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PRESENTADO POR:
JEFFERSON VEGA SUAREZ. CODIGO: 2093253
EDWIN CARREÑO LOZANO. CODIGO: 2090454
OBJETIVOS
PROCEDIMIENTO / RESULTADOS
Caracterización NMOS
El resultado es el siguiente:
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FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALOGICOS
Actividad #1: Caracterización de transistores MOS
Actividad #2: MOSFET como interruptor
Y=A+BX 𝐴 = −8.5884𝑒 −4
𝐵 = 1.5002𝑒 −3
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FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALOGICOS
Actividad #1: Caracterización de transistores MOS
Actividad #2: MOSFET como interruptor
Y= A+BX Vth3=1.17[v]
𝐴 = −3.09𝑒 −4 𝐵 = 3.434𝑒 −4
Fig. 6. 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐺𝑆 (𝑐𝑜𝑛 𝑉𝑆𝐵 = 300𝑒 −3 ) Ahora con los valores obtenidos para Vth los
graficamos en
funcion de
Al realizar la respectiva regresion se obtuvo:
donde 0,7=
Y= A+BX Vth2=1.056[v]
𝐴 = −7.392𝑒 −4 𝐵 = 7.387𝑒 −4 Como se muestra en la siguente grafica:
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FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALOGICOS
Actividad #1: Caracterización de transistores MOS
Actividad #2: MOSFET como interruptor
Caracterización PMOS
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FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALOGICOS
Actividad #1: Caracterización de transistores MOS
Actividad #2: MOSFET como interruptor
Se realizó la respectiva regresión lineal dando De igual forma que para el mosfet tipo n se
como resultado: realizó la respectiva regresión para obtener:
Y=A+BX 𝐴 = −3.7105𝑒 −4
𝐵 = 4.6999𝑒 −4 Y= A+BX |Vtp1|=1.15[v]
𝐴 = −2.8014𝑒 −4 𝐵 = 2.92𝑒 −4
Debido a que la pendiente es B=K*VSD y el
corte con el eje horizontal es Vth Para VBS2=300m[v] realizamos el siguiente
circuito para simularlo:
𝐵
𝐾=𝑉 = 9.3998𝑒 −4 , VSD=500m, W/L=30
𝑆𝐷
𝐾
K=Kp (W/L) por lo tanto 𝐾𝑃 = (𝑊/𝐿) = 31.33𝑒 −6
|Vth|= |A/B|= 0,789[v]
Encontrar Gama
Fig. 14. MOSFET con efecto cuerpo Fig. 17. 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝑆𝐺 (𝑐𝑜𝑛 𝑉𝐵𝑆 = 300𝑒 −3 )
(𝑉𝐵𝑆 = 200𝑒 −3)
Al realizar la respectiva regresión:
Con VDS=500m[v], se realizó un barrido con Y= A+BX |Vtp1|=1.21[v]
VGS de 0[v] a 3.5 [v] obteniendo la corriente ID 𝐴 = −1.8576𝑒 −4 𝐵 = 1.8939𝑒 −4
en la siguiente gráfica:
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FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALOGICOS
Actividad #1: Caracterización de transistores MOS
Actividad #2: MOSFET como interruptor
Para VBS3=400m[v]
Realizando la regresión:
Y= A+BX |Vtp1|=1.32[v]
−4
𝐴 = −1.05246𝑒 𝐵 = 9.7534𝑒 −5
Fig. 21. MOSFET con modulación de canal
Obtenidos estos datos anteriores se puede graficar
(𝑉𝑆𝐺 = 2)
𝑉𝑇 𝑣𝑠 √𝑉𝐵𝑆 + 𝜑0 − √𝜑0 Se seleccionó un valor de 𝑉𝑆𝐺 para asegurar que
haya canal de electrones, se realizó el respectivo
Donde 𝜑0 = 0.7. barrido de 𝑉𝑆𝐷 para graficar 𝐼𝐷 :
Como muestra la siguiente figura.
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FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALOGICOS
Actividad #1: Caracterización de transistores MOS
Actividad #2: MOSFET como interruptor
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FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALOGICOS
Actividad #1: Caracterización de transistores MOS
Actividad #2: MOSFET como interruptor
BIBLIOGRAFIA
CONCLUSIONES