LÍNEAS MICROCINTAS CINTA

Antes de 1965 casi todo el equipo de microondas utilizó coaxial, guías de onda o líneas de cinta
paralelas. En años recientes, con la introducción de circuitos integrados monolíticos de microonda (MMIC's)
las líneas de microcinta y líneas de cinta paralelas han sido usadas ampliamente., porque ellas proporcionan
una libre y accesible superficie en la cual el dispositivo de estado sólido puede ser colocado. Por lo cual
describiremos las líneas paralelas, coplanares y líneas de cinta protegidas y microcintas, las cuales se
muestran en la figura 1.
Todos los dispositivos eléctricos y electrónicos con una potencia de salida alta usan
convencionalmente líneas, tales como las líneas coaxiales o guías de onda, para la transmisión de potencia.
Como sea al dispositivo de estado sólido de microondas es usual mente fabricado como un chip
semiconductor con un volumen del orden de O.OO8 - O.O8 mm. El método de aplicar señales a los chips y
extraer potencia como salida de ellos mismos, es enteramente diferente del usado para dispositivos de tubos
de vacío.
Circuitos integrados de microondas con líneas de microcinta son comúnmente empleados con los
chips. La línea de microcinta es también llamada una línea de cinta abierta. En aplicaciones de ingeniería, las
unidades de MKS no han sido universalmente adoptadas para el uso en el diseño de líneas de microcintas.
Así en el presenta trabajo, se usará ya sea el sistema inglés o el MKS de unidades, .dependiendo de la
aplicación, para propósitos prácticos.
Los modos en las líneas de microcinta son solamente quasi-transverso eléctrico y magnético(TEM).
Así la teoría de las líneas de TEM acopladas se aplica aproximadamente igual. Las pérdidas por radiación en
líneas de microcinta es un problema, particularmente en las discontinuidades y postes dé circuitos cortos,
ángulos y así sucesivamente. Como sea el uso de materiales

109
 LÍNEAS DE CAMPO
DIAGRAMAS ESQUEMÁTICOS DE LAS LÍNEAS DE CINTA

Delgados, y altamente dieléctricos reduce considerablemente las pérdidas por radiación de una línea
de cinta abierta. Una línea de microcinta posee una ventaja sobre las líneas de cinta balanceadas porque la
línea de cinta abierta tiene mejores características de interconexión y una fabricación más sencilla.
Diversas investigaciones han analizado el circuito de una línea de microcinta montada en un
sustrato infinito de dieléctrico sobre un plano de tierra infinito. El análisis numérico de líneas de microcintas,
como sea, requiere cómputos digitales largos, puesto que los problemas de la línea de microcinta pueden ser
generalmente resueltos por transformaciones conformadas sin requerir cálculos numéricos completos.

IMPEDANCIA CARACTERÍSTICA DE LAS LÍNEAS DE MICROCINTA

Las líneas de microcinta son usadas extensamente para interconectar circuitos lógicos de alta
velocidad en computadoras digitales, porque ellas pueden ser fabricadas por técnicas automáticas y ellas
proporcionan las rutas requeridas para las señales. La figura 2 muestra las secciones transversales de una línea
de microcinta y un alambre sobre un plano de tierra para propósitos comparativos.
En la figura 2 (a) se puede visualizar la impedancia característica de una línea de microcinta, siendo
ésta una función del ancho de la línea de microcinta, el grosor de la línea de cinta, la distancia entre la línea y
el plano de tierra, y de la constante del material homogéneo dieléctrico. Diferentes métodos para determinar la
impedancia característica de las líneas, de microcinta han sido desarrolladas. La ecuación de campo fue
empleada por diferentes autores para tener un cálculo de un valor preciso de la impedancia característica.
Como sea, este requiere el uso de un proceso en una computadora digital un poco extenso siendo
extremadamente complicado. Otro método es derivar la ecuación de la impedancia característica de la línea de
microcinta a partir de una ecuación bastante conocida. Este método es llamado un método comparativo o
método indirecto. La ecuación bastante conocida de la impedancia característica de un alambre sobre una
línea de transmisión aterrizada, corno se muestra en la figura 2-b, esta dada por:

60 4h
Zo ln (1)
r d

110
donde :
εr = Constante dieléctrica del medio ambiente.
H = La altura desde el centro de el alambre a el plano de tierra.
d = Diámetro del alambre.
Si los valores efectivos o equivalentes de la constante dieléctrica relativa εr del medio ambiente y el
diámetro d del alambre puede ser determinado a partir de la línea de microcinta, la impedancia característica
de la línea de microcinta puede ser determinada.

