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UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA


ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

GUÍA EXPERIENCIA N°4 - LABORATORIO DEL CURSO EE441 N

EL TRANSISTOR BIPOLAR – POLARIZACIÓN

INTRODUCCIÓN

El transistor bipolar es un dispositivo que posee tres capas semiconductoras con sus respectivos
contactos llamados; colector (C), base (B) y emisor (E).
La palabra bipolar se deriva del hecho que internamente existe una doble circulación de corriente:
electrones y lagunas o agujeros.

CLASIFICACIÓN DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES


1.- Por la disposición de sus capas: Transistores PNP y NPN

2.- Por el material semiconductor empleado: Transistores de Silicio y de Germanio


3.- Por la disipación de Potencia: Transistores de baja potencia, de mediana potencia y de alta potencia
4.- Por la frecuencia de trabajo: Transistores de baja frecuencia y Transistores de alta frecuencia

POLARIZACIÓN DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES

Para que un transistor bipolar funcione adecuadamente, es necesario polarizarlo correctamente. Para
ellos se debe cumplir que:
La juntura BASE - EMISOR este polarizado directamente, y
La juntura COLECTOR – BASE este polarizado inversamente.

Ejemplo: Si el transistor es NPN, la base debe tener un voltaje positivo con respecto al emisor y el
colector debe tener un voltaje también positivo pero, mayor que el de la base. En el caso de un transistor
PNP debe ocurrir lo contrario.

CODIFICACIÓN DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES

Los transistores tienen un código de identificación que en algunos casos especifica la función que
cumple y en otros casos indica su fabricación.
Pese a la diversidad de transistores, se distinguen tres grandes grupos: Europeos, Japoneses y
Americanos.
CODIFICACIÓN EUROPEA
Primera letra: A : Germanio
B : Silicio

Segunda Letra:
A : Diodo (excepto los diodos túnel) L : Transistor de alta frecuencia y potencia
B : Transistor de baja potencia
D : Transistor de baja frecuencia y de potencia P : Foto – semiconductor
E : Diodo túnel de potencia S : Transistor para conmutación
F : Transistor de alta frecuencia

Ing. Virginia Romero


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Y : Diodos de potencia
U : Transistor para conmutación y de potencia Z : Diodo Zener
Número de serie

100 – 999 : Para equipos domésticos tales como radio, TV, amplificadores, grabadoras, etc.
10 – 99 y la letra X, Y o Z : Para aplicaciones especiales.
Ejemplo: AD149, es un transistor de potencia, de germanio y sus aplicaciones son de baja frecuencia.

CODIFICACIÓN JAPONESA

Primero
0 (cero): Foto transistor o fotodiodo 1: Diodos
2: Transistor
Segundo
S : Semiconductor

Tercero
A : Transistor PNP de RF (radiofrecuencia) D : Transistor NPN de AF
B : Transistor PNP de AF (audiofrecuencia) F : Tiristor tipo PNPN
C : Transistor NPN de RF G : Tiristor tipo NPNP
Cuarto
Número de serie : comienza a partir del número 11

Quinto
Indica un transistor mejor que el anterior

Ejemplo:

Es un transistor PNP de RF con mejores características técnicas que el 2SA186.

CODIFICACIÓN AMERICANA

Anteriormente los transistores americanos empezaban su codificación con el prefijo 2N y a continuación un


número que indicaba la serie de fabricación. Ejemplo 2N3055, 2N2924 (manuales del laboratorio).
Actualmente, cada fábrica le antepone su propio prefijo, así se tiene por ejemplo : TI1411, ECG128, etc.
que corresponden respectivamente a TEXAS INSTRUMENTS Y SYLVANIA.

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I. OBJETIVO:

• Conocer las características técnicas y los requerimientos de uso del transistor.


• Adquirir destreza en el uso de los equipos y la obtención de las curvas características del transistor
Bipolar.
• Adquirir destreza en el manejo de los manuales y obtención de los data sheet de los dispositivos a
usar de Internet y los equipos de medición.
• Determinar las operaciones de corte y saturación de los transistores.
• Identificar las rectas de carga y punto de operación.
• Adquirir destreza en el manejo de los equipos y el ensamble de los circuitos.
• Afianzar el trabajo en equipo asumiendo responsabilidades en el desarrollo de la experiencia.

II. COMPETENCIAS

• Maneja correctamente el multímetro, generador, fuente de alimentación y osciloscopio, configurando


y conectándolos apropiadamente.
• Selecciona correctamente los componentes a utilizar para el análisis de corte y saturación del
transistor bipolar.
• Elabora informes técnicos claros mediante un formato digital establecido, detallando el proceso de
laboratorio desarrollado, entregando puntualmente.
• Usa software de simulación y compara con los resultados experimentales.
• Reconoce la importancia del trabajo en equipo y se integra y participa en forma efectiva en equipos
multidisciplinarios de trabajo.

