EXAMEN DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS 4to.

EXAMEN “EL
MOS Y MOSFET”.
Nombre del Alumno:

1.- La distribución de carga de cuatro capacitores MOS ideales se muestran en la figura 11.62. Para
cada caso: a) El semiconductor es tipo p o n, b) El dispositivo está polarizado en modo de
acumulación, vaciamiento o inversión?, c) Dibuje el diagrama de bandas de energía en la región
del semiconductor.

2.- La curva característica C-V en alta frecuencia de un capacitor MOS se muestra en la figura 11.64.
El área del dispositivo es 2X10-3 cm2. La diferencia de la función trabajo metal-semiconductor es
φms=-0.50V, el óxido es SiO2, el semiconductor es de silicio y la concentración de dopantes en el
semiconductor es 2X1016 cm-3. a) es el semiconductor tipo n o p?. b)cuál es el espesor del óxido?.
c) cuál es la densidad de carga equivalente atrapada en el óxido?. d) Determine la capacitancia de
banda plana.
3.- ¿Qué es la conducción sub-umbral? ¿Qué es el efecto de relación I-V de un MOSFET?. ¿Qué es la
modulación de longitud de canal? Exponer un método para calcular ΔL agotamiento en el canal.

4.- Una curva de un MOSFET de canal n es caracterizado por los siguientes parámetros: ID(sat) = 2
x 10-4 A, VDS(sat) = 4 V, y VT = 0.8 V.

a) ¿Cuál es el voltaje de compuerta?

b) ¿Cuál es el valor de los parámetros de conducción?

c) Si VG = 2 V y VDS = 2 V, ¿Determine ID?

d) Si VG = 3 V y VDS = 1 V, ¿Determine ID?.

e) Para cada una de las condiciones dadas en (c) y (d), Dibuje la densidad de carga de inversión y la
región de deserción a través del canal.

5.- (a) Diseñar un circuito de polarización como el que se muestra en la figura 5.47 (d) para un
NMOS. El voltaje de alimentación de cd es VDD = 15V. Usar un NMOS tipo 2N4351, cuyos
parámetros son V = 2.24 V, K = 125 𝑢𝐴/V2, y 𝑉 M = 200 V. Supóngase que el transistor opera en la
región de saturación con iD = 2 mA.

b) Calcular los parámetros de señal pequeña gm y r0 del NMOS.

6.- Diseñe un circuito de polarización como el que se muestra en la Fig. 5.47 (c), para un NMOS en
el que Vt varia desde 1V hasta 1.5 V, y Kp cambia desde 150 µA/V2 hasta 100 µA/V2. Limitando la
variación de la corriente de drenaje a 5 mA ± 20 %, calcule los valores de Rsr, R1, R2 y RD. Suponga
que V = 15 V.