AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES DE EFECTO DE

CAMPO (FET)

Abstract
El FET es un dispositivo activo que opera como una fuente de
cor-riente controlada por voltaje. Los más comunes son los
transistores de compuerta aislada llamados MOSFET y los de
compuerta de unión llama-dos JFET. Posee cuatro zonas de
operación, ohmica o lineal, saturación, corte y ruptura.

1. INTRODUCCION

El estudio de la electrónica continúa con el conocimiento de los transistores JFET. Para el caso de
los transistores de efecto de campo más conocidos como JFET la relación entre las variables de
entrada y salida es no lineal debido a la ecuación de Shockley.
Para el cálculo de éstos se usa el método matemático, además también se utiliza el método grafico
el cual es el más utilizado.
Destacando que la ecuación mencionada anteriormente es la misma para todas las configuraciones
de red del JFET siempre y cuando el dispositivo se encuentre en la región activa. La red define el
nivel de corriente y voltaje asociado con el punto de operación mediante su propio conjunto de
ecuaciones.
Este tipo de transistor se lo puede configurar de diferentes formas como son polarización con dos
fuentes, auto polarización; con resistencia de source y sin ella, y polarización con dos fuentes. Además
estos transistores FET existen de dos tipos que son de tipo n y p, que en su simbología se lo reconoce
por el signo de la flecha.

2. MARCO TEÓRICO

El FET tiene tres terminales: Fuente (Source), Drenador (Drain) y Compuerta (Gate). Este último es
el terminal de control. El voltaje aplicado entre la compuerta y la fuente controlará la corriente entre la
fuente y el drenador. Es un dispositivo unipolar, pues, la corriente es transportada por portadores de
una polaridad, será canal 𝑁 si la corriente se debe a 𝑒 − , o canal 𝑃, si la corriente se debe a ℎ+ .

Ventajas

 Alta impedancia de entrada 107 − 10−12 [Ω]

 Ideal como etapa de entrada para todo
 Mejor estabilidad a To que el BJT
 Niveles de ruido más bajo.
 Tecnología de fabricación más sencilla

Desventajas

 Respuesta en frecuencia no muy aceptable, debido a su alta capacidad de

entrada.
  No poseen buena linealidad.
 Muy sensibles a descargas electrostáticas.

2.1. Tipos de FET

De puerta aislada, MOSFET (Metal - Oxide - Semiconductor FET). De puerta de unión,
MESFET o bien, JFET (junction FET).

FET

Puerta Aislada Puerta de Unión

MOSFET JFET MESFET

Enriquecimiento Empobrecimiento
Canal N Canal P
Canal N Canal P Canal N Canal P D D D
D D D D

G G G G G G G S
S S S S S S

Figure 1: Tipos de FET.

El MOSFET de enriquecimiento canal n

También recibe el nombre de MOSFET de Acumulación, Incremental o Acrecentamiento. El
símbolo se muestra en la Fig. 2b. Si el sustrato está unido a la fuente, se simplifica de
acuerdo a la Fig. 2 c - d.
G
D
S D D D
G G G
n n Sustrato

p S S S

Sustrato

(a) (b) (c) (d)

Figure 2: (a) MOSFET canal n. (b) Símbolo. (c) Símbolo, sustrato unido a la
fuente. (d) Símbolo abreviado del MOSFET.

2
 Funcionamiento:

De acuerdo el diagrama de la Fig. 2a, la compuerta está aislada por una película
de SiO2 (Dióxido de silicio), el transistor se polariza de acuerdo a la Fig. 3a.
vG S
+

iD G iD
S D

G + v n n
+ DS +

p
vG S
S DS

(a) (b)

Figure 3: Polarización del MOSFET.

El análisis se realiza de acuerdo a la variación del voltaje en la compuerta

y el voltaje vDS. Para vGS = 0, de acuerdo a la Fig. 4a se observan dos
junturas, sustrato-drenador y sustrato-fuente, donde la primera está polarizada
inversa debido a vDS, así iD = 0, por lo tanto se dice que el transistor está en
corte. El MOSFET permanecerá en corte para valores de vGS menores al
voltaje umbral VT

vG
vGS > VT vGS > VT
S= 0

S G iD D S +
G iD D + G iD
S D

------
n n n n n n

+ +
p v p v + _
DS

DS p vDS > v V
GS T

(a) (b) (c)

Figure 4: (a) vGS = 0. (b) Formación del canal n. (b) Estrangulamiento del
canal.