CONSTANTE DIELÉCTRICA EFECTIVA

Para un medio dieléctrico homogéneo, el tiempo de retraso de propagación por unidad de longitud es:
Td (2)

donde :
μ = Permeabilidad del medio
ε = Permitividad del medio
En el espacio libre, el tiempo de retraso de la propagación es:

Tdf o o 3.333 _ ns / m _ o _ 1.016 _ ns / ft (3)

donde :

En líneas de trasmisión usadas para interconexión, la permeabilidad relativa es 1. Consecuentemente,

el tiempo de retraso de propagación para una línea en un medio no magnético es:

111
 Td 1.106 r _ ns / ft (4)

La constante dieléctrica relativa efectiva para una línea de microcinta puede ser relacionada con la
constante dieléctrica relativa del material que la constituye.- Digiacomo y sus colaboradores descubrieron una
ecuación empírica para la constante dieléctrica relativa efectiva de una línea de microcinta en función del
tiempo de retraso y de la constante dieléctrica de varios materiales dieléctricos, tales como la fibra de vidrio-
epoixy y nylon fenolico.
La ecuación empírica, mostrada en la figura 3 es expresada como;

r0 0.475 r 0.67 (5)

donde:
εr : es la constante dieléctrica relativa del material.
Εr0 : es la constante dieléctrica relativa efectiva para una línea de microcinta.

TRANSFORMACIÓN DE UN CONDUCTOR RECTANGULAR

EN UN CONDUCTOR EQUIVALENTE CIRCULAR

La sección transversal de una línea de microcinta es rectangular, así el conductor rectangular debe ser
transformado a un conductor equivalente circular. Springfield descubrió una ecuación empírica para la
transformación. Su ecuación es:
t
d 0.67w(0.8 )
w
donde :
d = Diámetro del conductor sobre tierra.
W = Ancho de la línea de rnicrocinta
t = Grosor de la línea de transmisión
La limitación de la relación del grosor-ancho esta entre 0.1 y 0.8 como se indica en la figura 4.

ECUACIÓN DE LA IMPEDANCIA CARACTERÍSTICA

Substituyendo la ecuación 5 para la constante dieléctrica y la ecuación 6 para el diámetro equivalente
en la ecuación 1 se tiene;

112
 87 5.98h
Z0 ln para(h 0.8w) (7)
r 1.41 0.8w t

Para ( h < 0.8 w ) ...(7)

Donde:
εr = Constante Dieléctrica relativa de el material
h = Peso de la línea de microcinta a la tierra
w = AfeBSü2/ide la línea de microcinta
t = Grosor de la línea de microcinta

La ecuación 7 es la ecuación de la impedancia característica para una línea de microcinta delgada. La

velocidad de propagación

C 3 x10 8
v m/s (8)
r0 r0

La impedancia carácteristica para una línea de microcinta ancha fue derivada por Assadouriany otros
y es expresada corno:

h 377 h
Z0 * para( w h) (9)
w r w

LIMITACIONES DE LA ECUACIÓN 7
La mayoría de las líneas de microcinta están hechas de placas de cobre con un grosor de 1.4 o 2.8
mils (1 o 2 onzas de cobre por pie cuadrado). Los anchos más delgados de las líneas en producción son de
0.OO5 – 0.010 pulgadas. Los anchos de las líneas son usualmente menos que 0.020 pulgadas,
consecuentemente, las relaciones de grosor-ancho de menos de 0.1 no son comunes. La aproximación de la

113
línea recta de la ecuación 6 es un valor exacto de la impedancia característica, o de la relación del grosor
ancho entre 0.1 y 0.8.
Dado que la constante dieléctrica de los materiales usada no varía excesivamente con la frecuencia,
la constante dieléctrica de una línea de microcinta puede ser considerada independiente de la frecuencia. La
validez de la ecuación 7 es dudosa para valores de dieléctricos de grosor t que son en un 80% más grandes
que el ancho de la línea w. Valores típicos para la impedancia característica de una línea de microcinta varían
de 50 a 150 Ω, si los valores de los parámetros varían de una εr = 5.23 t = 2.8 millas, w = 10 millas y h =
millas a una εr = 2.9, t = 2.8 milla, w = 10 millas y h = 67 millas.

