20/05/2019 EPS

CCE0252_201704059275 V.1

Disc.: MATERIAIS ELÉTRICOS

Aluno(a): PHILIPPE AZEVEDO FERNANDES Matrícula: 201704059275

Acertos: 10,0 de 10,0 Início: 19/05/2019 (Finaliz.)

1a Questão (Ref.:201704225412) Acerto: 1,0 / 1,0

Georg Simon Ohm (1787-1854) foi um pesquisador e professor de origem germânica. Integrante do corpo docente da Universidade de
Munique, publicou em 1827 um artigo no qual divulgava o resultado de seu trabalho com condutores metálicos. Entre as informações
relevantes, havia uma relação entre a diferença de potencial aplicada a um condutor e a corrente gerada que, décadas mais tarde,
seria conhecida como Lei de Ohm. (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism . Connecticut, Norwalk, 1972,
Chapter 3)
Entre as opções a seguir, determine a que melhor representa esta relação:

V=R.i
V=N.i.E
V=R i.A/l
P=U.i
F=m.a

2a Questão (Ref.:201704846142) Acerto: 1,0 / 1,0

Dado que duas linhas de transmissão de 200 km de uma mesma hidrelétrica, são construídas com cabos de alumínio
e a outra com cabos de cobre recozido. Sem entrar em grandes discussões teóricas e considerando-se somente a
resistividade do Alumínio (Al) e do Cobre (Cu), qual deverá ser a relação entre as seções retas dos dois tipos de
cabos das linhas para que elas possuam a mesma capacidade de condução? Considere que: Al ► ρ = 0,0292
Ohm.mm²/m e Cu ► ρ = 0,0172 Ohm.mm²/m

A seção reta do cabo de alumínio poderá ser 58,9% menor que a seção reta do cabo de cobre.
Os cabos de cobre e alumínio possuem a mesma capacidade de condução e portanto podem ser utilizados
para esta aplicação.

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A seção reta do cabo de cobre poderá ser 58,9% menor que a seção reta do cabo de alumínio.
A seção reta do cabo de cobre poderá ser 58,9% da seção reta do cabo de alumínio.
A seção reta do cabo de alumínio poderá ser 58,9% da seção reta do cabo de cobre.

3a Questão (Ref.:201704225415) Acerto: 1,0 / 1,0

Os metais apresentam em sua microestrutura uma periodicidade na disposição dos átomos que os classifica como materiais
cristalinos. Contudo, esta organização a nível atômico tem suas falhas, o que influencia na velocidade de transporte dos eletros, ou
seja, quanto maior o número de falhas na estrutura cristalina, maior a dificuldade de deslocamento dos elétrons. Para descrever a
velocidade desenvolvida por estas partículas (elétrons livres), criou-se o conceito de velocidade de deslocamento (drift velocity, em
Inglês), dada por vd=E.me, onde E é a intensidade do campo elétrico e me é a mobilidade elétrica do elétron.
Sabendo-se que em um experimento, utilizou-se um campo elétrico igual a E=600V/m e condutor elétrico de alumínio cuja mobilidade
elétrica é igual a me=0,0012m2/V.s, escolha a opção que melhor reflete o valor da velocidade de deslocamento dos elétrons.

5 m/s
50 m/s
500.000 m/s
7,2 m/s
0,72 m/s.

4a Questão (Ref.:201704164780) Acerto: 1,0 / 1,0

Deseja-se construir um resistor com resistência igual 125 mΩ. Para isso será u lizado um condutor de seção reta igual a 0,38
mm2 e comprimento igual a 1,3 metros. Determine o valor da resis vidade do material a ser u lizado.

6,13 x 10-6 Ω.cm

3,65 x 10-6 Ω.cm

7,12 x 10-6 Ω.cm

4,12 x 10-6 Ω.cm

5,21 x 10-6 Ω.cm

5a Questão (Ref.:201704225438) Acerto: 1,0 / 1,0

Em semicondutores, devemos considerar que sempre que ¿criamos¿ uma carga negativa, automaticamente "criamos" uma carga
positiva (lei da conservação das cargas), que está associada ao conceito físico de vazio (volume deixado pela saída do elétron),
"buraco" ou, em inglês, hole.
A condutividade elétrica nos semicondutores intrínsecos é dependente da movimentação dos portadores de carga negativos (elétrons)
e positivos (buracos) da seguinte forma: σ = N ІeІ µe + P ІeІ µh, onde σ é a condutividade elétrica do material (ohm.m)-1; onde N e P
são as densidades de cargas negativas e positivas por volume (Número de cargas/m3), respectivamente І e І é o módulo da carga do
elétron (1,6 x 10 -19 C), µe e µh são as mobilidades elétricas dos elétrons e dos buracos (m2/V m), respectivamente.
Considerando o exposto, pode-se afirmar que:

