado. Las
impurezas deberán formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al
correspondiente átomo de silicio.

Semiconductor tipo N

Figura 1

Estructura de bandas de un semiconductor de tipo N. Los círculos negros

representan los electrones en la banda de conducción (naranja), mientras que
los blancos serían los huecos en la banda de valencia (azul). La imagen
muestra que los electrones son los portadores de carga mayoritarios.

Un semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso

de dopado añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder
aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso negativos
o electrones).

Cuando se añade el material dopante, aporta sus electrones más débilmente

vinculados a los átomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es
también conocido como material donante, ya que da algunos de sus electrones.

5
El propósito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones
portadores en el material. Para ayudar a entender cómo se produce
el dopaje tipo considérese el caso del silicio (Si). Los átomos del silicio tienen
una valencia atómica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con
cada uno de los átomos de silicio adyacentes. Si un átomo con cinco electrones
de valencia, tales como los del grupo 15 de la tabla periódica —p.
ej., fósforo (P), arsénico (As) o antimonio (Sb)—, se incorpora a la red cristalina
en el lugar de un átomo de silicio, entonces ese átomo tendrá cuatro enlaces
covalentes y un electrón no enlazado. Este electrón extra da como resultado la
formación de "electrones libres", el número de electrones en el material supera
ampliamente el número de huecos, en ese caso los electrones son
los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A
causa de que los átomos con cinco electrones de valencia tienen un electrón
extra que "dar", son llamados átomos donadores. Nótese que cada electrón
libre en el semiconductor nunca está lejos de un ion dopante positivo inmóvil, y
el material dopado tipo N generalmente tiene una carga eléctrica neta final de
cero.

Semiconductor tipo P

Figura 2

Estructura de bandas de un semiconductor de tipo P. Los círculos negros

representan los electrones en la banda de conducción (naranja), mientras que
los blancos serían los huecos en la banda de valencia (azul). La imagen
muestra que los huecos son los portadores de carga mayoritarios.

Un semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado,

añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el
número de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).4

6
Cuando se añade el material dopante libera los electrones más débilmente
vinculados de los átomos del semiconductor. Este agente dopante es también
conocido como material aceptor y los átomos del semiconductor que han
perdido un electrón son conocidos como huecos.

El propósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso

del silicio, un átomo tetravalente (típicamente del grupo 14 de la tabla
periódica) se le une un átomo con tres electrones de valencia, tales como los
del grupo 13 de la tabla periódica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red
cristalina en el lugar de un átomo de silicio, entonces ese átomo tendrá tres
enlaces covalentes y un hueco producido que se encontrará en condición de
aceptar un electrón libre.

Así los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha
desplazado por la red, un protón del átomo situado en la posición del hueco se
ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado como una cierta carga positiva.
Cuando un número suficiente de aceptores son añadidos, los huecos superan
ampliamente la excitación térmica de los electrones. Así, los huecos son
los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores
minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que
contienen impurezas de boro(B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P
que se produce de manera natural.

¿Qué es un diodo?

El diodo es un componente electrónico que solo permite el flujo de la

electricidad en un solo sentido, debido a esto su funcionamiento se parece a un
interruptor el cual abre o cierra los circuitos. Este dispositivo está conformado
por dos tipos de materiales diferentes los cuales se traducen a dos terminales,
un ánodo (+) y un cátodo (-) como se explica en la siguiente figura.

Figura 3

7
¿Cómo funciona un diodo?

Al tener dos terminales podemos polarizar de dos formas (directa e inversa)

diferentes a los diodos y su funcionamiento depende mucho del tipo de
polarización que le ponga.

Polarización Directa:

El ánodo se conecta al positivo de la fuente de voltaje y el cátodo se conecta al negativo,

con esta configuración el diodo actúa como un interruptor cerrado. Una consideración
importante dentro de esta configuración es que el diodo provoca una caída de voltaje de

0.6 a 0.7v.

Figura 4

Polarización Inversa:

El ánodo se conecta al negativo de la fuente de voltaje y el cátodo al positivo,

en esta configuración la resistencia del diodo aumenta en grandes cantidades y
esto hace que actué como un interruptor abierto.

