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2009

Breve Descripción de la Celdas Fotovoltaicas de Mono Unión y de


Banda Intermedia

David Alejandro Miranda Mercado

23/11/2009
Celdas Fotovoltaicas Mono Unión y de Banda Intermedia. David A. Miranda, 2009 Página |2

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3|Página Celdas Fotovoltaicas Mono unión y de Banda Intermedia. David A. Miranda, 2009

Dedicado a Ser quién Sólo Es.

Se presenta una breve introducción a las celdas 3

fotovoltaicas mono unión y de banda intermedia.

Este es un documento académico con un objetivo


meramente educativo y de carácter ilustrativo.

Se recomienda ver la animación que se encuentra en el


siguiente enlace:

http://www.nanosense.org/activities/cleanenergy/solarcellanimation.html

Que el trabajo no tenga otro afán más que el conocimiento.


Alcanzado el conocimiento, déjese el afán.
El afán de la flor es el fruto; cuando el fruto madura, la flor se marchita.

Kabir Sajib
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TABLA DE CONTENIDOS

PERTINENCIA DE LAS ENERGÍAS LÍMPIAS 7

BREVE RESEÑA HISTÓRICA 10

EVOLUCIÓN DE LA ENERGÍA SOLAR FOTOVOLTAICA 11

CONCEPTOS BÁSICOS 13
Celda solar mono unión 13
“The Air Mass” (AM) 16
Eficiencia ideal de conversión 17

CELDA SOLAR DE BANDA INTERMEDIA 18

BIBLIOGRAFÍA 25
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PERTINENCIA DE LAS ENERGÍAS LÍMPIAS

Fundamentalmente, dos interrelacionados factores a saber han venido motivado el acelerado


desarrollo de las llamadas energías alternativas, estos son, el cambio climático y la disminución
en las reservas de combustibles fósiles (Luque, y otros, 2003). De acuerdo a la proyección de
7
consumo energético mundial, se prevé que las reservas de combustibles fósiles comenzarán a
mermar drásticamente antes de finalizar este siglo, lo cual acarrearía gravísimas consecuencias
a nivel internacional de no ser sustituidas por otras fuentes de energía*.

En términos cuantitativos, la producción de energía eléctrica mundial estimada por


(International Energy agency, 2009) está soportada en más del 60% por combustibles fósiles,
mientras que sólo alrededor del 17% provienen de fuentes consideradas renovables, Figura 1.
Cabe resaltar que la mayor parte de las reservas internacionales de combustibles fósiles están
concentradas en el medio oriente, Figura 2, y se prevé que para 2030 haya un aumento en el
uso de estos combustibles para la producción de energía eléctrica, Tabla 1.

Figura 1. Producción de electricidad entre 2008 y 2009. (International Energy agency, 2009)

Figura 2. Reservas mundiales de petróleo en enero de 2008. (IEA, Annual Energy Review, 2008)

*
Ver las estadísticas reportadas por “The International Energy Agency”:
http://www.eia.doe.gov/emeu/international/contents.html
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Tabla 1.. Estimativo de generación de energía eléctrica, periodo 2006


2006-2030. (EIA, World Energy Projections Plus, 2009)

Este contraste entre las reservas de combustibles fósiles y la creciente demanda de energía ha
favorecido la puesta en marcha de diversas iniciativas a nivel mundial para desarrollar nuevas
tecnologías basadas en las llamadas energías limpias, entre estas, la eólica y la solar (tanto la
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Intermedia. David A. Miranda, 2009

fotovoltaica como la térmica); siendo la mayor limitante en la masificación del uso de las
tecnologías eólicas y solar el costo de montaje de las mismas. En este aspecto, la producción de
energía eléctrica eólica actualment
actualmente e es más económica que la energía solar fotovoltaica, sin
embargo, se espera un fuerte impulso a la generación de nuevas tecnologías basadas en energía
solar, fotovoltaica y térmica, para la próxima década, Figura 3. (IEA Annual Energy Outlook,
2009).

