1.

Introducción a la Física Electrónica

1.3 Bandas de energía y portadores de carga

en semiconductores

) Bandas de conducción y de valencia y como se

forman las bandas prohibidas.
) Concepto de dopado en semiconductores.
) Propiedades eléctricas de semiconductores
„ Fuerzas de enlace y bandas de energía en sólidos
¾ Las fuerzas de Coulomb son simples: atractiva entre electrones y
el núcleos, repulsiva entre electrones y entre núcleos. La fuerza
entre átomos se da por la suma de todas las fuerzas
individuales, y el hecho de que los electrones están localizados
en la región exterior del átomo y el núcleo en el centro.

¾ Cuando dos átomos están muy cerca, la fuerza entre ellos es

siempre repulsiva, debido a que los electrones están en el
exterior y los núcleos se rechazan.

¾ A menos que ambos átomos sean iones de la misma carga, las

fuerzas entre los átomos es siempre atractiva a distancias
internucleares r muy largas.

¾ Desde que la fuerza sea repulsiva a pequeñas r, y atractiva a

grandes r, existe una distancia a la cual la fuerza es cero.
 „ Enlace iónico
¾ Enlace cuando uno de los átomos es negativo (tiene un electrón
extra) y otro átomo es positivo (ha perdido un electrón). Entonces
existe una fuerte atracción directa Coulombica. Un ejemplo es el
NaCl. En la molécula hay más electrones alrededor de Cl, forman Cl- y
menos alrededor de Na, formando Na+. Los enlaces iónicos son los
más fuertes. En sólidos reales, el enlace iónico generalmente se
combina con un enlace covalente.
 „ Enlace Covalente
¾ En un enlace covalente, los electrones se comporten entre las
moléculas, para saturar la valencia. El ejemplo más sencillo es la
molécula de H2,
Dos átomos Seis átomos Sólido de 1022 átomos

Electrones deben ocupar diferentes energías debido al

Principio de Exclusión de Pauli
„ Bandas de Energía

Eg (Si) = 1.12 eV

Eg (GaAs) = 1.42 eV

¾Niveles degenerados de energía en átomos aislados separados en

bandas de valencia y de conducción en el estado sólido.
¾Excitaciones térmicas en semiconductores por arriba de los 0oK
permite a los electrones saltar la energía de banda prohibida de la
bande de valencia a la de conducción … esencialmente la energía
necesaria para romper un enlace.
¾ El resultado más importante de la aplicación de la mecánica cuántica
a la descripción de los electrones es que los niveles permitidos de
energía de los electrones se agrupan en dos bandas.
¾ Las bandas están separadas por regiones de energía que los
electrones en los sólidos no pueden poseer: niveles prohibidos.
Diagramas de bandas de energía (E-k)

Banda directa (GaAs)

Banda indirecta (Si)

Variaciones de Bandas de Energía
con aleaciones
„ Portadores de carga en semiconductores

¾ El mecanismo de conducción de corriente es relativamente fácil

de visualizar en el caso de un metal; los átomos de un metal
están inmersos en un “mar” de electrones relativamente libres, y
estos electrones se mueven en grupo bajo la influencia de un
campo eléctrico.

¾ Sin embargo, en el caso de los semiconductores las propiedades

eléctricas dependen de la temperatura, dopado y, campos
eléctricos y magnéticos.
Electrones y Huecos
¾A T=0K todos los enlaces permanecen intactos – aislante
¾A T>0K excitaciones térmica pueden causar que los
enlaces se rompan resultando en electrones y huecos libres –
conducción
Estructuras de banda ideal y real en semiconductores
„ Masa efectiva de portadores
Cuando el borde de la banda de conducción esta en k = 0 se puede
representar la estructura de banda como una parábola simple

h k 2 2
E (k ) = EC + *
2me
donde Ec es la energía de la banda de conducción y me* es la masa
efectiva del electrón. −1
⎡ d E ⎤
2
me = ⎢ 2 2 ⎥
*

⎣ dh k ⎦

Parábola estrecha – masa efectiva pequeña

GaAs me* = 0.063m0 Si me* = 0.19m0
Similarmente, la relación de la energía para la banda de valencia es