Figura 5

8
Entre los diodos que existen se encuentran los siguientes:

1. Diodo led.
2. Diodo Zener.
3. Diodo Rectificador.
4. Diodo Metálico-Semiconductor.
5. Diodo Pin.
6. Diodo Schottky.
7. Diodo Túnel.
8. Diodo Laser.
9. Diodo de Control Puntual.
10. Fotodiodos.
11. Varicaps.
12. Diodos de Potencia.

A continuación se darán las características de tres de estos Diodos los cuales

son los siguientes:

1. Diodo led.
2. Diodo Zener.
3. Diodo Rectificador

9
 Diodo led (Light-EmittingDiode)

El primer led fue desarrollado en 1927 por Oleg Vladimiro Vich Losev, sin
embargo no se usó en la industria hasta los años sesenta. Solo se podían
construir de color rojo, verde y amarillo con poca intensidad de luz y limitaba su
utilización a mandos a distancia (controles remotos) y electrodomésticos para
marcar el encendido y apagado. A finales del siglo XX se inventaron los ledes
ultravioletas y azules, lo que dio paso al desarrollo del led blanco, que es un led
de luz azul con recubrimiento de fósforo que produce una luz amarilla, la
mezcla del azul y el amarillo produce una luz blanquecina denominada "luz de
luna" consiguiendo alta luminosidad (7 lúmenes unidad) con lo cual se ha
ampliado su utilización en sistemas de iluminación.

Funcionamiento físico

El funcionamiento físico consiste en que, en los materiales semiconductores,

un electrón al pasar de la banda de conducción a la de valencia,
pierde energía; esta energía perdida se puede manifestar en forma de un fotón
desprendido, con una amplitud, una dirección y una fase aleatoria. El que esa
energía perdida cuando pasa un electrón de la banda de conducción a la de
valencia se manifieste como un fotón desprendido o como otra forma de
energía (calor por ejemplo) va a depender principalmente del tipo de material
semiconductor. Cuando un diodo semiconductor se polariza directamente, los
huecos de la zona p se mueven hacia la zona n y los electrones de la zona n
hacia la zona p; ambos desplazamientos de cargas constituyen la corriente que
circula por el diodo.

Si los electrones y huecos están en la misma región, pueden recombinarse, es

decir, los electrones pueden pasar a "ocupar" los huecos, "cayendo" desde un
nivel energético superior a otro inferior más estable. Este proceso emite con
frecuencia un fotón en semiconductores de banda prohibida directa o "direct
band gap" con la energía correspondiente a su banda prohibida.

10
Esto no quiere decir que en los demás semiconductores (semiconductores de
banda prohibida indirecta o "indirect band gap") no se produzcan emisiones en
forma de fotones.

Sin embargo, estas emisiones son mucho más probables en los

semiconductores de banda prohibida directa (como el Nitruro de Galio) que en
los semiconductores de banda prohibida indirecta (como el silicio).

La emisión espontánea, por tanto, no se produce de forma notable en todos los

diodos y sólo es visible en diodos como los ledes de luz visible, que tienen una
disposición constructiva especial con el propósito de evitar que la radiación sea
reabsorbida por el material circundante, y una energía de la banda prohibida
coincidente con la correspondiente al espectro visible. En otros diodos, la
energía se libera principalmente en forma de calor, radiación
infrarroja o radiación ultravioleta. En el caso de que el diodo libere la energía en
forma de radiación ultravioleta, se puede conseguir aprovechar esta radiación
para producir radiación visible, mediante sustancias fluorescentes
o fosforescentes que absorban la radiación ultravioleta emitida por el diodo y
posteriormente emitan luz visible.

Figura 6

El dispositivo semiconductor está comúnmente encapsulado en una cubierta

de plástico de mayor resistencia que las de vidrio que usualmente se emplean
en las lámparas incandescentes. Aunque el plástico puede estar coloreado, es
sólo por razones estéticas, ya que ello no influye en el color de la luz emitida.
Usualmente un led es una fuente de luz compuesta con diferentes partes,
razón por la cual el patrón de intensidad de la luz emitida puede ser bastante
complejo.