Figura 3.. Proyección de créditos fiscales para diferentes tipos de tecnologías de generacíon. (IEA Annual Energy
Outlook, 2009) 9
Celdas Fotovoltaicas Mono Unión y de Banda Intermedia. David A. Miranda, 2009 P á g i n a | 10

BREVE RESEÑA HISTÓRICA

El descubrimiento de la transformación de la luz solar en electricidad se atribuye al físico


francés Edmund Becquerel en 1839, (Becquerel, 1839), quien en una rudimentaria pila
galvánica, formada por dos electrodos metálicos sumergidos en una solución conductora,
10
observó un leve aumento en la generación eléctrica cuando sobre la misma hacía incidir
radiación solar. En 1873, Willoughby Smith, quien experimentaba con nuevos materiales
para aplicarlos en cables de telégrafo marino, observó un efecto similar en un cristal de
selenio. La primera celda solar se atribuye a Charles Fritts quién depositó contactos de oro
sobre una oblea de selenio y obtuvo una celda solar con eficiencia cercana al 1%.

Las bases para la comprensión del fenómeno de conversión de energía solar en energía
eléctrica fueron sentadas en 1904 por Albert Einstein con su teoría del efecto fotoeléctrico,
trabajo que le mereció el premio Nobel.

Un avance muy significativo fue el logrado en 1939 por Russel Ohl, quien descubre y analiza
por primera vez la unión p-n, la cual fue llamada por él “barrera p-n”. Russel Ohl patentó la
idea que sentó las bases para la primera celda solar moderna, la cual llamó “light sensitive
device”. En 1954, los investigadores de laboratorios Bell, USA, D. M. Chaplin, C. S. Fuller y
G. L. Pearson, lograron fabricar la primera celda solar de silicio de la historia, la cual alcanzó
una eficiencia de 6%, (Chapin, y otros, 1954). En este momento inició la búsqueda de
estrategias y materiales que permitieran mejorar la eficiencia de conversión lograda por
Chapin y colaboradores. M. Wolf en 1960, (Wolf, 1960), propuso diferentes opciones para
optimizar la eficiencias de las nuevas celdas solares, entre ellas el uso de impurezas para
aumentar el espectro de absorción de la celda. En 1961, William Shockley y Hans Queisser,
(Shockley, y otros, 1961), calcularon el límite teórico de la eficiencia para celdas solares
mono unión en 30%, para una brecha de energía de 1.1 eV. Tom Tiedje, Eli Yablonovitch,
George D. Cody y Bonnie G. Brooks en 1984 reportaron que el límite teórico para la
eficiencia de celdas solares de silicio en 29.8%, (Tiedje, y otros, 1984); la máxima eficiencia,
para celdas solares de silicio, obtenida hasta 2005 es de 25%, (Swanson, 2005).

Muchos esfuerzos se han realizado por sobrepasar el límite teórico de eficiencia para celdas
solares, entre ellos se destacan el apilamiento de celdas fotovoltaicas, propuesto en 1996
por Antonio Martí y G. Araujo cuyo límite teórico de eficiencia, para infinitas celdas
apiladas, es 86.8%, (Martí, y otros, 1996), y el uso de materiales de banda intermedia,
propuesto por primera vez en 1997 por Antonio Luque y Antonio Martí, del Instituto de
Energía Solar de la Universidad Politécnica de Madrid, (Luque, y otros, 1997). El límite
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teórico de eficiencia de celdas solares que utilizan este último tipo de materiales es 63.2%,
sin embargo, dado que la investigación de materiales de banda intermedia es incipiente,
(Cánovas Díaz, 2009), hasta el momento, con estos materiales no se ha logrado obtener una
eficiencia superior a la calculada por Shockley y Queisser†.

EVOLUCIÓN DE LA ENERGÍA SOLAR FOTOVOLTAICA


11

Martín Green ha clasificado la evolución del sector fotovoltaico según sus objetivos en tres
generaciones fotovoltaicas, (Martin, 2003). En la Figura 4 se presenta un gráfico de la
relación costo/eficiencia para celdas solares fotovoltaicas, así como el lugar que ocupa cada
generación (marcada con números romanos).
Figura 4. Relación entre eficiencia y costo para las diferentes generaciones fotovoltaicas, (Cánovas Díaz, 2009).

