CIRCUITOS AMPLIFICADORES BJT
LUIS GUSTAVO ESLAVA CARRERA, YESID ALBEIRO SOTAQUIRA CHAPARRO, DANIEL ESTEBAN GUERRERO
UNIVERSIDAD SANTO TOMÁS DE AQUINO
TUNJA, COLOMBIA
ELECTRÓNICA II
Resumen— analizar desde la práctica el
comportamiento de los circuitos amplificadores
realizando un diseño que cumpla con los
requisitos requeridos para implementar, un
amplificador emisor común, base común,
colector común. Donde podamos ver tanto las
señal de entrada como la de salida de cada
unos de los amplificadores.
Palabras clave: señal, circuito, amplificador.
Abstract—a​ nalyze the behavior of the amplifier
circuits makes a design that meets the
requirements necessary to implement, a
common emitter amplifier, common base,
common collector. Where we can see both the
input signal and the output of each of the
amplifiers.
Keywords: signal, circuit, amplifier.
I. INTRODUCCIÓN
La realización de un montaje en donde se tiene que
comprobar que esté en región activa, saturación o corte.
el transistor de unión bipolar (BIPOLAR JUNTION
TRANSISTOR, o sus siglas BJT), un dispositivo de
estado sólido, consistentes en dos uniones PN muy
cercanas entre sí permitiendo el paso de corriente entre
sus diferentes terminales. Estos transistores son de los
más comunes y se usan generalmente en electrónica
analógica.
II. .OBJETIVOS
● Diseñar un circuito con un transistor BJT y
realizar sus respectivos cálculos
Objetivos específicos
● Analizar en la práctica el comportamiento de
cada uno de estos amplificadores, emisor
común, base común y colector común.
● Realizar en un simulador los correspondientes
circuitos diseñados.
III. MARCO TEÓRICO
Un transistor de unión bipolar está formado por dos
Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados
por una región muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:
● Emisor, que se diferencia de las otras dos por
estar fuertemente dopada, comportándose como
un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como ​emisor​ de portadores de carga.
● Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el
emisor del colector.
● Colector, de extensión mucho mayor.
ESTRUCTURA
Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones
semiconductoras dopadas: la región del emisor, la región
de la base y la región del colector. Estas regiones son,
respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y
tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada
región del
semiconductor está conectada a un terminal, denominado
emisor (E), base (B) o colector (C), según corresponda.
El transistor de unión bipolar, a diferencia de otros
transistores, no es usualmente un dispositivo simétrico.
Esto significa que intercambian el colector y el emisor
hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo
y comience a funcionar en modo inverso. Debido a que
la estructura interna del transistor está usualmente
optimizada para funcionar en modo activo,
intercambiar el colector con el emisor hacen que los
valores de α y β en modo inverso sean mucho más
pequeños que los que se podrían obtener en modo activo;
muchas veces el valor de α en modo inverso es menor a
0.5.

FUNCIONAMIENTO

FIG.1 (SIMULACIÓN DE EMISOR COMÚN )

ANÁLISIS MATEMÁTICO

Un transistor NPN puede ser considerado como dos

diodos con la región del ánodo compartida. En una
operación típica, la unión base-emisor está polarizada en
directa y la unión base-colector está polarizada en
inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una
tensión positiva es aplicada en la unión base-emisor, el
equilibrio entre los portadores generados térmicamente y
el campo eléctrico repelente de la región agotada se
desbalancea, permitiendo a los electrones excitados
térmicamente inyectarse en la región de la base. Estos
electrones "vagan" a través de la base, desde la región de
alta concentración cercana al emisor hasta la región de
baja concentración cercana al colector. Estos electrones
en la base son llamados portadores minoritarios debido a
que la base está dopada con material P, los cuales
generan "huecos" como portadores mayoritarios en la
base.

IV. PROCEDIMIENTO

EMISOR COMÚN
FIG.2 (SIMULACIÓN SEÑAL
ENTRADA-SALIDA EMISOR COMÚN )
 FIG. 3 (RESULTADO PRACTICA SEÑAL
ENTRADA SALIDA EMISOR COMÚN)

BASE COMÚN

FIG.5 (SIMULACIÓN SEÑAL

ENTRADA-SALIDA BASE COMÚN )

FIG.4 (MONTAJE BASE COMÚN )

ANÁLISIS MATEMÁTICO

FIG.6 (RESULTADO PRACTICA SEÑAL

ENTRADA SALIDA BASE COMÚN)
COLECTOR COMÚN

FIG.7 (SIMULACIÓN DE COLECTOR COMÚN )

FIG.9 (RESULTADO PRACTICA SEÑAL
ANÁLISIS MATEMÁTICO
ENTRADA SALIDA COLECTOR
COMÚN)

V. CONCLUSIONES

● El diseño de los circuitos se realizó bajo la

ayuda del libro guía de la materia (Dispositivos
Electronicos by Thomas L. Floyd) así mismo se
realizó su análisis respectivo de cada circuito
diseñado.

● Se pudo demostrar en la práctica que. El emisor

común realizó un desfase de 180 grados de la
señal de entrada a la señal de salida. El base
común amplifica la señal de entrada
dependiendo de la ganancia de voltaje obtenida
el análisis teórico. El colector común mantuvo la
señal de entrada en la señal de salida, ya que su
ganancia en el análisis teórico de 1 a 1.

● Se presentaron algunos inconvenientes al

realizar los montajes correspondientes a cada
diseñó donde la señal de salida se encontraba en
estado de saturación, esto inconveniente
permitió rediseñar los circuitos inicialmente
obtenidos.
FIG.8 (SIMULACIÓN SEÑAL
ENTRADA-SALIDA COLECTOR V. REFERENCIAS
COMÚN ) [1] Dispositivos Electronicos by
Thomas L. Floyd