h 2k 2
E = EV −
2mh
*

donde EV es la energía de la banda de valencia y mh* es la masa

efectiva de un hueco

Existen dos bandas cerca del tope de la banda de valencia de

diferentes espesores, para huecos pesados y huecos ligeros.
GaAs mhh*=0.45m0, mlh*=0.08m0 Si mhh* =0.49m0, mlh*=0.16m0
 ¾ Un cristal perfecto de semiconductor sin
„ Material Intrínseco impurezas.
¾ No hay portadores de carga a T = 0 K.
¾ A temperaturas mayores se generan EHPs
como electrones en la banda de valencia
excitados térmicamente a través de la banda
prohibida hacia la banda de conducción.
¾ Si una concentración de portadores en
estado estacionario se mantiene. Se da una
recombinación a la misma razón de su
generación ri = gi
 „ Material Extrínseco
¾Cuando un átomo del grupo V (As) o del grupo III (B) substituye a un
átomo de Si en la red, un electrón es donado o aceptado y el
semiconductor se vuelve tipo-n o tipo-p respectivamente.
En un semiconductor extrínseco a
cualquier temperatura, la
[ND] concentración de portadores tiene dos
contribuciones:
1. Térmica
2. Dopado [ ND or NA ]
En un semiconductor tipo-n a temperatura
ambiente
n = ND and p = ni2 / ND
semiconductor tipo-p

[NA] n = ni2/NA and p = NA

¾ A 0oK los electrones extras asociados con los átomos donadores
están “fijos” a los sitios donadores en el nivel de energía Ed
¾ Conforme la temperatura se incrementa, hay suficiente energía
térmica para ionizar los átomos donadores, esto es, para que un
electrón realice la transición hacia la banda de conducción, donde
Ed <<Eg.
¾Para crear huecos en la banda de valencia en un semiconductor
tipo-p, los electrones necesitan únicamente una energía de Ea para
alcanzar el nivel aceptor, donde Ea <<Eg.
Niveles de ionización de dopantes
2
⎛ ε0 ⎞ ⎛ me* ⎞
E D = ⎜⎜ ⎟⎟ ⎜⎜ ⎟⎟ E H Niveles de energía

⎝ εS
del Hidrógeno
⎠ ⎝ m0 ⎠

→ 25 meV para Si Niveles donadores

7 meV para GaAs

50 meV para Si, GaAs Niveles aceptores

cf. kBT a 300 K = 26 meV

Los diferentes dopantes tienen diferentes niveles de ionización y

niveles profundos (|E| > 3kBT), lo cual puede ser importante,
pero este modelo da el orden correcto de magnitud.
Electrones y huecos en pozos cuánticos
 Densidad de estados (DoS)
¾Para obtener la densidad de portadores por unidad de volumen
primero se calcula el número de estados permitidos (incluyendo el
spin) por rango de energía por unidad de volumen, la densidad de
estados,
Para electrones en la banda de conducción donde la relación E-k es
de la forma,
h 2k 2
E = EC + *
2me

La densidad de estados se determina por,

3
⎛ 2m*
⎞ 12
2

N (E ) = 4π ⎜⎜ 2 e
⎟⎟ E
⎝ h ⎠
 Similarmente, para huecos en la banda de conducción donde la
relación E-k es de la forma,

h 2k 2
E = EV − *
2mh

La densidad de estados esta dada por,

3
⎛ 2m *
⎞ 12
2

N (E ) = 4π ⎜⎜ 2 h
⎟⎟ E
⎝ h ⎠

La contribución de huecos ligeros y pesados

m
3
* 2 ⎛ 3
* 2 * 2⎞
3
= ⎜ mlh + mhh ⎟
h
⎝ ⎠
 Energía de Fermi
¾La probabilidad de que un electrón ocupe un estado electrónico con
energía E esta dada por la distribución de Fermi-Dirac

1
F (E) = ( E − E F ) / k BT
1 + exp
¾La energía de Fermi es la energía por la cual la probabilidad de
ocupación de un electrón es exactamente ½

¾ La función de distribución de Fermi se simplifica para un electrón

en la banda de conducción,

(E − E ) > 3k T
F B
∴ F (E ) ≈ e −(E − EF ) k BT

¾ Para un hueco en la banda de valencia

(E − EF ) < 3k BT ∴ F (E ) ≈ 1 − e − ( E − E F ) k BT
 La concentración de
electrones en la banda
de conducción es:
∞
n= ∫ f ( E ) N ( E )dE
Ec

La concentración de
huecos en la banda
de valencia es:
∞
p = ∫ [1 − f ( E )]N ( E )dE
Ec
 Concentración de electrones
La densidad de electrones en la banda de conducción esta dada por,
Etop →∞ Etop →∞