De manera resumida, la primera generación fotovoltaica hace referencia a la calidad, es


decir, dispositivos fotovoltaicos libres de impurezas; la segunda, está relacionada con el uso
de procesos y técnicas orientados a reducir tanto el costo económico como energético en la


La máxima eficiencia obtenida con materiales de banda intermedia está alrededor del 18%. Información
obtenida a través de comunicación electrónica con el Profesor, Ph.D Antonio Luque: luque@ies-def.upm.es
Celdas Fotovoltaicas Mono Unión y de Banda Intermedia. David A. Miranda, 2009 P á g i n a | 12

producción de celdas solares; y por último, la tercera generación fotovoltaica se centra en


la búsqueda de dispositivos capaces de exceder el límite de eficiencia definido para celdas
de una sola banda prohibida (30% sin concentrador y 40.7% con concentrador ideal).

La tercera generación la integran, a grandes rasgos, tres categorías:

- Dispositivos con múltiples bandas prohibidas y de banda intermedia.


- Modificación del espectro incidente
- Uso del exceso de generación térmica para mejorar voltajes y/o colección de
12 portadores.
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CONCEPTOS BÁSICOS

Celda solar mono unión

única brecha de energía, ‫ܧ‬௚ , la cual se comporta como un diodo cuya corriente depende de
Una celda solar mono unión, o convencional, consiste en una unión p-n (diodo) con una
13
la radiación electromagnética que incide sobre éste. En la Figura 5 se muestra el esquema
simplificado de un diodo de silicio; en la parte superior se muestran los materiales tipo n y
p, formados al dopar al semiconductor intrínseco con átomos pentavalentes y trivalentes,
respectivamente, y en parte inferior se presenta la zona de deflexión generada, en el
crecimiento de la unión p-n, por la difusión de huecos y electrones entre los dos materiales,
así como el campo eléctrico que aparece en la zona de deflexión.
Figura 5. Esquema simplificado de una unión p-n. Adaptado de (Wik09).

Para una celda mono unión, un fotón con energía menor que la brecha, ℏߥ < ‫ܧ‬௚ , no

salida, mientras que los fotones con energía superior a la brecha, ℏߥ ≥ ‫݃ܧ‬, se contribuyen
contribuirá con la generación de portadores de carga que puedan producir corriente de
Celdas Fotovoltaicas Mono Unión y de Banda Intermedia. David A. Miranda, 2009 P á g i n a | 14

con portadores para la conducción y el exceso de energía (ℏߥ > ‫ܧ‬௚ ) se transforma en calor,
(Sze, y otros, 2007 pág. 721).

Cuando un fotón es absorbido por la celda monounión (ℏߥ ≥ ‫ܧ‬௚ ) se crea un par hueco-

n, ሬሬԦ
electrón, el cual será separado por el campo eléctrico en la zona de deflexión de la unión p-
ট, de tal manera que el electrón se mueve hacia el material tipo n y el hueco hacia el tipo
p, como se muestra en la Figura 6, (Pankove, 1971 págs. 302-319).

Figura 6. Esquema simplificado del funcionamiento de una celda fotovoltaica. Adaptado de (Pankove, 1971 pág. 303).

14

(CB: banda de conducción, VB: banda de valencia, ࢗ: magnitud de la carga del electrón)

La separación de las cargas produce una diferencia de potencial, ܸ, en los extremos del
diodo. Nótese que los portadores de carga al llegar a la zonas dopadas (tipo n y tipo p) se

(idealmente, infinito), además, como la barrera de potencial disminuye de Φ௕ a Φ௕ − ‫ܸݍ‬,


convertirán en portadores mayoritarios, los cuales tienen un tiempo de vida muy largo

algunos portadores atravesarán la barrera de potencial convirtiéndose en portadores


minoritarios que se recombinan en la zona de deflexión.