PERDIDAS EN LÍNEAS DE MICROCINTAS

Las líneas de transmisión de microcintas consistentes de cintas conductoras adheridas a un

dieléctrico con un respaldo de conductor ( ver figura 5) son ampliamente usadas en tecnología de
computadoras y microonda. Debido a que tales cintas se fabrican fácilmente por técnicas de fabricación de
circuitos impresos, poseyendo un merito técnico y económico.
La impedancia característica y velocidad de propagación de la onda de una línea de microcinta fue
analizadas en hojas precedentes. Las otras características de las líneas de microcintas es la atenuación. La
constante de atenuación del modo dominante de las microcintas depende de factores geométricos, propiedades
eléctricas de el substrato y de los conductores así de cómo la frecuencia.
Para sustratos de dieléctricos no magnéticos, ocurren dos tipos de perdidas en el modo dominante de
las microcintas:
Perdidas en el substrato del dieléctrico.
perdidas ohmicas por el efecto Skin en los conductores de cinta y el plano de tierra.
La suma de estas dos perdidas puede expresarse como perdidas por unidad de longitud en términos
del factor de atenuación . A partir de la teoría de las líneas de transmisión, la potencia que tiene una onda
viajando en la dirección positiva del eje de las z esta dada por:

1 * 1 z z 1 |V | 2 z
P VI (V e I e ) e
2 2 2 ZO
2 z
P PO e

donde:
2
V
PO es la potencia en z= 0
2Z O

La constante de atenuación puede ser expresada como:

dP
dz
d c
2 P( z )

donde:
d =es la constante de atenuación del dieléctrico

c =es la constante ohmica de atenuación

114
El gradiente de potencia en la dirección de z en la ecuación 11 puede ser expresada en términos de la perdida
de potencia disipada debido a la resistencia por unidad de longitud en el dieléctrico. Esto es,

dP( z ) d 1 1 dV 1 dI *
VI * I* V
dz dz 2 2 dz 2 dz

1 1
( RI ) I * V *V
2 2

1 1
| I |2 R | V |2 Pc Pd
2 2
donde:
= es la conductividad de la placa de substrato de dieléctrico.
Sustituyendo la ecuación 12 en la ecuación 11 resulta:

Pd
d Np / cm
2 P( z )

Pc
c Np / cm
2 P( z )

PERDIDAS EN EL DIELÉCTRICO

Cuando en la conductividad de un dieléctrico no puede ser despreciada, los campos eléctricos y

magnéticos en el dieléctrico no están muy separados en tiempo de fase. En este caso la constante de
atenuación esta expresada por:

d Np / cm
2

donde:
=es la conductividad del substrato de dieléctrico en mhos/cm. Esta constante dieléctrica puede ser
expresada en términos de las perdidas tangenciales como muestra la siguiente ecuación:

tan

Entonces la constante dieléctrica de atenuación esta expresada como:

d tan Np / cm
2

115
 Dado que la línea de microcinta es un sistema dieléctrico mezclado no magnético, el dieléctrico
arriba de la línea de microcinta es el aire, en el cual no ocurren perdidas. Welch y Pratt desarrollaron una
expresión para la constante de atenuación del substrato de dieléctrico. Poco después Later y Pucel y sus
colaboradores modificaron la ecuación de Welch’s. El resultado es:

q o
d 4.34
ro o
q
1.634x109 dB / cm
re

FACTOR DE ATENUACIÓN ELÉCTRICA

FIGURA 7.

En la ecuación 18 la conservación del factor de 1 Np = 8.686 dB es usada, ro es la constante

dieléctrica efectiva del substrato, como se expresa en la ecuación 5, y q denota el factor de relleno del
dieléctrico, definido por Wheeler como:

ro 1
q
r 1

Nosotros expresamos la constante de atenuación por unidad de longitud como:

q r tan
d 27 .3( )
ro g

116
donde:
o
g
ro
y
C
o = es la longitud de onda en el espacio libre, o g y C es la velocidad de la luz en él vació.
f or

Si las perdidas tangencial, tan , es independiente de la frecuencia, la atenuación del dieléctrico por
longitud de onda es también independiente de la frecuencia. Por otra parte, si la conductividad del substrato es
independiente de la frecuencia, en cuanto a semiconductores, la atenuación del dieléctrico por unidad es
también independiente de la frecuencia. Desde que q es una función E r y w/h, los factores de relleno para las
perdidas tangenciales qEn / Ero y para la conductividad q / Ero son tambien funciones de estas cantidades. La
figura 6 muestra las perdidas tangenciales del factor del relleno contra w / h para un rango de constantes
dieléctricas conveniente para microondas de circuitos integrados.
Para varios propósitos prácticos, este factor es considerado 1. la figura 7 muestra el producto d
contra w / h para dos substratos semiconductores, silicón y galio arsénico que es usado para circuitos
integrados de microondas.