n= ∫ n(E )dE = ∫ N (E )F (E )dE

0 0

Tomando en el fondo de la banda de conducción E=0

Tomando la expresión simplificada de F(E),

3
∞
⎛ 2m *
⎞ ⎛ E − EF ⎞
2

n = 4π ⎜⎜ 2 ⎟⎟ ∫0 E exp⎜⎝ − kT ⎟⎠dE
1
e 2

⎝ h ⎠
Con x = E / kT

3
∞
⎛ 2m *
⎞
2
⎛ EF ⎞
n = 4π ⎜⎜ 2 ⎟⎟ (k BT ) exp⎜⎜ ⎟⎟ ∫ x 2 e − x dx
3 1
e 2

⎝ h ⎠ ⎝ k BT ⎠ 0

3
⎛ 2πm k T ⎞
*
⎛ EF ⎞
2

n = 2⎜⎜ ⎟⎟ exp⎜⎜
e B
⎟⎟
⎝ h 2
⎠ ⎝ k BT ⎠

Densidad efectiva de estados en la banda de conducción, NC

Tomando el fondo de la banda de conducción como EC en vez de E=0,

⎛ EC − EF ⎞
n = N C exp⎜⎜ − ⎟⎟
⎝ k BT ⎠
Para Si (300 K) NC = 2.8 x 1019 cm-3

Para GaAs (300 K) NC = 4.7 x 1017 cm-3

Concentración de Huecos
De manera similar para huecos en la banda de valencia,

3
⎛ EF − EV ⎞ ⎛ 2πm k T ⎞ * 2

p = NV exp⎜⎜ − ⎟⎟ where NV = 2⎜⎜ ⎟⎟ h B

⎝ k BT ⎠ ⎝ h ⎠
2

La densidad de estados efectiva en la banda de valencia, NV

Para Si (300 K) NV = 1.04 x 1019 cm-3

Para GaAs (300 K) NV = 7 x 1018 cm-3
„ Ley de acción de masa

⎛ Eg ⎞
np = n = N C NV exp⎜⎜
2
i
⎟⎟
⎝ k BT ⎠
Esta expresión es independiente de EF y es válida para
semiconductores extrínsecos.

⎛ Eg ⎞
ni = N C NV exp⎜⎜ ⎟⎟
⎝ 2 k BT ⎠
Para Si (300 K) ni = 9.65 x 109 cm-3
Para GaAs (300 K) ni = 2.25 x 106 cm-3
 Ley de acción de masa para semiconductores
extrínsecos
⎛ E − Ei ⎞ ⎛ Ei − E F ⎞
n = ni exp⎜⎜ F ⎟⎟ p = n i exp ⎜⎜ ⎟⎟
⎝ k BT ⎠ ⎝ k BT ⎠

El producto np es entonces,

⎛ Ei − EF ⎞ ⎛ EF − Ei ⎞
np = ni exp⎜⎜ ⎟⎟ni exp⎜⎜ ⎟⎟
⎝ k BT ⎠ ⎝ k BT ⎠

np = ni2

Por lo tanto la ley de acción de masa permanece para semiconductores

extrínsecos
 Cálculo para el nivel de Fermi extrínseco
A 300K generalmente hay suficiente energía térmica para ionizar
completamente los átomos dopantes, para un semiconductor tipo-n
n = ND (concentración de donadores)
⎛ EC − EF ⎞
n = N C exp⎜⎜ − ⎟⎟
⎝ k BT ⎠
⎛ EC − E F ⎞
N D = N C exp⎜⎜ − ⎟⎟
⎝ k BT ⎠
⎛ NC ⎞
∴ EC − EF = k BT ln⎜⎜ ⎟⎟
⎝ ND ⎠
Conforme la concentración de átomo donadores incrementa el
nivel de Fermi se desplaza hacia la banda de conducción.
Similarmente para un semiconductor tipo-p, p = NA (concentración
de aceptores)
⎛ EF − EV ⎞
p = NV exp⎜⎜ ⎟⎟
⎝ k BT ⎠
⎛ EF − EV ⎞
N A = NV exp⎜⎜ ⎟⎟
⎝ k BT ⎠
⎛ NV ⎞
∴ E F − EV = k BT ln⎜⎜ ⎟⎟
⎝ NA ⎠
Conforme la concentración de átomos aceptores incrementa el nivel
de Fermi se desplaza hacia la banda de valencia
 ¾A menudo es útil expresar la densidad de portadores en
términos de la concentración intrínseca de portadores y del nivel
de Fermi intrínseco,

Para electrones,

⎛ EC − Ei ⎞ ⎛ Ei − E F ⎞ ⎛ E − EF ⎞
⎜
n = N C exp⎜ − ⎟
⎟ exp⎜⎜ − ⎟⎟ n = N C exp⎜⎜ − C ⎟⎟
⎝ k BT ⎠ ⎝ k BT ⎠ ⎝ k BT ⎠