III. PREGUNTAS PARA EL INFORME PREVIO:

a. Realice los cálculos para hallar I B , I C empleando el simulador ORCAD / Pspice o similar.
b. Simule los pasos de la guía de laboratorio y anote las tensiones y corrientes que se piden en el
experimento.

c. Con los valores obtenidos con el simulador, haga las gráficas de las curvas: I C vs VCE ; I C vs I B ;
β vs I C ; I B vs VBE ; y obtenga el gráfico de respuesta en frecuencia indicando la ganancia de
tensión vs. Frecuencia usando la escala logarítmica.
d. Obtenga el Data Sheet del transistor y determine las características de corte y saturación así como
el punto de operación del 2N 2222 y el 2N 3904.
e. Que voltaje AC de entrada puede soportar el transistor 2N 2222 y el 2N 3904
f. Determine la impedancia de entrada y salida a 60 Hz.

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IV. EQUIPOS Y MATERIALES:

− 01 transistor NPN 2N2222 ó 2N3904 − 01 protoboard


− 01 Resistencia de 100Ω; 2de 1KΩ de 1W − 02 Fuente DC; puntas de prueba
− Resistencias:10KΩ;15KΩ;56KΩ;22KΩ;180KΩ; − 01 protoboard y cables conectores
3.3KΩ;6.2KΩ;10KΩ;47KΩ ,510KΩ;2KΩ de 1W − 01 multímetro
− 01 Potenciómetro lineal de 50KΩ y 500 KΩ 0.5W − 01 Generador de funciones
− 02 transistores BJT iguales BC548A − 01 Osciloscopio, puntas de prueba
− 02 Diodos LED − 01 amperímetro analógico

V. PROCEDIMIENTO.

5.1 POLARIZACIÓN- CURVAS DEL TRANSISTOR

a. Mida las resistencias y los potenciómetros con el multímetro y anote los valores.
b. Determine los terminales del transistor con el multímetro o use los manuales e imprima EL Data
Sheet obtenida en Internet (Nota: si el multímetro tiene probador de transistores úselo)
c. Arme el siguiente circuito: Tenga cuidado de colocar correctamente los terminales del transistor.

50K

500k

IC
100K DC = 12V
IB
C
B

10k E

Figura 1
Nota: En la figura la resistencia de 100k reemplazar por una resistencia de 100 Ω

d. Si usa un transistor equivalente busque en el datasheet sus características y modifique si es


necesario el voltaje de entrada.

e. Verifique las conexiones con el multímetro, ajuste la fuente a 12 VDC y conéctela al circuito.

f. La corriente de base ( I B ) obtenida en el informe previo, la puede ajustar con el potenciómetro de


500 KΩ. La corriente de base ( I B ) la puede medir indirectamente con la tensión en la resistencia
de 10KΩ. La tensión de colector-emisor ( VCE ) la puede ajustar con el potenciómetro de 50KΩ. La

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corriente de colector ( I C ) la puede medir indirectamente con la tensión en la resistencia de 100 Ω


si solo cuenta con un amperímetro.

g. Para determinar las curvas I C vs VCE , ajuste y mantenga I B en 40µA y llene la siguiente tabla:

VCE (V) 0.2 0.5 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10


I C (mA)

Ajuste y mantenga I B en 80µA y llene la siguiente tabla, para obtener la curva I C vs I B


VCE (V) 0.2 0.5 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
I C (mA)

IC
h. Obtener las Curvas I C vs I B : ( β = ) , β vs I C
IB
Mantenga VCE = 5V y llene la siguiente tabla:

I B (µA) 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130


I C (mA)
β

i. Obtener las curvas I B vs V BE . Mantenga VCE = 5V y llene la siguiente tabla:

I B (µA) 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130

V BE (V)

Ejemplo:

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VI. PREGUNTAS PARA EL INFORME FINAL:

a. Haga una tabla comparando los valores teóricos con los valores experimentales. ¿Cómo los
explica?

b. Para el circuito de la fig.1, obtenga las gráficas de las curvas: I C vs VCE ; I C vs I B ; β vs I C é I B vs


V BE . ¿Qué diferencia observa entre las curvas teóricas y experimentales?

c. Para los circuitos de las figuras: 1, 2 y 3. Presente la forma de onda de entrada ( Vin ) y de la carga
( V L ) obtenida en el laboratorio. Qué relación de fases hay entre ellas?

d. Observe los límites para la zona activa y compárelos con los valores obtenidos para la región de
saturación y corte.
e. Mostrar las capturas e imagen en cada caso y explicar.
f. Indique y explique sus observaciones y conclusiones.

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