CMOS

Desarrollador: Fairchild semiconductores

Características:

 La disipación de potencia depende de la frecuencia.

 Voltaje de alimentación:
 Series HC y AC, +2V a +6V
 Series 4000 y 74CXX, +3V a +15V
 Series HCT y ACT, +5V
 Niveles de entrada:
 No existe corriente de entrada.
 El umbral de entrada es de aproximadamente media fuente de
alimentación, con una dispersión considerable, típicamente de
entre 1/3 y 2/3 de la fuente.
 Las entradas CMOS son susceptibles a daño permanente
producto de la electricidad estática durante su manipulación.
 Las entradas no utilizadas deben ser conectadas a H o L a según
corresponda.
 El factor de carga de CMOS depende del máximo retardo permisible
en la propagación (para altas frecuencias, el factor de carga
disminuye).
 Velocidad de conmutación más rápida (respecto al NMOS) debido
a su baja resistencia de salida en cada estado.
Problemas:

 Sensibilidad a las cargas estáticas

 Latch-up
Consiste en la existencia de un tiristor parásito en la estructura CMOS
que se dispara cuando la salida supera la alimentación. Esto se
produce con relativa facilidad cuando existen transitorios por usar
líneas largas mal adaptadas, excesiva impedancia en la
alimentación o alimentación mal desacoplada.
 Resistencia a la radiación
El comportamiento de la estructura MOS es sumamente sensible a la
existencia de cargas atrapadas en el óxido.
Construcción:

VCC

Entrada Salida

NMOS
PMOS