Si se incrementa vGS, la tensión positiva en la compuerta, de acuerdo a la

Fig. 4b, ésta atrae a los e del sustrato ubicado entre los terminales D y S , lo
que implica que dichos e se acumulan en la super…cie inferior de la
compuerta (G), formándose un canal conductor tipo n, produciéndose una
corriente iD para vGS > VT . Al aumentar lévemente vDS, la corriente iD
aumenta de acuerdo a (1), lo cual ocurre mientras vDS < (vGS VT ).

iD = k 2 (vGS VT ) vDS vDS2 (1)

Esta zona se conoce como zona ohmica o lineal, sin embargo, al aumentar
vDS, el canal se empieza a estrechar hasta que se produce el estrangulamiento

3
 (pinch-o¤) como se indica en la Fig. 4c. Esto ocurre para valores de v DS = vGS
VT : Dado que se produce un aumento de la resistencia del canal, para un
nuevo aumento de vDS, el aumento de iD será pequeño, por lo tanto el FET
se encuentra en saturación y su comportamiento estará dado por (2).

iD = k (vGS VT )2 (2)
Donde k depende de la estructura física del FET. La curva indicada en la
Fig. 5 muestra el comportamiento de la ecuación (1) y (2) para un valor v GS
…jo mayor que VT , en función de vDS.

iD

vDS < vGS - VT v DS > vGS - VT

Ohmica Saturación vDS

Figure 5: Zona ohmica y saturación.

La curva iD vGS se indica en la 6a. Para distintos valores de vGS es posible

obtener distintas curvas iD vDS, luego para valores de vGS3 > vGS2 > vGS1 se
tendrán las curvas de la Fig. 6b.
[mA ]
iD[mA ] iD Reg ió n
Reg ió n
S a t ura ció n
Óhmica v
GS 3

v
GS 2
v
GS1

[V] [V]
VT v GS vDS
C o rt e
(a) (b)

Figure 6: (a) Curva iD vGS. (b) Curva iD vDS del MOSFET de acumulación.

2.2 Características del MOSFET de Enriquecimiento

No existe IDSS:

4
 Se utilizan para fabricación de circuitos
integrados. Requiere una vGS > 0.

Para canal n, vT > 0 y vGS > 0; para canal p, VT < 0 y vGS < 0:

Para vGS > vT ) iD = k (vGS VT )2, donde k es una constante dependiente

del método de fabricación, su dimensión es [ mAV2 ]:

3 El JFET canal n
Sea el JFET canal n de la Fig. 7.
G

D
p
S D G
Canal n

p
S

(a) (b)

Figure 7: (a) Estructura de un JFET. (b) Símbolo.

La operación del JFET se realiza mediante un circuito externo como se

muestra en la Fig. 8. Se aplica una fuente de tensión VDD, al drenaje y una fuente
de tensión a la compuerta, VGG. La fuente VDD provoca una tensión vDS, la cual
hace circular una corriente de drenaje iD hacia la fuente, la que será idéntica a la
corriente de la fuente. La tensión vGS que es igual la VGG, crea una región
desértica en el canal, que reduce el ancho de éste y por lo tanto aumenta la
resistencia entre el drenaje y fuente, como la juntura compuerta - fuente está
polarizada inversa, entonces la corriente por la compuerta es cero.

+ G
VGG
D
p
G
+
VDD S D
Canaln

VGG +
+ p V
DD
S

(a) (b)

Figure 8: Polarización del JFET.

