Laboratorio N° 04: TRANSISTOR BIPOLAR -

AMPLIFICADOR EN BASE COMÚN, COLECTOR

COMÚN Y EMISOR COMÚN
Primo Flores Alexander Luis 2012024A
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Universidad Nacional de Ingeniería
Lima, Perú

I. OBJETIVO
 Estudiar las características del amplificador en base común, colector común y
emisor común.
 Adquirir destreza en el uso de los equipos y la obtención de las curvas
características del transistor Bipolar.
 Adquirir destreza en el manejo de los manuales y obtención de los data sheet de los
transistores.
 Calcular la impedancia de entrada y salida de estos amplificadores.
 Afianzar el trabajo en equipo asumiendo responsabilidades en el desarrollo de la
experiencia.
II. TEORIA
III. COMPETENCIAS
 Maneja correctamente el osciloscopio, generador, fuente de continua y multímetro,
configurando y conectándolos apropiadamente.
 Selecciona correctamente la energía de alterna y continua requerida para el
funcionamiento del transistor.
 Elabora informes técnicos claros mediante un formato digital establecido,
detallando el proceso de laboratorio desarrollado cumpliendo con su entrega
puntual.
 Usa software de simulación y compara con los resultados experimentales.
 Reconoce la importancia del trabajo en equipo y se integra y participa en forma
efectiva en equipos multidisciplinarios de trabajo.

IV. SIMULACION
Realice los cálculos empleando el simulador ORCAD / Pspice o similar. Ajuste la
tensión y frecuencia a los valores de la experiencia, use valores comerciales de
condensador y resistencia.

AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR BIPOLAR EN BASE COMÚN

Punto b:

Desconectando la señal en del generador:

 Voltaje en la base : 1,611 V
 Voltaje en el emisor : 988,039 mV
 Voltaje en el colector : 6,505 V
Punto d:

Voltaje en la salida con carga (RMS) : 94,841 mV

 Punto e:

Voltaje en la salida sin carga (RMS): 146,698 mV

Punto f:
 Punto g:
Se observa que ambas funciones están en fase (Desfasaje = 0)
F(Hz) 100 500 1K 2K 5K 10K 15K 20K 25K 30K 35K 50K
Vin 20 mVp
(Vpico)
VL 94.82 94.84 94.84 94.84 94.838 94.837 94.837 94.837 94.837 94.837 94.836 94.836
(Vpico) mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV

AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR BIPOLAR EN EMISOR COMÚN

Punto c:

Desconectando la señal en del generador:

 Voltaje en la base : 1,611 V
 Voltaje en el emisor : 988,039 mV
 Voltaje en el colector : 6,505 V
Punto e:

Voltaje en la salida con carga (RMS) : 96,333 mV

Voltaje en la salida sin carga (RMS) : 133,004 mV

 Punto f:

Se observa que ambas funciones están en fase (Desfasaje = 0)

Punto g:
F(Hz) 100 500 1K 2K 5K 10K 15K 20K 25K 30K 35K 50K

Vin 20 mVp
(Vpico)

VL 95.2 96.305 96.333 96.322 96.186 95.704 94.912 93.836 92.504 90.952 89.214 83.252
(Vpico) 67
mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV
mV
Punto j:
Retirando el condensador de 100uF:

Desconectando la señal en del generador:

 Voltaje en la base : 1,611 V
 Voltaje en el emisor : 988,039 mV
 Voltaje en el colector : 6,505 V

Voltaje en la salida con carga (RMS) : 10,193 mV

Voltaje en la salida sin carga (RMS) : 15,672 mV

Se observa que ambas funciones están en fase (Desfasaje = 0)

AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR BIPOLAR EN COLECTOR COMÚN
Punto c:

Desconectando la señal en del generador:

 Voltaje en la base : 1,634 V
 Voltaje en el emisor : 1,019 V
 Voltaje en el colector : 12 V
Punto e:

Voltaje en la salida con carga (RMS) : 4,554 mV

Voltaje en la salida sin carga (RMS): 7,512 mV
Punto g:

Se observa que ambas funciones están en fase (Desfasaje = 0)

 Punto h:

F(Hz) 100 500 1K 2K 5K 10K 15K 20K 25K 30K 35K 50K

Vin 50 mVp
(Vpico)

VL 4.533 4.533 4.554 4.554 4.554 4.554 4.554 4.554 4.553 4.553 4.553 4.552
(Vpico) mV mV
mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV
V. EQUIPOS MATERIALES
 01 transistor NPN 2N2222 ó 2N3904 − 01 Protoboard y cables conectores
 Resistencias: 2 de 1KΩ; 1 de 100Ω de 1W − 01 Fuente DC; puntas de prueba
 01 multímetro analógico
 01 Generador de funciones
 01 Osciloscopio, puntas de prueba
 01Resistencia de: 10KΩ;15KΩ;5.6KΩ;91KΩ, 100KΩ de 1W.
 02 Condensadores electrolíticos de 10µF, 16V
 01 Condensadores electrolíticos de 100µF, 16V

VI. DESARROLLO DE LA EXPERIENCIA

 VII. BIBLIOGRAFIA

http://cvb.ehu.es/open_course_ware/castellano/tecnicas/electro_gen/teoria/tema-5-
teoria.pdf
http://cvb.ehu.es/open_course_ware/castellano/tecnicas/electro_dis/ensenanzas-
tecnicas/electronica-de-dispositivos/tema-13.pdf