PERDIDAS OHMICAS

Son los conductores no perfectos. La densidad de corriente en los conductores de una línea de
microcinta es concentrado en una hoja, esta aproximadamente de una profundidad skin dentro de la superficie
del conductor delgado y el delgado plano de tierra son asumidos de al menos de 3 o 4 penetración skin.
La densidad de corriente en el conductor de cinta y el conductor de microcinta contribuye en mayor
parte a las perdidas ohmicas, un diagrama de la densidad de corriente J para una línea de microcinta es
mostrado en la figura 8.
Debido a la complejidad matemática, expresiones exactas para la densidad de corriente de una línea
de microcinta de grosor no-cero nunca habían sido derivadas. Varios investigadores asuman, por simplicidad,
que la distribución de corriente es uniforme e igual a I / w en ambos conductores y confinado a la región | x |
< w / 2. con esta Asunción, la constante de atenuación conductora de una línea de microcinta de cierto ancho
esta dada por:

8.686Ro w
c dB / cm para 1
Zow h

117
 FACTOR DE RELLENO

DISTRIBUCIÓN DE CORRIENTE EN CONDUCTORES DE MICROCINTA

Donde:
Ra f Es la superficie de resistencia skin en / cuadrado

1
Ra es / Square

1
es la penetración skin en cm
f

118
 Para una línea delgada de microcintas con w / h < 1, como sea la ecuación 21 no es aplicable. La
razón es que la corriente de distribución en el conductor no es uniforme como se asumió. Pucel y sus
colaboradores derivaron las siguientes tres formulas a partir de los resultados de Wheeler’s.

h h 2h t w
x1 ln para 2  24
w w t h h

dB
donde c es expresado en y
cm
e = 2.718G

w=w+ w  25

t 4 w 2t w
w ln 1 para  26
t h h 2

t 2h w
w ln 1 para  27
t h 2

Los valores de c obtenidos de las ecuaciones 22 y 24 están representados en la figura 9. Para

propósitos de comparación, los valores de c se basan en Assadourian y Rimáis, ecuación 21 los cuales
también son mostrados.

119
 PERDIDAS POR RADIACIÓN

En adición a las perdidas de los conductores y en el dieléctrico, la línea de microcinta también tiene
perdidas por radiación. Las perdidas por radiación también dependen del espesor del substrato y de la
constante dieléctrica, también como de su geometría. Lewin hizo los cálculos de las perdidas por radiación
para varias discontinuidades basándose en los siguientes conceptos:

Transmisión TEM.
dieléctrico uniforme en los alrededores de la cinta, iguales en magnitud para un valor dado.
Depreciación de la radiación de la componente paralela a la línea del campo eléctrico transverso (TE).
Grosor del substrato, mucho menor que la longitud de onda en el espacio libre.
Los resultados de Lewin muestran que la relación de potencia radiada a la potencia total disipada
para una línea de microcinta circuitada-abierta es:

2
p rad 2 h F r0
240  28
Pt 0 Z0

donde F( r0) es un factor de radiación dado por:

r0 1 r0 1 r0 1
F r0 ln  29
r0 2 r0 r0 r0 1

en la cual r0 es la constante dieléctrica efectiva y 0 = c/f es la longitud de onda en el espacio libre.

El factor de radiación decrece conforme se incrementa la constante dieléctrica del substrato. Así, la
ecuación 28 se puede expresar como:

p rad Rr
 30
Pt Z0

donde Rr es la resistencia de radiación de una línea de microcinta circuitada-abierta y esta dada por:

Rr = 240 2(h/ 0)2F( r0)  31

La relación de la resistencia de radiación Rr a la parte real de la impedancia característica Z0 de la

línea de microcinta es igual a una pequeña fracción de la potencia radiada para una sola discontinuidad de un
circuito abierto. Se ve de la ecuación 28 que la perdida por radiación sufre un decremento cuando la
impedancia característica disminuye.
Para substratos de constantes dieléctricas bajas, la radiación es significativa en niveles de impedancia
altos. Para substratos de constantes dieléctricas altas, la radiación comienza a ser significante hasta que
niveles de baja impedancia son alcanzados.