⎛ E F − Ei ⎞
n = ni exp⎜⎜ ⎟⎟ Similarmente para p = n exp⎛⎜ Ei − E F ⎞
⎟⎟
⎝ k BT ⎠ huecos,
i ⎜ k T
⎝ B ⎠
Densidad intrínseca de
portadores para Si, Ge y GaAs en
función del inverso de la
temperatura
¾La dependencia de la temperatura de la energía de banda
prohibida, Eg, se ha determinado experimentalmente de la siguiente
expresión:

1.6
Eg (GaAs) = 1.42 eV
1.4
Donde Eg(0), α y β son

Energy Bandgap (eV)

1.2 Eg (Si) = 1.12 eV
parametros de ajuste.
1

0.8
Eg (Ge) = 0.66 eV
0.6

0.4

0.2
Temperature (K)
0
0 200 400 600 800 1000 1200
 Densidad de electrones en función de la
temperatura
¾ A bajas temperaturas la
energía térmica es insuficiente
para ionizar todos los átomos
donadores, entonces n < ND

¾ A altas temperaturas la
energía térmica es suficiente
para ionizar todos los átomos,
entonces n = ND
¾ A ciertas temperaturas la
densidad intrínseca de portadores
se vuelve comparable a la
concentración de donadores y más
allá de este punto el semiconductor
se vuelve intrínseco
Compensación y neutralidad de la carga espacial
Si tanto las impurezas donadoras
como aceptoras están presentes
al mismo tiempo, el nivel de Fermi
se ajusta para preservar la
neutralidad de carga

n + N A− = p + N D+

⇒ n = p + N D+ − N A−
Conductividad y Movilidad
(bajo la influencia de un pequeño campo eléctrico, F)

F=0

Movimiento térmico aleatorio νth

Electrones dispersados de átomos
No existe desplazamiento neto a lo largo del tiempo
Tiempo promedio entre colisiones
−
t ~ 10 −12 s
Conductividad y Movilidad
(bajo la influencia de un pequeño campo eléctrico, F)

Electrones acelerados en la dirección opuesta al campo

aplicado entre colisiones tal que un desplazamiento neto y una
componente adicional de la velocidad de deriva ν x
 −
− qF t = me* ν x
Similarmente para
huecos en la banda
⎛ eτ c ⎞ de valencia
νx = −⎜⎜ * ⎟⎟ F moviéndose en
⎝ me ⎠ dirección del campo
eléctrico

La movilidad del electron (cm2V-1s-1) ν p = μpF

ν x = −μn F
Densidad de corriente de deriva

La densidad de corriente del electrón se encuentra por el producto

de la carga y la velocidad para todos los electrones por unidad de
volumen,
In
J n = = −qn ν x = qnμ n F
A

Similar para los huecos, J p = qpν x = qpμ p F

Conductividad
La densidad de corriente de deriva total es sencillamente la suma
de ambas densidades de corriente, del electrón y del hueco
J = Jn + J p

J = (qnμ n + qpμ p )F

conductividad

σ = q (nμ n + pμ p )
Dependencia de la temperatura con la movilidad para dispersión
de red y de impurezas
Variación de la movilidad
con la concentración de
impurezas para Si, Ge y
GaAs a 300 K.

La movilidad debido a
dos o más mecanismos
de dispersión,

1 1 1
= + +...
μ μ1 μ2
Efectos de campo alto En muchos casos se
alcanza un limite superior
para la velocidad de
deriva de portadores en
un campo alto. Este límite
ocurre cerca de vth
(107 cm/s), y representa
el punto en el cual la
energía generada por el
campo eléctrico se
transfiere a la red en vez
de incrementar la
velocidad de portadores
 El Efecto Hall
¾ Al aplicarse un campo eléctrico E a un cristal, los portadores libres
adquieren una velocidad promedio denominada velocidad de
arrastre proporcional al campo eléctrico aplicado
v d = μE

¾ El coeficiente de proporcionalidad μ es la movilidad del

portador, μn para electrones y μp para huecos.
¾ Al aplicar un campo magnético B perpendicular a la trayectoria
de la corriente I, la trayectoria de los electrones que viajan con una
velocidad vd se ve afectada por la fuerza de Lorentz
r r r
F = q(vd x B )

¾ Desviación de los electrones, origen a un campo eléctrico Ey

¾ Condición de neutralidad de fuerzas

− qEy = q(vd B)
¾ Considerando las expresiones para la densidad de corriente

I
j = − nqvd y j=
wd
IB
⇒ Ey = −
nqwd

Voltaje y constante Hall 1 IB

VH = E y w = -
nq d
1
es llamada la constante de Hall (RH)
nq

IB VH d
⇒ VH = − R H y RH =
d IB
¾Movilidad de portadores

σn σp
μn = = σnR H μp = = σpR H
qn qp

¾ Densidad de portadores

1 1
n= p=
R Hq R Hq