Practica 5.

El SRT y el TRIAC

Solis Robles Juan Manuel 00000182325

Mercado Castro Jesus Rolando 00000141184
Orduño Macias Luis Alfonso 00000147179
Robles Lagarda Oscar Eduardo 00000148013
Maestro: Obed Abraham Valle López
Laboratorio de Sistemas electrónicos de
potencia

13/03/2019 Cd. Obregón, Sonora.

 Resumen
En esta práctica se observó mediante la utilización del paquete de simulación Orcad
Pspice el funcionamiento los diodos en relación a sus voltajes y corrientes. Con este
paquete fue observar el comportamiento teórico de estos componentes
semiconductores, como lo son los diodos y el transistor MOSFET.

Introducción
Esta práctica se centrará en la utilización de la herramienta de simulación Orcad
Pspice para el análisis del comportamiento de circuitos eléctricos simples utilizando
los conceptos de la electrónica de semiconductores de los diodos y los transistores
MOSFET.

Objetivos
Revisar el funcionamiento de los dispositivos semiconductores como es el diodo y
el transistor MOSFET, graficando sus curvas v-i y simulando en análisis transitorio
con el paquete de simulación Orcad Pspice.
 Teoría
Desarrollo
Se creó primero que nada el proyecto dentro del programa de simulación y se creó
el circuito de la figura 1 añadiendo las partes mediante las librerías existentes
dentro del programa.

Figura 1. Circuito para obtener la curva de voltaje del diodo D1.

Mediante la utilización de la punta de medición de voltaje en el D1 de la figura 1 y

utilizando los parámetros dados en la práctica (figura 2) se simuló el circuito. Lo
obtenido se observa en la figura 3 en la sección de Datos experimentales y
calculados.

Figura 2. Parámetros de simulación para el circuito de la figura 1.

Datos experimentales y calculados

Análisis de resultados

Conclusiones

Apendices