FACTOR DE CALIDAD (Q) PARA LINEAS DE MICROCINTA

Varios circuitos integrados de microonda requeridos para circuitos resonantes de alta calidad. El
factor de calidad Q de una línea de microcintas muy alto, esta limitado por las perdidas por radiación de los

120
substratos con constantes dieléctricas bajas. Retomando la corriente de distribución uniforme de una línea de
microcinta, la constante de atenuación ohmica de una línea de microcinta ancha esta dada por la ecuación 21
como:

8.686 R
c dB/cm
Z0w

y la impedancia característica de una línea de microcinta ancha, como se muestra en la ecuación 9 es:

h 377
Z0 cm  30
w r

La longitud de onda en la línea de microcinta es:

30
0 cm  32
f r

donde f es la frecuencia en GHz.

Dado que Q0 esta relacionada con la constante de atenuación del conductor por:

27 .3
Qc  33
c

donde 0 esta en dB/ g, Qc es el ancho de una línea de microcinta expresada como:

h
Qc 39.5 f GHz  34
Rg

donde h es medida en cm y Rg es expresada como:

f f GHz
Rg 2 /Square  35

Finalmente el factor de calidad Qc de una línea de microcinta ancha es:

Qc 0.63h f GHz  36

donde c es la conductividad de la placa de substrato de dieléctrico en mhos/m.

Para una cinta de cobre, = 5.8 107 mhos/m y Qc es:

Qc 4780h f GHz  37

121
Para aluminio de 25 mil a 10 GHz, el máximo Q c conseguibles de una línea de microcinta ancha es de 954.
Similarmente, un factor de calidad Qd es relacionado con la constante dieléctrica de atenuación:

27 .3
Qd  38
d

donde d esta en dB/ g.

Sustituyendo la ecuación 20 en la ecuación 38 da:

0 1
Qd  39
r0 tan tan

donde 0 es la longitud de onda en el espacio libre en cm. Note que el Qd para la constante de atenuación del
dieléctrico de una línea de microcinta es aproximadamente el reciproco de las pérdidas dieléctricas
tangenciales y es constante relativa con la frecuencia.

LINEAS DE CINTAS PARALELAS

Una línea de cinta paralela consiste de dos cintas paralelas perfectas separadas por un dieléctrico de
espesor uniforme, como muestra la figura 10. El ancho de las cintas es w y la distancia de separación es d, y la
constante dieléctrica de la placa de dieléctrico que los separa es rd.

PARÁMETROS DISTRIBUIDOS

En un circuito integrado de microondas una línea de cinta puede ser fácilmente fabricada en un
substrato de dieléctrico usando técnicas de circuitos impresos. Una línea de cinta paralela es similar a una
línea de transmisión bifilar, así que puede transmitir el modo TEM propagándose en la dirección positiva de
la Z en un alinea de microcinta sin perdidas (R = G = 0). El campo eléctrico esta en la dirección Y, y el campo
magnético en la dirección X. Si el ancho w es mucho mayor que la distancia de separación d, la capacitancía
es despreciable. Entonces la ecuación para la inductancia a lo largo de las líneas de cinta paralelas puede ser
escrita como:

cd
L H/m  1.1
w

122
donde c es la permeabilidad del conductor. La capacitancia entre los dos conductores puede expresarse
como:

dw
C F/m  1 .2
d

donde d es la permitividad del dieléctrico que los separa.

Si las dos líneas de cinta paralelas tienen la misma resistencia y el dieléctrico que los separa tiene la
misma conductancia en paralelo, la línea paralela de cinta presentara perdidas. Esta resistencia en series para
ambas líneas esta dada por:

2Rg 2 f c
R /m  1 .3
w w c

f c
donde: es la resistencia superficial del conductor en /Square y c es la conductividad del
c
conductor en mhos/m. La conductancia en paralelo de la línea de cinta es:

d w
G mhos/m  1 .4
d

donde: c es la conductividad del substrato dieléctrico.

