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UNIVERSIDAD POLITÉCNICA SALESIANA

CARRERA DE INGENIERÍA AUTOMOTRIZ


INFORME DE ELECTRONICA ANALOGICA D.

GRUPO No: _3_

NOMBRE: JONATHAN GALLARDO

FECHA: 09/11/18
TRANSISTORES FET Y MOSFET

El FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal


semiconductor, aplicando un campo eléctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente.

El FET está compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con
impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que están unidas entre si. Ver la figura

Los terminales de este tipo de transistor se llaman Drenador (drain), Fuente (source) y el tercer
terminal es la compuerta (gate) que ya se conoce. La región que existe entre el drenador y la
fuente y que es el camino obligado de los electrones se llama "canal". La corriente circula de
Drenaje (D) Fuente (S)

El terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente (Vdd) y la


compuerta o gate se polariza negativamente con respecto a la fuente (-Vgg).

A mayor voltaje -Vgg, más angosto es el canal y más difícil para la corriente pasar del terminal
drenador (drain) al terminal fuente o source. La tensión -Vgg para la que el canal queda cerrado
se llama "punch-off" y es diferente para cada FET.

Existen dos tipos de FET:

El transistor de efecto de campo de unión JFET.

El transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor MOSFET.

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La categoría MOSFET se subdivide posteriormente en los tipos decremental e incremental, que


se describir n en su oportunidad. El transistor MOSFET se ha convertido en uno de los mas
importantes dispositivos empleados en el diseño y construcción de circuitos integrados para
computadoras digitales. Su estabilidad térmica y otras características generales lo han hecho
extremadamente popular en el diseño de circuitos de computadora. Sin embargo, ya que es un
elemento discreto en un típico encapsulado cilíndrico, debe manejarse con cuidado.

Es un dispositivo de tres terminales y dos junturas, creado en un material semiconductor sólido


cristalino (generalmente germanio, silicio, o arseniuro de galio) con diferentes contaminaciones,
que permite regular la circulación de una corriente eléctrica mediante una corriente de control,
mucho menor.

MOSFET

MOSFET son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Consiste en un
transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS.

Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica. Prácticamente la totalidad de los


circuitos integrados de uso comercial están basados en transistores MOSFET. Un transistor

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MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante técnicas


de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se
hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de conductor.

Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos fundamentales dependiendo de cómo se haya
realizado el dopaje:

Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n.

Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p.

Las áreas de difusión se denominan fuente(source) y drenador(drain), y el conductor entre ellos


es la puerta(gate). El transistor MOSFET tiene tres estados de funcionamiento:

Estado de corte

Cuando la tensión de la puerta es idéntica a la del sustrato, el MOSFET está en estado de no


conducción: ninguna corriente fluye entre fuente y drenador, aunque se aplique una diferencia de
potencial entre ambos. También se llama mosfet a los aislados por juntura de dos componentes.

Conducción lineal

Al polarizarse la puerta con una tensión negativa (pMOS) o positiva (nMOS), se crea una región
de flexión en la región que separa la fuente y el drenador. Si esta tensión crece lo suficiente,
aparecerán portadores minoritarios (electrones en pMOS, huecos en nMOS) en la región de
deplexión que darán lugar a un canal de conducción. El transistor pasa entonces a estado de
conducción, de modo que una diferencia de potencial entre fuente y drenador dará lugar a una
corriente. El transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensión de puerta.

Saturación

Cuando la tensión entre drenador y fuente supera cierto límite, el canal de conducción bajo la
puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del drenador y desaparece. La corriente entre
fuente y drenador no se interrumpe, ya que es debida al campo eléctrico entre ambos, pero se hace
independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales.

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