11
Para obtener buena intensidad luminosa debe escogerse bien la corriente que
atraviesa el led; para ello, hay que tener en cuenta que el voltaje de operación
va desde 1,8 hasta 3,8 volts aproximadamente (lo que está relacionado con el
material de fabricación y el color de la luz que emite) y la gama
de intensidades que debe circular por él varía según su aplicación.

Valores típicos de corriente directa de polarización de un led corriente están

comprendidos entre los 10 y los 40 mA. En general, los ledes suelen tener
mejor eficiencia cuanto menor es la corriente que circula por ellos, con lo cual,
en su operación de forma optimizada, se suele buscar un compromiso entre la
intensidad luminosa que producen (mayor cuanto más grande es la intensidad
que circula por ellos) y la eficiencia (mayor cuanto menor es la intensidad que
circula por ellos).

El primer led que emitía en el espectro visible fue desarrollado por el ingeniero
de General Electric Nick Holonyak en 1962.

En corriente continua (CC), todos los diodos emiten cierta cantidad

de radiación cuando los pares electrón-hueco se recombinan; es decir, cuando
los electrones caen desde la banda de conducción (de mayor energía) a la
banda de valencia (de menor energía), emitiendo fotones en el proceso.
Indudablemente, por ende, su color, dependerá de la altura de la banda
prohibida (diferencias de energía entre las bandas de conducción y valencia),
es decir, de los materiales empleados. Los diodos convencionales,
de silicio o germanio, emiten radiación infrarroja muy alejada del espectro
visible. Sin embargo, con materiales especiales pueden conseguirse longitudes
de onda visibles. Los ledes e IRED, además tienen geometrías especiales para
evitar que la radiación emitida sea reabsorbida por el material circundante del
propio diodo, lo que sucede en los convencionales.

Figura

12
 Compuestos empleados en la construcción de ledes

Long. de
Compuesto Color
onda

Arseniuro de galio (GaAs) Infrarrojo 940 nm

Arseniuro de
Rojo e infrarrojo 890 nm
galio y aluminio (AlGaAs)

Rojo, anaranjado y
Arseniuro fosfuro de galio (GaAsP) 630 nm
amarillo

Fosfuro de galio (GaP) Verde 555 nm

Nitruro de galio (GaN) Verde 525 nm

Seleniuro de zinc (ZnSe) Azul

Nitruro de galio e indio (InGaN) Azul 450 nm

Carburo de silicio (SiC) Azul 480 nm

Diamante (C) Ultravioleta

Silicio (Si) En desarrollo

13
Los primeros diodos construidos fueron los diodos infrarrojos y de color rojo,
permitiendo el desarrollo tecnológico posterior la construcción de diodos
para longitudes de onda cada vez menores. En particular, los diodos azules
fueron desarrollados a finales de los años noventa por ShujiNakamura,
añadiéndose a los rojos y verdes desarrollados con anterioridad, lo que
permitió por combinación de los mismos la obtención de luz blanca. El diodo de
seleniuro de Zinc puede emitir también luz blanca si se mezcla la luz azul que
emite con la roja y verde creada por fotoluminiscencia. La más reciente
innovación en el ámbito de la tecnología led son los diodos ultravioleta, que se
han empleado con éxito en la producción de luz negra para iluminar materiales
fluorescentes.

Tanto los diodos azules como los ultravioletas son caros respecto de los más
comunes (rojo, verde, amarillo e infrarrojo), siendo por ello menos empleados
en las aplicaciones comerciales.

Los ledes comerciales típicos están diseñados para potencias del orden de los
30 a 60 mW. En torno a 1999 se introdujeron en el mercado diodos capaces de
trabajar con potencias de 1 vatio para uso continuo; estos diodos tienen
matrices semiconductoras de dimensiones mucho mayores para poder soportar
tales potencias e incorporan aletas metálicas para disipar el calor generado
por efecto Joule.