Considerando VGG = 0 y un pequeño potencial en el drenaje como se indica

en la Fig. 9a, los e ‡uirán desde la fuente hasta el drenador (D), así existirá una

5
 vGS = 0
G G

p p
+
S D S + D
Canal n +
+ + +
p p
V V
DD DD

(a) (b)

Figure 9: Funcionamiento del JFET.

corriente iD. La corriente en la compuerta será cero, pues la juntura p-n está
polarizada inversa.
La intensidad de la corriente dependerá de vDS. Mientras aumenta vDS, la
corriente iD alcanza la saturación. Si vDS sigue aumentando iD será constante.
La corriente de saturación para vGS = 0, se denomina IDSS. Haciendo vGS
más negativo, se crea una región desértica (región donde no existen
portadores) y se cierra para un valor de iD menor al de saturación.

iD [mA] i D[mA]

I IDSS
DS S 0

-1

-2
[V] [V]
vDS v V
GS p
(a) (b)

Figure 10: (a) Curva iD vDS. (b) Característica iD vGS.

Si vGS disminuye más, se alcanza un valor de vGS después del cual iD se

hace cero, sin importar el valor de vDS. este valor se llama vGSOF F , o tensión
de estrangulamiento (Vp). Para el JFET el Vp es negativo. La ecuación de
Schockley indicada en (3) describe la característica i D vGS del JFET, la cual
se indica grá…camente en la Fig. 10b.
v 2
GS

1
iD = IDSS Vp (3)
Donde IDSS es la corriente de saturación inversa y Vp; la tensión de estran-
gulación del canal. Bastará conocer IDSS y Vp;los cuales son proporcionados por
el fabricante, para que la característica quede determinada . La corriente I DSS es
función de la T o. Vp < 0 para JFET canal n y Vp > 0 para JFET canal

6
 iD [mA]

I =
DSS 10 0

-1

-2

[V]v vDS
GS -3 [V]

Figure 11: Ejemplo de curva iD vGS; iD vDS.

p. La Curva de la Fig. 11, entrega una descripción completa del dispositivo, en

ella se dibuja la ecuación de Schockley en conjunto con la curva de salida.

4 Polarización Básica del JFET

4.1 Diseño
Sea el circuito de polarización, diseñar para IDQ = 3 [mA], vDS = 4 [V ] ; IDSS
= 5 [mA], VDD = 10 [V ] y Vp = 4 [V ] :
RD
RG

iD V
iG DD
V
GG

Figure 12: Circuito de Polarización…ja para el FET.

Planteando la una ecuación en la entrada, se tiene

VGG = iGRG + vGS (4)

Planteando una ecuación en la salida

V =i R +v
DD D D DS (5)
Dado que iG = 0, entonces VGG = vGS: Mediante la ecuación de Schockley se
determina vGS.

7
 v 2
GS
5 [mA] 1 (6)
3 [mA] = 4 [V ]

3
(7)
!
vGS = 4 r 5 1 = 0:901 [V ]
Así se tiene que VGG = 0:901 [V ] ; luego de la ecuación de salida
V vDS 10 [V ] 4 [V ]
RD = DD = = 2 [K ]
(8)
iD 3 [mA]

El valor de RG se considera un valor alto, comunmente 1 [M ] : El punto

de operacion se muestra en la Fig. 13.
iD
[mA]

5 0V

3 -0.9V

[V] v v [V]
GS -4 -0.9 4 10 DS

Figure 13: Ejemplo punto de operación.

