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Clase 22
Clase 22
Patricio Parada
pparada@ing.uchile.cl
Departamento de Ingeniería Eléctrica
Universidad de Chile
27 de Octubre de 2009
1 Alta Frecuencia
Modelo MOSFET Extendido
En la región de saturación,
2
Cgs = W LCox , Cgd = 0
3
Estos valores vienen de la modulación de canal, dado que su forma
está estrangulada en el extremo de drenaje.
En la región de corte el canal desaparece ⇒ Cgs = Cgd = 0.
Sin embargo, podemos modelar la capacidad entre compuerta y
cuerpo como
Cgb = W LCox
Esta capacidad es relevante cuando el MOSFET se utiliza como
conmutador (opera en corte y tríodo), y uno quiere determinar el
retardo o “inercia” en cada transición de estado.
Definiendo
2
Cgs = W LCox + W Lov Cox
3
Cgd = W Lov Cox
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Ancho de Banda de Ganancia Unitaria IV
Id = gm Vgs − Ids
= gm Vgs − ωCgd Vds
= (gm − ωCgd )Vgs
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Efecto Miller y Capacitancia de Miller I
Los circuitos FET, al igual que los amplificadores bipolares, sufren del
efecto Miller en alta frecuencia.
Recordemos que el efecto Miller se traduce en una reducción del ancho
de banda del transistor en operación de emisor común, producto de la
realimentación via Cµ .
En el caso del transistor FET, la realimentación se realiza mediante
Cgd .
Consideremos el modelo simplificado para alta frecuencia, con una
carga RL conectada en la salida:
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Efecto Miller y Capacitancia de Miller II
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Efecto Miller y Capacitancia de Miller III
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Efecto Miller y Capacitancia de Miller IV
Av ≈ −gm RL . (6)
Para eliminar la fuente dependiente Vds del lado izquierdo del circuito,
podemos determinar la impedancia equivalente que se ve desde G
hacia la derecha:
Vgs Vgs 1
Zeq = = = . (7)
Igd (Vgs − Vds )ωCgd (1 − Av )ωCgd
CM = (1 + |Av |)Cgd .
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Efecto Miller y Capacitancia de Miller V
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Efecto Miller y Capacitancia de Miller VI
Ii = ω(Cgs + CM )Vgs
Id = gm Vgs
Luego
Id gm
Aio = = , (9)
Ii ω(Cgs + CM )
y el ancho de banda de ganancia unitaria es
1
fT = . (10)
2π(1/gm )(Cgs + CM )
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Observaciones I
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Observaciones II
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