123
 IMPEDANCIA CARACTERÍSTICA

La impedancia característica de una línea de cinta paralela de pocas perdidas es:

L d d 377 d
Z0 para w>>d  1 .5
C w d rd
w

La velocidad de fase a lo largo de las líneas paralelas es:

w 1 1 C
Vp m/s para c= 0  1 .6
LC d d rd

La impedancia característica de una línea de cinta paralela con perdidas en frecuencias de

microondas (R<< L y G<< C)puede aproximarse como:

L 377 d
Z0 para w>>d  1 .7
C rd
w

PERDIDAS POR ATENUACIÓN

La constante de propagación de un alinea de cinta en frecuencias de microondas puede expresarse

como:

r R j L G j C para R<< L y G<< C

1 C L
R G j LC  1 .8
2 L C

Entonces las constantes de atenuación y fase son:

124
 1 C L
R G Np/m  1 .9
2 L C

LC rad/m  1.10

Sustituyendo los parámetros distribuidos de una línea de cinta paralela en la ecuación 1.9 de la
constante de atenuación para el conductor y las perdidas del dieléctrico.

1 C 1 f d
c R Np/m  1.11
2 L d c
y

1 C 188 d
d G Np/m  1.12
2 L rd

Ejemplo. Una línea de cinta paralela con pocas perdidas tiene una banda conductora de ancho w. El
substrato dieléctrico separando a los dos conductores tiene una constante dieléctrica relativa rd de 6 (berrilla u
oxido de berrillo) y un espesor d de 4mm.Calcule:
El ancho requerido w de la cinta conductora para que tenga una impedancia característica de 50 .
La capacitancia de la línea de cinta.
La inductancia de la línea de cinta.
La velocidad de fase de la onda en la línea de cinta paralela.

SOLUCIÓN:

A partir de la ecuación 1.5 el ancho de la banda conductora es:

3
377 d 377 4 10 3
w 12.31 10 m
rd
Z0 6 50

La capacitancia de la línea de cinta es:

12 3
dw 8.854 10 6 12 .31 10 10
C 1.6340 10 pF / m
d 4 10 3

La inductancia de la línea:

125
 d
c 4 10 7 4 10 3
7
L 4.081 10 H /m
w 12 .31 10 3

La velocidad de fase es:

C 3 108
Vp 122474487.139m / s
rd 6

c) La inductancia de la línea de cinta es:

Cd 4 10 7 4 10 3
L
w 12 .31 10 3

L 0.41 H
m

C 3 10 8
Vp 1.222 10 8 m
rd 6 s
d) La velocidad de fase es:

LINEAS DE CINTAS COPLANARES

Una línea de cinta coplanar consiste de dos líneas conductoras sobre una superficie de substrato con
una línea de tierra, como muestra la figura 11. La línea de cinta coplanar tiene ventajas sobre la línea de
cintas paralelas, porque dos cintas se encuentran sobre la misma superficie del substrato para conexiones
convenientes. En circuitos integrados de microondas (MIC’s) . Los alambres siempre tienen presente
problemas de reproductividad y rehabilitación. Las líneas coplanares eliminan estas dificultades involucradas
conectando los elementos en paralelo entre el cable conductor y la línea de tierra. Con lo cual el costo se
reduce.
La impedancia característica de una línea de cinta coplanar es:

.................(2.1)

126
Donde Io es la corriente total pico en una cinta y la Pavg es la potencia promedio corriendo en la dirección Z
positiva. La potencia promedio que esta fluyendo puede expresarse como:

...............(2.2)

DIAGRAMA ESQUEMATICO DE UNA LINEA DE CINTA COPLANAR

donde:

Ex Intensidad de campo eléctrico en la dirección positiva de X.

Hy Intensidad de campo magnético en la dirección positiva de Y.

2 Pavg
Zo
I 02

Conjugado.

A partir de la ecuación 2.1, la impedancia característica de la línea coplanar es:

9
2 250 10
Zo 50
9 2
100 10

127
 LINEAS DE CINTA RESGUARDADA

Una línea de cinta resguardada tiene una línea conductora incrustada en el medio dieléctrico y esta no
tiene conexión con los planos que la resguardan. Como muestra la figura 12.
La impedancia característica para el ancho de la línea de cinta (w/d 0.35) es:

.............(3.1)
1
94.15 w Cf
Zo K
r d 8.854 r

1
K
1 t
d
donde:
t El grosor de la cinta.

d La distancia entre los dos planos de tierra.

y es la capacitancia marginal de pF/m.