Curva de transferencia del JFET

La curva que resulta de al unir los puntos que se obtienen al realizar las medidas en la malla de
entrada del circuito visto en el tema anterior, se conoce como curva de transferencia o de
transconductancia, esto porque se transfiere corriente ID por el drenador del JFET en este caso
uno de canal n, al variar la VGS, en otras palabras sería algo así, la corriente que se circule por
el drenador va a depender de la tensión que esté presente entre la compuerta y la fuente; como
se ve es una curva parabólica y esa curva obedece en forma aproximada a una ecuación
cuadrática, se dice aproximada porque en los circuitos con JFET reales los valores obtenidos
con la ecuación muchas veces se alejan del valor medido, esta ecuación es conocida como
ecuación de Shockley.
Para cualquier circuito que se realice con un JFET será necesario tener a mano la curva de
transferencia, algunas hojas de datos traen la curva de transferencia, pero es más útil si la obtiene
uno mismo y esta se consigue con la ayuda de esa ecuación. En la figura se ve la ecuación de
Schockey, con la cual se puede calcular la ID si se conoce el valor de VGS, o también se
puede calcular VGS si se conoce el valor de ID, el valor de IDSS y el de VGScorte serán valores
conocidos ya que se encuentran en la hoja de datos del JFET que se esté utilizando.
Para poder trazar la curva de transferencia se necesita conocer al menos 4 puntos que estén
sobre la gráfica, dos de los cuales serán IDSS y el otro VGScorte, con estos valores y con la
ecuación de Shockley se pueden calcular 2 puntos más que ayudan a trazar la curva de
transferencia, uno de ellos se calcula por ejemplo cuando la VGS sea la mitad de la VGScorte,
reemplazando esto en la ecuación se obtiene que para VGS=VGScorte/2 la ID=IDSS/4; el otro
punto se halla si se reemplaza ID=IDSS/2, en este caso al despejar se obtiene que el valor de
la VGS=(0,3)*VGScorte.

Veamos el caso de un JFET de canal p, se ve que la IDSS está entre -1mA y -5mA para trazar
la curva de transferencia se usará el promedio ya que en este caso no aparece el valor típico,
entonces la IDSS=-3mA cuando VGS=0; también se ve que VGScorte está entre 0,75V y 6V
igual usaremos el promedio por lo cual VGScorte=3V cuando ID=0; los otros 2 puntos se
hallarán con la ecuación de Shockley y se hará tal como se comentó anteriormente, para
VGS=VGScorte/2 esto es VGS=1,5V le corresponde ID=ID/4 lo cual es ID=-0,75mA, para
ID=IDSS/2 esto es para ID=-1,5mA le corresponde VGS=(0,3)*VGScorte lo cual es
VGScorte=0,45V; ya se tienen los 4 puntos necesarios para trazar la curva de transferencia del
JFET de canal p 2N5460 los cuales tienen las siguientes coordenadas: (3,0) (1.5,-0.75) (0.45,-
1,5) y (0,-3).

En la hoja de datos del 2N5460, se ve que están representados los gráfico de transferencia
(entrada) y el gráfico de salida, en ellos se ha representado la ID que es negativa en el lugar
que normalmente le corresponde a los valores positivos, es decir se está representando a los
valores negativos como aquellos puntos que están sobre el eje de la VGS, lo mismo han hecho
con la VDS han representado los valores negativos donde normalmente se representan las
valores positivos, se procede de igual manera en la siguiente figura, esto con el fin de que se
pueda ver la similitud con el caso de los JFET de canal n, de allí que anteriormente se halla
comentado que lo que se vea para el caso de los JFET de canal n, servirá para los JFET de
canal p, con la única diferencia que las fuentes VDD y VGG habrá que conectarlas en forma
invertida y al medir la corriente ID en el sentido del drenaje hacia la fuente dará un valor
negativo, además IG=0.
5 Conclusiones
El FET es un dispositivo activo que funciona como una fuente de corriente
con-trolada por voltaje. Básicamente el voltaje en la compuerta vGS, controla
la corriente iD entre el drenador y la fuente. Para el JFET, la ecuación que da
cuenta del comportamiento es la ley de Schockley, en la cual al corriente I DSS,
llamada corriente de saturación será la máxima permitida (para el JFET canal
n), el voltaje Vp (también llamado VGSOF F ) permite establecer el rango del
voltaje vGS y delimita el corte del transistor. Para el MOSFET de enriquec-
imiento se utiliza la relación en la región de saturación como ecuación para la
zona activa, donde la el voltaje umbral VT , establece el valor mínimo del
voltaje en la compuerta, la constante K de fabricación será considerada como
dato del fabricante.

6 BIBLIOGRAFIA
https://hellsingge.files.wordpress.com/2015/02/electrc3b3nica-
teorc3ada-de-circuitos-y-dispositivos-electrc3b3nicos-r-boylestad-
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http://mrelbernitutoriales.com/
http://www.cartagena99.com/recursos/electronica/apuntes/Electronica
%20Basica%20Para%20Ingenieros.pdf