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A expressão σ = N ІeІ µe + P ІeІ µh é imutável e nunca deve ser aproximada para uma forma mais simplificada sob pena de
alterar-se gravemente a precisão da condutividade.

Nos condutores extrínsecos do tipo-p, onde P é muito maior que N, pode-se aproximar a expressão por σ = N ІeІ µh.

Nos condutores intrínsecos, tem-se N=P e, portanto, pode-se escrever que σ = N ІeІ (µe + µh).
Nos condutores intrínsecos, raramente tem-se N=P e, portanto, deve-se manter a expressão σ = N ІeІ µe + P ІeІ µh.
Nos condutores extrínsecos do tipo-n, onde N é muito maior que P, pode-se aproximar a expressão por σ = P ІeІ µh.

6a Questão (Ref.:201704225446) Acerto: 1,0 / 1,0

A resistividade de um material é uma propriedade física intensiva e, portanto, não depende da forma do material e nem da quantidade
em que este se apresenta. Contudo, esta propriedade varia com a temperatura e, para pequenas variações, podemos assumir que a
resistividade obedece a expressão r=r0+aT, onde r0 e a ao constantes.
Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a variação da resistividade com a temperatura.

Círculo.
Parábola.
Reta.
Elipse.
Hipérbole.

7a Questão (Ref.:201704647400) Acerto: 1,0 / 1,0

Uma amostra de um determinado semicondutor a uma dada temperatura tem condutividade de 280 (Ω.m)^(-1).
Sabendo que a concentração de buracos é de 2 x 10^20 m^(-3) e que a mobilidade de buracos e elétrons nesse
material são respectivamente 0,09 m^2/V.S e 0,28 m^2/V.S, a concentração de elétrons é:

541,05 x 10^19 m^-3

412,88 x 10^19 m^-3
140,25 x 10^19 m^-3
618,57 x 10^19 m^-3
715,78 x 10^19 m^-3

Gabarito
Coment.

8a Questão (Ref.:201704225492) Acerto: 1,0 / 1,0

A técnica mais utilizada para obtenção de semicondutores extrínsecos é a inserção de elementos ¿impureza¿ na rede cristalina do
Silício, originando portadores de carga na forma de buracos, presentes nos condutores tipo-p, ou elétrons, presentes nos condutores

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tipo-n.
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta.

A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício.

A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio.
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p.
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n.
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio.

9a Questão (Ref.:201704661105) Acerto: 1,0 / 1,0

Atualmente há diversos exemplos quanto à natureza do elemento resistivo de um potenciômetro. Considerando os

itens abaixo, assinale a opção com exemplo quanto à natureza do elemento resistivo INCORRETO:

A composição de carbono produz um potenciômetro relativamente barato.

No filme de metal o elemento resistivo é fabricado pela deposição de um filme de metal sobre um substrato
cerâmico, sendo o filme de metal o mais barato dos processos.
No fio enrolado há limitação quanto a resolução e desempenho de ruído.
No filme de carbono o elemento resistivo é fabricado pela deposição de um filme de carbono sobre um
substrato ou base.
No CERMET o elemento resistivo é fabricado pela deposição de um filme composto de metal precioso e
materiais cerâmicos.

Gabarito
Coment.

10a Questão (Ref.:201704791965) Acerto: 1,0 / 1,0

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Um material dielétrico é aquele que apresenta (ou pode ser projetado de modo a apresentar) uma estrutura de
dipolos a nível molecular ou atômico, que assume uma configuração orientada sob a ação de um campo elétrico.
Estes materiais são comumente utilizados em capacitores para aumentar a capacidade de armazenamento de cargas,
modificando a permissividade relativa fornecida por: er=e/eo.

Com relação a permissividade relativa, PODEMOS afirmar:

er é igual a 1.
er é menor que 1.
er é maior que 1.
er é menor que 0,5.
er está entre 2 e 5.

Gabarito
Coment.

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