Hoy en día, se están desarrollando y empezando a comercializar ledes con

prestaciones muy superiores a las de hace unos años y con un futuro
prometedor en diversos campos, incluso en aplicaciones generales de
iluminación. Como ejemplo, se puede destacar que NichiaCorporation ha
desarrollado ledes de luz blanca con una eficiencia luminosa de 150 lm/W,
utilizando para ello una corriente de polarización directa de 20 (mA). Esta
eficiencia, comparada con otras fuentes de luz en términos de rendimiento sólo,
es aproximadamente 1,7 veces superior a la de la lámpara fluorescente con
prestaciones de color altas (90 lm/W) y aproximadamente 11,5 veces la de una
lámpara incandescente (13 lm/W). Su eficiencia es incluso más alta que la de la
lámpara de vapor de sodio de alta presión (132 lm/W), que está considerada
como una de las fuentes de luz más eficientes.

14
El comienzo del siglo XXI ha visto aparecer los diodos OLED (ledes orgánicos),
fabricados con materiales polímeros orgánicos semiconductores. Aunque la
eficiencia lograda con estos dispositivos está lejos de la de los diodos
inorgánicos, su fabricación promete ser considerablemente más barata que la
de aquellos, siendo además posible depositar gran cantidad de diodos sobre
cualquier superficie empleando técnicas de pintado para crear pantallas en
color.

El OLED (Organic Light-EmittingDiode): ‘diodo orgánico de emisión de luz’) es

un diodo basado en una capa electroluminiscente que está formada por una
película de componentes orgánicos, y que reaccionan a una determinada
estimulación eléctrica, generando y emitiendo luz por sí mismos.

No se puede hablar realmente de una tecnología OLED, sino más bien de

tecnologías basadas en OLED, ya que son varias las que hay, dependiendo del
soporte y finalidad a la que vayan destinados.

Su aplicación es realmente amplia, mucho más que, en el caso que nos ocupa
(su aplicación en el mundo de la informática), cualquier otra tecnología
existente.

Pero además, las tecnologías basadas en OLED no solo tienen una aplicación
puramente como pantallas reproductoras de imagen, sino que su horizonte se
amplía al campo de la iluminación, privacidad y otros múltiples usos que se le
pueda dar.

Las ventajas de esta nueva tecnología son enormes, pero también tiene una
serie de inconvenientes, aunque la mayoría de estos son totalmente
circunstanciales, y desaparecerán en unos casos conforme se siga
investigando en este campo y en otros conforme vaya aumentando su uso y
producción.

Una solución tecnológica que pretende aprovechar las ventajas de la eficiencia

alta de los ledes típicos (hechos con materiales inorgánicos principalmente) y
los costes menores de los OLED (derivados del uso de materiales orgánicos)
son los Sistemas de Iluminación Híbridos (Orgánicos/Inorgánicos)

15
Basados en diodos emisores de luz. Dos ejemplos de este tipo de solución
tecnológica los está intentado comercializar la empresa Cyberlux con los
nombres de Hybrid White Light (HWL) (Luz Blanca Híbrida) y HybridMulti-color
Light (HML) (Luz Multicolor Híbrida), cuyo resultado, puede producir sistemas
de iluminación mucho más eficientes y con un coste menor que los actuales.

Aplicaciones

Figura 7 Pantalla de led’s.

Figura 8 Ledes aplicados en focos de autos.

16
DIODOS INFRARROJOS

Los diodos infrarrojos (IRED) se emplean desde mediados del siglo XX

en mandos a distancia de televisores, habiéndose generalizado su uso en
otros electrodomésticos como equipos de aire acondicionado, equipos de
música, etc., y en general para aplicaciones de control remoto, así como en
dispositivos detectores, además de ser utilizados para transmitir datos entre
dispositivos electrónicos como en redes de computadoras y dispositivos
como teléfonos móviles, computadoras de mano, aunque esta tecnología de
transmisión de datos ha dado paso al bluetooth en los últimos años, quedando
casi obsoleta.

Los ledes se emplean con profusión en todo tipo de indicadores de estado

(encendido/apagado) en dispositivos de señalización (de tránsito, de
emergencia, etc.) y en paneles informativos (el mayor del mundo, del NASDAQ,
tiene 36,6 metros de altura y está en Times Square, Manhattan). También se
emplean en el alumbrado de pantallas de cristal líquido de teléfonos móviles,
calculadoras, agendas electrónicas, etc., así como en bicicletas y usos
similares. Existen además impresoras con ledes.