A una celda solar se le suele conectar una carga, ܴ௅ , para extraer los portadores

solar bajo iluminación conectada a una resistencia de carga, ܴ௅ . La corriente ‫ܫ‬௅ en el


fotogenerados. En la Figura 7 se presenta el circuito equivalente idealizado par una celda

circuito equivalente, Figura 7, corresponde a la corriente resultante de la absorción de

݃௘௛ . Si el diodo es cortocircuitado, ‫ = ܫ‬0, entonces, la corriente que circulará por el mismo,
fotones. La absorción de fotones genera una producción de electrones y huecos a una tasa

‫ܫ‬௅ , será la corriente debida a la influencia del campo interno de la unión, ট ሬሬԦ. Sean ‫ܮ‬௘ y ‫ܮ‬௛
las longitudes de difusión para los electrones y huecos, respectivamente y ‫ ܣ‬el área de la
unión p-n, entonces, (Pankove, 1971 pág. 303):

‫ܫ‬௅ ≅ ‫݃ܣݍ‬௘௛ (‫ܮ‬௘ + ‫ܮ‬௛ )


15 | P á g i n a Celdas Fotovoltaicas Mono unión y de Banda Intermedia. David A. Miranda, 2009

Figura 7. Circuito equivalente idealizado de una celda solar bajo iluminación. (Sze, y otros, 2007 pág. 722)

Si ahora se coloca una resistencia ܴ௅ ≠ 0, en paralelo con la celda solar, entonces, la


corriente neta que circulará por la celda será la diferencia entre la corriente ‫ܫ‬௅ y la corriente
15

que circula por el diodo debido a la diferencia de potencial ܸ, es decir:

‫ܫ = ܫ‬௅ − ‫ܫ‬ௌ ൣ݁ ௤௏/௞் − 1൧

Donde ‫ܫ‬௦ es la corriente de saturación y corresponde a la corriente debida a los portadores


que sobrepasan la barrera de potencial Φ௕ debido a la influencia de la temperatura. La
corriente de saturación para un diodo ideal está dada por, (Sze, y otros, 2007 pág. 723):

‫ܫ‬௦ = ℑ଴ ݁ ா೒/ೖ೅

1 ‫ܦ‬௡ 1 ‫ܦ‬௣
ℑ଴ = ‫ܰܣݍ‬௖ ܰ௩ ቌ ඨ + ඨ ቍ
ܰ஺ ߬௡ ܰ஽ ߬௣

Donde, ܰ௖ y ܰ௩ son las densidades efectivas de estados en las bandas de conducción y


valencia, respectivamente; ܰ஺ y ܰ஽ , son las densidades de aceptores y donadores; ‫ܦ‬௡ y ‫ܦ‬௣ ,

último, ߬௡ y ߬௣ , son los tiempos de vida medios para electrones y huecos.


son los coeficientes de difusión para cagas negativas (electrones) y positivas (huecos); por

El voltaje de circuito abierto, ܸ௢௖ , es decir, cuando ܴ௅ = ∞ → ‫ = ܫ‬0, estará dado por:

݇ܶ ‫ܫ‬௅
ܸ௢௖ = ln ൬ + 1൰
‫ݍ‬ ‫ܫ‬௦

Teniendo en cuenta que en general ‫ܫ‬௅ ≫ ‫ܫ‬௦ y ‫ܫ‬௦ = ℑ଴ ݁ ா೒/ೖ೅ , entonces:

‫ܧ‬௚ ݇ܶ ‫ܫ‬௅
ܸ௢௖ ≅ + ln ൬ ൰
‫ݍ‬ ‫ݍ‬ ℑ଴

Nótese que el voltaje de circuito abierto depende linealmente de la brecha de energía de la


unión p-n. En la Figura 8 se muestra la curva corriente voltaje para la primera celda
fotovoltaica de GaAs.
Celdas Fotovoltaicas Mono Unión y de Banda Intermedia. David A. Miranda, 2009 P á g i n a | 16

Figura 8. Relación corriente voltaje, ࢏ − ࢜, para la primer celda de GaAs, (Jenny, y otros, 1956)

16

“The Air Mass” (AM)

El “air mass” es un parámetro que permite cuantificar el grado en el cual la atmosfera


terrestre afecta la luz solar recibida en la superficie de la tierra. El número AM (“air mass
number”) se define como la secante del ángulo entre el sol y el zenit. Particularmente,
AM1.5, el cual se asume como el sol a 45° sobre el horizonte, corresponde a un valor
apropiado para estudio de aplicaciones terrestres y es el usualmente empleado por los
investigadores y desarrolladores de celdas fotovoltaicas. En la Figura 9 se presenta el
espectro solar para diferentes valores del parámetro AM.