8.854 r
Cf 2 K ln K 1 K 1 ln K 2 1

La figura 13 muestra la impedancia característica Zo para una línea de cinta resguardada, con la relación t/d
como una parámetro.

EJEMPLO.

Impedancia característica de una línea cinta resguardada.

Una línea de cinta resguardada tiene los siguientes parámetros:

Constante dieléctrica del aislador (poliestireno) Er = 2.56
Ancho de cinta w = 25 mils
Grosor de la cinta t = 70 mils.

CALCULE:

El factor K.
La capacitancia marginal.
La impedancia de la línea.

SOLUCION.

a)Usando la ecuación .1, el factor K es obtenido.

b) A partir de la ecuación 3.1, la capacitancia marginal es:

128
 1 1
t 1 14
K 1 1.25
d 70

Cf 15.16 pF / m

8.854 r
Cf 2 K ln K 1 K 1 ln K 2 1

8.854 2.56
Cf 2 1.25 ln 1.25 1 1.25 1 ln 1.252 1
3.14.16

La impedancia característica a partir de la ecuación 3.1 es:

Zo= 50.29

Impedancia característica Zo de una línea parcialmente resguardada con la relación t/d con parámetro.

129
 ESTUDIO COMPLETO DE LA MICROCINTA.

Cuando uno deja aparte la simple aproximación cuasiestatica y trata determinar el actual campo de
distribución en la microcinta, se enfrenta a un problema matemático demasiado complejo. Para salvar esto, se
han hecho diversas aproximaciones, las cuales se clasifican en tres categorías:

1.- MODOS ACOPLADOS:

El modo dominante es el híbrido, y esta formado de componentes TEM y términos adicionales,

inclusive TE o TM dependiendo de los autores.Tales modos permiten la evaluación del efecto de dispersión y
la definición de la permisividad dependiente de la frecuencia.

2. - DIFERENCIAS FINITAS:

Como esta aproximación esta basada sobre el corte a través de la sección en cuadrados pequeños, se
supone una sección finita. La microcinta debe ser encerrada en una caja metálica para usar este método.

3. - METODOS DE INTEGRACION:

El campo de la microcinta está representado por el desarrollo de series de Fourier. Los coeficientes
de los términos son obtenidos por apareamiento de puntos.
La aproximación TEM es bastante adecuado para el diseño de la mayoría de los circuitos y su ancho
es limitado de cualquier forma por el efecto de la radiación. La propagación real se muestra en el diagrama,
la aproximación CUASI- TEM es vista como la linealidad de ( ) característica del modo dominante.

PROCESOS DE MANUFACTURA.

En el plato dieléctrico de espesor constante y características eléctricas es metalizada sobre cualquier

lado de ambas caras. Las técnicas de filme delgado son generalmente usadas: por evaporación, chispeo,
substrato plástico, etc., una hoja de metal delgada es pegada con presión y temperatura sobre substrato. Los
procesos de filme grueso (protección de seda, placas conductivas) son generalmente no lo suficientemente
uniforme para las aplicaciones de microondas. La mayoría de los manufacturadores comerciales proveen de
substratos ya metalizados.

130
 El procesamiento de manufactura para circuitos planaras se busca en la impresión estándar del
circuito:
Aspiración de la máscara a escala del circuito impreso. La mascara final es obtenida por reducción
fotográfica sobre un filme de alta resolución, usando cámaras de precisión.
Limpieza mecánica y química de las superficies metalizadas del substrato seguida por el secado
enorme.
Deposición de una capa de fotoresistencias. Existen variados procedimientos que pueden ser usados:
inmersión, rociado, centrifugado.
Exposición.- La capa sensitiva a la luz es expuesta a través de la mascara reducida a luz ultravioleta. La
ultima debe caer linealmente sobre el substrato para aproximadamente reproducir cuidadosamente el 2222
layout.
Desarrollo. Para alta precisión la temperatura del baño y del tiempo debe ser cuidadosamente controlada.
Grabado. Por inmersión dentro de un baño agitado o por el rociado de agentes sobre el circuito. El agente
grabador usado depende sobre el metal a remover
Removimiento químico de la fotoresistencia remanente.
Electroplateado. En algunas aplicaciones particulares, la capa de metal es subsecuentemente plateados (cobre
u oro).
Los circuitos deben ser cuidadosamente enjuagados entre las diferentes operaciones.

131