El uso de ledes en el ámbito de la iluminación (incluyendo la señalización de

tráfico) es moderado y es previsible que se incremente en el futuro, ya que sus
prestaciones son superiores a las de la lámpara incandescente y la lámpara
fluorescente, desde diversos puntos de vista. La iluminación con ledes presenta
indudables ventajas: fiabilidad, mayor eficiencia energética, mayor resistencia a
las vibraciones, mejor visión ante diversas circunstancias de iluminación, menor
disipación de energía, menor riesgo para el medio ambiente, capacidad para
operar de forma intermitente de modo continuo, respuesta rápida, etc.
Asimismo, con ledes se pueden producir luces de diferentes colores con un
rendimiento luminoso elevado, a diferencia de muchas de las lámparas
utilizadas hasta ahora, que tienen filtros para lograr un efecto similar (lo que
supone una reducción de su eficiencia energética).

17
Cabe destacar también que diversas pruebas realizadas por importantes
empresas y organismos han concluido que el ahorro energético varía entre un
70% y 80% respecto a la Iluminación tradicional que se utiliza hasta ahora.

Todo ello pone de manifiesto las numerosas ventajas que los ledes ofrecen en
relación al alumbrado público.

Los ledes de Luz Blanca son uno de los desarrollos más recientes y pueden
considerarse como un intento muy bien fundamentado para sustituir
las bombillas actuales (lámparas incandescentes) por dispositivos mucho más
ventajosos. En la actualidad se dispone de tecnología que consume el 92%
menos que las bombillas incandescentes de uso doméstico común y un 30%
menos que la mayoría de las lámparas fluorescentes; además, estos ledes
pueden durar hasta 20 años y suponer un 200% menos de costes totales de
propiedad si se comparan con las bombillas o tubos fluorescentes
convencionales. Estas características convierten a los ledes de Luz Blanca en
una alternativa muy prometedora para la iluminación.

También se utilizan en la emisión de señales de luz que se trasmiten a través

de fibra óptica. Sin embargo esta aplicación está en desuso ya que
actualmente se opta por tecnología láser que focaliza más las señales de luz y
permite un mayor alcance de la misma utilizando el mismo cable.

Sin embargo en los inicios de la fibra óptica eran usados por su escaso coste,
ya que suponían una gran ventaja frente al coaxial (aun sin focalizar la emisión
de luz).

Pantalla de ledes: pantalla muy brillante, formada por filas de ledes verdes,
azules y rojos, ordenados según la arquitectura RGB, controlados
individualmente para formar imágenes vivas, muy brillantes, con un altísimo
nivel de contraste, entre sus principales ventajas, frente a otras pantallas
encontramos: buen soporte de color, brillo extremadamente alto, lo que le da la
capacidad ser completamente visible bajo la luz del sol, es increíblemente
resistente a impactos.

18
 fig., 10 PANTALLA OLED

Conexión

Para conectar ledes de modo que iluminen de forma continua, deben estar
polarizados directamente, es decir, con el polo positivo de la fuente de
alimentación conectado al ánodo y el polo negativo conectado al cátodo.
Además, la fuente de alimentación debe suministrarle una tensión o diferencia
de potencial superior a su tensión umbral. Por otro lado, se debe garantizar que
la corriente que circula por ellos no exceda los límites admisibles, lo que
dañaría irreversiblemente al led. (Esto se puede hacer de manera sencillacon
una resistencia R en serie con los ledes). Unos circuitos sencillos que muestran
cómo polarizar directamente ledes son los siguientes:

Figura 9

19
La diferencia de potencial Vd. varía de acuerdo a las especificaciones
relacionadas con el color y la potencia soportada.

En términos generales, pueden considerarse de forma aproximada los

siguientes valores de diferencia de potencial:

Rojo = 1,8 a 2,2 volt.

Amarillo = 2,1 a 2,4 volt.

Verde = 2 a 3,5 volt.

