UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA

CARRERA:
MECATRONICA

ESTUDIANTES:
EDWIN ASTUDILLO
RICARDO RIOS
JAVIER MOGROVEJO
 1. El Cobre al tener un único electrón en su última capa (complete 29 electrones) es un
elemento con los electrones de valencia incompletos por lo que lo hace mejor conductor
que el silicio y el germanio, los cuales ya tienen completos sus electrones de valencia.

2.
Material intrínseco: es un material semiconductor previamente refinado para que sea lo
mas puro possible y asi tenga el menor numero de impurezas.
Coeficiente de temperatura negativo: son materiales con un decaimiento de resistencia a
medida que la temperatura incrementa.
Enlace covalente: es la compartición de electrones entre átomos cercanos.

3.
Materiales con coeficiente de temperatura negativo:
• Germanio
• Carbón
• Silicio

Materiales con coeficiente de temperatura positivo:

• Tungsteno
• Cobre
• Aluminio

4.
A través de la ecuación de la diferencia de potencial que se define como:

1 𝐽𝑜𝑢𝑙𝑒𝑠 (𝐽)
1𝑉𝑜𝑙𝑡(𝑉) =
1 𝐶𝑜𝑢𝑙𝑜𝑚𝑏 (𝐶)
Procedemos a calcular la energía que se requiere para mover una carga de 6 C a través de
una diferencia de potencial de 3V. Por lo tanto
1 𝐽𝑜𝑢𝑙𝑒𝑠 (𝐽)
3𝑉 = 6𝐶

𝐽 = 6𝐶 ∗ 3𝑉
𝑱 = 𝟏𝟖 𝑱
Respuesta: la energía en Joules que se requiere para mover una carga de 6 C a través de
una diferencia de potencial de 3V es de 18 Joules.
5.
Para proceder a ocupar la ecuación, se requiere convertir los eV en Joules, por lo tanto:

1𝑒𝑉 = 1.60218 ∗ 10−19 J

48𝑒𝑉 = (1.60218 ∗ 10−19 ) ∗ 48 J
𝟒𝟖𝒆𝑽 = 7.690*𝟏𝟎−𝟏𝟖 𝑱
7.𝟔𝟗𝟎∗𝟏𝟎−𝟏𝟖 𝑱
12𝑉 = 𝑄

7.690 ∗ 10−18 𝐽
𝑄=
12 𝑉
𝑸 = 𝟔. 𝟒𝟎𝟖 ∗ 𝟏𝟎−𝟏𝟗 𝑪
Respuesta: La carga implicada es de 6.408 ∗ 10−19 𝐶

6.
GaP: Fosfuro de Galio (III)
• 2.26 eV

ZnS: Sulfuro de zinc

• 3.6 eV

7.

Describa la diferencia entre materiales semiconductores tipo n y tipo p.

La diferencia que hay entre estos materiales semiconductores es que en los de tipo p se obtienen
para aumentar los portadores de carga libre positivos o también llamados como huecos (impurezas
aceptoras), en cambio, los materiales semiconductores tipo n se obtiene llevando a cabo un proceso
de dopado añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número
de portadores de carga libres en este caso negativos o electrones (impurezas donadoras)

8.

Describa la diferencia entre impurezas de donadores y aceptores.

Tenemos como diferencia que las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se conocen
como átomos donadores y en cambio las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se
llaman átomos aceptores. Por lo tanto, su diferencia consta en el numero de electrones de valencia.

9.

Describa la diferencia entre portadores mayoritarios y minoritarios.

Se denominan portadores mayoritarios a las partículas encargadas del transporte de corriente

eléctrica que se encuentran en exceso en un material semiconductor dopado como tipo N o tipo P,
y por otro lado se denominan portadores minoritarios a las partículas encargadas del transporte de
corriente eléctrica que se encuentran en menor proporción en un material semiconductor dopado
como tipo N o tipo P.

10.

Bosqueje la estructura atómica del silicio e inserte una impureza de arsénico como se demostró
para el silicio en la figura 1.7.
11.

Repita el problema 10, pero ahora inserte una impureza de indio.

12.

Consulte su biblioteca de referencia y busque otra explicación del flujo de huecos contra el de
electrones. Con ambas descripciones, describa con sus propias palabras el proceso de conducción
de huecos

En base de la biblioteca electrónica que nos da acceso la universidad (ProQuest) encontramos el

libro; Electrónica analógica para ingenieros con los autores : Jorge Pleite Guerra, Ricardo Vergaz
Benito, and José Manuel Ruiz de Marcos. En el cual gracias a su definición del flujo de huecos
hemos llegado a nuestro criterio que el proceso de conducción de huecos es que uno de los
mecanismos de la conducción eléctrica en los semiconductores, bajo la acción de un campo, los
huecos se transmiten a través de la red cristalina por un proceso repetido de captura de
electrones entre átomos inmediatos cuando rompen sus enlaces covalentes gracias a la energía
cinética generado por los mismos. Equivale al desplazamiento de cargas positivas y negativas con
la finalidad de establecer un flujo de electrones y un flujo de huecos en la red cristalina para evitar
huecos libres o electrones libres.