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UNIVERSIDAD CATOLICA DE SANTA MARIA Página:1/4

FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERÍAS FISICAS Y FORMALES


PROGRAMA PROFESIONAL
Jefe de Prácticas:
INGENIERIA MECÁNICA, MECÁNICA-ELECTRÍCA Y MECATRÓNICA Ing. Juan Carlos Cuadros
Laboratorio de Circuitos Electrónicos I
Código: 4E05029
Tema: DISEÑO DE LA POLARIZACIÓN DE TRANSISTORES BJT Semestre: V
Grupo: 05 FECHA:
Apellidos y Nombres: Lab. Nº: 04 01/MAY/2013

I INFORME PREVIO
I.1. Desarrolle un breve resumen de los Circuitos de Polarización más usuales: Polarización Fija, Polarización
Estabilizada de Emisor, Polarización con Retroalimentación de Colector (Con RE y sin RE) y Polarización por Divisor
de Tensión. Similitudes y Diferencias. Aplicaciones.
I.2. Determine y/o estime el β del transistor a emplear en la práctica (BC548A o equivalente) según el procedimiento de
determinación de β de la guía de Laboratorio N° 3 (procedimiento V.1).
I.3. Con el β determinado en el paso anterior, realice los cálculos de diseño de polarización para las diferentes
configuraciones, de acuerdo a los requerimientos y valores solicitados. Aproxime los valores calculados para las
redes resistivas a valores comerciales de las mismas.
I.4. Con los valores de resistencias determinados según el paso anterior, haga la simulación del procedimiento
empleando Multisim 10. Consigne sus valores en una tabla de valores simulados mostrando todas las variables
eléctricas de la configuración simulada.
I.5. De acuerdo al paso anterior, implemente los circuitos físicos y preséntelos listos para realizar las pruebas de
laboratorio.
I.6. Traer la hoja de datos del transistor a emplear en la práctica de laboratorio.

II OBJETIVOS
II.1. Ensayar diversos diseños de topologías de polarización de transistores.
II.2. Comparar resultados prácticos respecto de los teóricos calculados.
II.3. Comprobar el diseño de polarización midiendo el punto Q.
II.4. Realizar mediciones del punto de reposo Q

III MARCO TEORICO


(Revisar los siguientes Temas)
III.1. El Transistor Bipolar
III.1.1. Polarización de la unión Base-Emisor
III.1.2. Polarización de la unión Base-Colector
III.1.3. Polarización del transistor en directa
III.1.4. Circuitos de polarización del transistor BJT

IV MATERIAL Y EQUIPO

IV.1. Multímetro (2)


IV.2. Protoboard
IV.3. Transistor BC548A (2) y/o equivalente.
IV.4. Resistencias fijas y variables de valores diferentes (de acuerdo a los cálculos previos)
IV.5. Fuente de tensión continua 0-15V
IV.6. Cautín o Pistola de Soldar
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Tema: DISEÑO DE LA POLARIZACIÓN DE TRANSISTORES BJT
JP: Ing. Juan Carlos Cuadros

V PROCEDIMIENTO
V.1. Auto polarización
V.1.1. Determine la polarización del transistor de la Figura 1, para un punto de trabajo ICQ = 5.5 mA y VCEQ = 6 V.

Datos: RB= _______ kΩ, RC= _______ kΩ, VCC=12V, Considere hFE = β = hallado en el informe previo (I.2).

Coloque aquí sus cálculos teóricos, necesarios para determinar la polarización solicitada.

V.1.2. Construya el circuito utilizando resistencias de valores comerciales y recalcule el punto de trabajo con estos
valores. Luego mida experimentalmente los valores del punto de reposo y todas las variables eléctricas del
circuito.

V.1.3. Anotar en una tabla los valores teóricos y luego los valores prácticos o medidos para todas las variables
eléctricas del circuito.

V.1.4. Contraste los resultados anteriores con los valores tomados en la simulación. Comente los resultados.

Coloque aquí la tabla de valores teóricos, prácticos o medidos y los valores de la simulación tomados para todas las variables eléctricas del circuito. Contraste y comente
los resultados.
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Tema: DISEÑO DE LA POLARIZACIÓN DE TRANSISTORES BJT
JP: Ing. Juan Carlos Cuadros

V.2. Polarización por emisor

V.2.1. El circuito a implementar es el siguiente:

Considere en su diseño el
criterio de que VE=0.1VCC

V.2.2. Repita los pasos del 1 al 4 realizados con el primer circuito, a fin de calcular los valores de las resistencias que
polaricen el BJT según lo solicitado. Compare y saque conclusiones.

V.3. Polarización por Divisor de Tensión


V.3.1. El circuito a implementar es el siguiente:

V.3.2. Se debe calcular R1, R2, RC y RE para que en el punto de reposo se tenga:
ICQ = 1 mA, VCEQ = 5V, VREQ = 0.1VCC (Utilice RE= 1Kohm), VCC = 10 V
Para el cálculo de R1 y R2 emplee una Idiv >= 10 Ibase.
Aproxime sus resultados con resistencias de valores comerciales en combinaciones serie y/o paralelo si es
necesario. Esto le permitirá obtener más fácilmente el punto de polarización deseado.
V.3.3. Repita los pasos seguidos en los circuitos anteriores. Compare y saque conclusiones.
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Tema: DISEÑO DE LA POLARIZACIÓN DE TRANSISTORES BJT
JP: Ing. Juan Carlos Cuadros

VI CUESTIONARIO FINAL
VI.1. Dibuje las rectas de carga para cada una de los diseños del procedimiento y determine la zona de operación del
transistor fijando el rango de variación de las variables de salida. ¿Qué variable y con qué valor determina la
saturación del transistor? ¿y el corte del transistor?
VI.2. ¿Por qué las condiciones de corte y saturación determinan la recta de carga para un circuito concreto?
VI.3. ¿Por qué es inestable la polarización fija?
VI.4. Exponer en forma resumida el comportamiento del circuito de polarización fija y de auto polarización, ante un
posible incremento de .
VI.5. Exponer en forma resumida el comportamiento del circuito de polarización por divisor de tensión ante un posible
incremento de .
VI.6. ¿Por qué es importante el tipo de polarización usada en un transistor?

VI.7. ¿Cómo elegiría un modo de polarización al implementar un amplificador sobre la base de transistores bipolares?

VII CONCLUSIONES

VII.1.Emita al menos cinco conclusiones entorno al trabajo de diseño de polarización de transistores BJT realizado en el
procedimiento

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