Azul = 3,5 a 3,8 volt.

Blanco = 3,6 volt.

Luego mediante la ley de Ohm, puede calcularse la resistencia R adecuada

para la tensión de la fuente V fuente que utilicemos

Figura 10

El término I, en la fórmula, se refiere al valor de corriente para la intensidad

luminosa que necesitamos. Lo común es de 10 mA para ledes de baja
luminosidad y 20 mA para ledes de alta luminosidad; un valor superior puede
inhabilitar el led o reducir de manera considerable su tiempo de vida.

Otros ledes de una mayor capacidad de corriente conocidos como ledes de

potencia (1 W, 3 W, 5 W, etc.), pueden ser usados a 150 mA, 350 mA, 750 mA
o incluso a 1000 mA dependiendo de las características opto-eléctricas dadas
por el fabricante.

20
Cabe recordar que también pueden conectarse varios en serie, sumándose las
diferencias de potencial en cada uno. También se pueden hacer
configuraciones en paralelo, aunque este tipo de configuraciones no son muy
recomendadas para diseños de circuitos con ledes eficientes.

Hay que tener en cuenta para el cálculo del valor de la resistencia la Ley de
Ohm, en el ejemplo, este tipo de pilas es de 9 voltios, y el diodo led necesita
1,8 voltios, por lo que han de caer en la resistencia la diferencia 7.2 V y el
consumo del diodo es de unos 18 mA (0,018 A), por tanto
7,2/0,018=400 ohmios.

Esquema básico de conexión en paralelo.

Figura 11

DIODO ZENER

Los diodos zener, zener diodo o simplemente zener, son diodos que están
diseñados para mantener un voltaje constante en su terminales, llamado
Voltaje o Tensión Zener (Vz.) cuando se polarizan inversamente, es decir
cuando está el cátodo con una tensión positiva y el ánodo negativa. Un zener
en conexión con polarización inversa siempre tiene la misma tensión en sus
extremos.

21
 Figura 12 Figura 13

¿CÓMO FUNCIONA UN DIODO ZENER?

Cuando lo polarizamos inversamente y llegamos a Vz. el diodo conduce y

mantiene la tensión Vz. constante aunque nosotros sigamos aumentando la
tensión en el circuito. La corriente que pasa por el diodo zener en estas
condiciones se llama corriente inversa (Iz).Se llama zona de ruptura por encima
de Vz. Antes llegar a Vz. el diodo zener NO Conduce. Como se ve es
un regulador de voltaje o tención tensión. Cuando está polarizado
directamente el zener se comporta como un diodo normal.

Pero mientras la tensión inversa sea inferior a la tensión zener, el diodo no

conduce, solo conseguiremos tener la tensión constante Vz., cuando esté
conectado a una tensión igual a Vz. o mayor. Aquí puedes ver una la curva
característica de un zener:

Figura 14

22
Para el zener de la curva vemos que se activaría para una Vz de 5V (zona de
ruptura), lógicamente polarizado inversamente, por eso es negativa. En la
curva de la derecha vemos que sería conectado directamente, y conduce
siempre, como un diodo normal. Este diodo se llamaría diodo zener de 5V, pero
podría ser un diodo zener de 12V, etc. Sus dos características más importantes
son su Tensión Zener y la máxima Potencia que pueden disipar = Pz (potencia
zener).

La relación entre Vz. y Pz nos determinará la máxima corriente inversa,

llamada Izmáx. OJO si sobrepasamos esta corriente inversa máxima el diodo
zener puede quemarse, ya que no será capaz de disipar tanta potencia. Un
ejemplo: Tenemos un diodo zener de 5,1V y 0,5w. ¿Cuál será la máxima
corriente inversa que soportará?
Recordamos P = V x I; I = P/V. En nuestro caso Izmáx = Pz/Vz = 0,5/5,1 =
0,098A. Para evitar que nunca pasemos de la corriente inversa máxima, los
diodos zener se conectan siempre con una resistencia en serie que llamamos
"Resistencia de Drenaje" Conexión básica de un diodo zener en un circuito:

