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PROBLEMA 1 (2 puntos)
Para fabricar un semiconductor extrínseco tipo p se deposita galio en la superficie de una oblea
de silicio puro a 1100 ºC. Transcurrido un cierto tiempo, en la superficie de la oblea
hay 0,025 % en peso de galio y a una profundidad de 0,05 cm hay 1 átomo de galio por cada
5 106 átomos de silicio. Si la estructura cristalina del silicio es de tipo diamante, determinar:
a) el coeficiente de difusión
b) el flujo de átomos de galio
Datos: a = 5,43 Å; Do= 3,6 10-4 m2/s; Q = 339 103J/mol; K = 1,381 10-23 J/(at K);
MGa = 69,7; MGa = 28,1
PROBLEMA 2 (2 puntos)
Utilizando el diagrama de fases hierro-carbono, determinar:
a) Porcentaje en peso de ledeburita a la temperatura eutéctica para una fundición que tiene un
10% de ferrita a temperatura ambiente
b) Porcentaje en peso de cementita eutéctica, cementita eutectoide y cementita secundaria para la
fundición del apartado a).
PREGUNTAS TIPO TESTS (2 puntos)
1) Suponiendo el máximo empaquetamiento posible, la densidad teórica del cloruro sódico (ver
figura de la pregunta nº 1 de teoría) es
Datos: PCl = 35,45; PNa = 23; rCl = 1,81 Å; rNa = 0,98 Å;
2,3 g/cm3
2.9 g/cm3
5,8 g/cm3
18 g/cm3
3) ¿En qué proporción en peso entrará el etileno a formar un copolímero alternado atáctico
etileno-cloruro de vinilo?
25 %
30,9 %
44,8 %
50 %
la capacidad de temple es la aptitud que presenta un acero para dejarse penetrar por el
temple
el temple de un acero con bajo contenido en carbono es más difícil que el de un acero con
alto contenido en carbono
el examen de las superficies de fractura de un acero templado permite obtener información
sobre la capacidad de temple del acero
el diámetro crítico de un acero es independiente del medio de temple utilizado