Figura 15

23
DIODO RECTIFICADOR

Un diodo rectificador es útil para pasar sólo la mitad positiva o la mitad negativa
de una señal de corriente alterna (CA), mediante el proceso de rectificación.
Comúnmente los circuitos rectificadores son utilizados en el diseño de fuentes
de poder, donde la potencia de corriente alterna (CA) se debe transformar en
potencia de corriente directa (CD) lo cual es muy útil para circuitos electrónicos
y digitales. El diodo rectificador es uno de los mecanismos de la familia de los
diodos más sencillos. El nombre diodo rectificador deriva de su aplicación, la
que consiste en separar los semi-ciclos positivos y negativos de una señal de
corriente alterna. Si se aplica al diodo una tensión de corriente alterna durante
los semi-ciclos positivos, se polariza en forma directa; de esta manera, permite
el paso de la corriente eléctrica. Pero durante los semi-ciclos negativos, el
diodo se polariza de manera inversa; con ello, evita el paso de la corriente en
tal sentido.

 Durante la fabricación de los diodos rectificadores, se consideran tres

factores:
A) La frecuencia máxima en que realizan correctamente su función

B) La corriente máxima en que pueden conducir en sentido directo

C) Las tensiones directa e inversa máximas que soportarán.

RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA

El circuito rectificador de media onda nos permite convertir corriente

alterna en corriente continua, es el circuito más simple para explicar el
concepto de rectificación. Los rectificadores de media onda producen
una mayor cantidad de ondulaciones que los rectificadores de onda
completa, por lo tanto, es recomendable utilizar un condensador para
suavizar y de esta manera eliminar la frecuencia armónica de corriente
alterna (CA) de la salida de corriente directa (CD).

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El siguiente circuito es la representación de un rectificador de media
onda:

Figura 16

RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA

El circuito rectificador de onda completa es un circuito en el que nos

permite aprovechar ambos semi-ciclos de la corriente alterna y obtener
corriente directa, aunque los resultados de las ondas aparentan ser
similares a la rectificación de media onda es posible observar
diferencias y ventajas al emplear una rectificación de onda completa,
se puede observar niveles de intensidad superiores y la caída de
tensión es menor al aplicar una carga a nuestro circuito (En este caso
la carga sería RL). Para poder hacer una rectificación de onda
completa se necesita un transformador con derivación central o cuatro
diodos.

Figura 17

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PUENTE RECTIFICADOR

El puente rectificador o también conocido como puente de Graetz es un

circuito electrónico que produce una salida de corriente directa similar a
un rectificador de onda completa, este tipo de circuito requiere de
cuatro diodos los cuales deben ser colocados como se muestra en la
Figura, el puente rectificador permite la rectificación de onda completa
de un transformador que no tenga una toma central.

Figura 18

CALCULAR RESISTENCIA EN CIRCUITO CON DOS DIODOS Y UN FOCO

En el cálculo de resistencias es muy común en cualquier tipo de práctica, ya

sea electrónica, circuitos, dispositivos etc. en el siguiente post describiremos
paso a paso como podemos determinar una resistencia con un problema visto
en clase, esto es muy necesario en caso de que necesitemos de un cálculo
para algún proyecto y ciertos diodos, transformadores, puentes, etc. necesiten
de una reducción de voltaje, he aquí el que tipo de resistencia utilizaremos para
reducir tal voltaje.

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Para resolver este circuito debemos utilizar dos simples leyes, se tiene que:

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 CONCLUSION

En conclusión podemos deducir que los semiconductores son elementos

importantes dentro de los circuitos electrónicos

Conocimos acerca de su historia y composición

Aprendimos acerca del diodo semiconductor y el funcionamiento de la unión P-

N. Así también, conocimos de su composición y aplicaciones en el campo
eléctrico, de su comportamiento frente a diferentes maneras de conexión y que
existen distintos tipos de diodos; cada uno con múltiples aplicaciones.

Entre ellos destacamos tres:

A. El diodo led (Light-EmittingDiode)

B. El diodo zener
C. El diodo rectificador

De estos pudimos reconocer su uso y función, así como los detalles de su

activación y efectos sobre la corriente eléctrica.

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