Figura 9. Diferentes AM

(a) (Sze, y otros, 2007 pág. 721) (b) http://pvcdrom.pveducation.org/APPEND/Am1_5.ht


m
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Eficiencia ideal de conversión

El límite teórico de eficiencia para una celada solar mono unión fue calculado por primera
vez por (Shockley, y otros, 1961) utilizando el principio de balance detallado, el cual
establece, para el caso de radiación, que si un cuerpo permanece en equilibrio, entonces,
cada proceso de emisión por el cuerpo es balanceado por un proceso inverso de absorción
de la radiación incidente, (Reif, 1985 págs. 381-388).

De acuerdo al principio de balance detallado, la recombinación de huecos con electrones en 17


una celda fotovoltaica, debe ser sólo radiativo, es decir, las pérdidas debido a
recombinación deben estar asociadas sólo a procesos de emisión de fotones. Bajo esta
condición, la eficiencia máxima estará dada por:

ܲ௠௔௫
ߟ=
ܲ௜௡௖

Donde ܲ௠௔௫ es la potencia máxima de salida para la celda solar, y ܲ௜௡௖ es la potencia de la
radiación incidente sobre la misma. La potencia de salida de la celda mono unión está dada
por:

ܲ = ‫ܫ = ܸܫ‬௅ ܸ − ‫ܫ‬ௌ ܸ൫݁ ௤௏/௞் − 1൯

La condición para obtener la potencia máxima de salida es:

݀ܲ
ܲ௠௔௫ = ‫ܫ‬௠ ܸ௠ = maxሼܲሽ → =0
ܸ݀
Entonces,

‫ܸݍ‬௠ ௏ /௞் ݇ܶ
‫ܫ‬௠ = ‫ܫ‬௦ ݁ ೘ ≈ ‫ܫ‬௅ ൬1 − ൰
݇ܶ ‫ܸݍ‬௠

݇ܶ 1 + ‫ܫ‬௅ /‫ܫ‬௦ ݇ܶ ‫ܸݍ‬௠


ܸ௠ = ln ൬ ൰ ≈ ܸ௢௖ − ln ൬1 + ൰
‫ݍ‬ 1 + ‫ܸݍ‬௠ /݇ܶ ‫ݍ‬ ݇ܶ

La potencia máxima estará dada por:

݇ܶ ‫ܸݍ‬௠ ݇ܶ
ܲ௠௔௫ = ‫ܫ‬௠ ܸ௠ = ‫ܨ‬ி ‫ܫ‬௦௖ ܸ௢௖ ≈ ‫ܫ‬௅ ൤ܸ௢௖ − ln ൬1 + ൰− ൨
‫ݍ‬ ݇ܶ ‫ݍ‬

Donde, ‫ܨ‬ி = ூ೘௏೘ se conoce como factor de llenado, (Sze, y otros, 2007 pág. 724), o factor
ூ ௏
ೞ೎ ೚೎
de acople de impedancias, (Shockley, y otros, 1961).

Entonces, la máxima eficiencia teórica estará dada por:


Celdas Fotovoltaicas Mono Unión y de Banda Intermedia. David A. Miranda, 2009 P á g i n a | 18

ܲ௠௔௫ ‫ܫ‬௠ ܸ௠ ܸ௠ଶ ‫ܫ‬௦ (‫ݍ‬/݇ܶ)݁ ௤௏೘/ೖ೅


ߟ= = =
ܲ௜௡௖ ܲ௜௡௖ ܲ௜௡௖

En las Figura 10 se presenta la eficiencia ideal para una celda solar bajo concentraciones de
1 y 1000 soles. También se muestra la brecha de energía para algunos materiales
semiconductores.

Figura 10. Eficiencia ideal de una celda solar a 300K para concentraciones de 1 sol y 1000 soles. (Sze, y otros, 2007 pág. 724)

18

CELDA SOLAR DE BANDA INTERMEDIA

Los materiales de banda intermedia fueron propuestos teóricamente por (Luque, y otros,
1997) y son básicamente materiales semiconductores que tienen una banda adicional
ubicada entre las bandas de valencia y conducción. Estos materiales fueron propuestos
como una alternativa para mejorar la absorción de fotones en celdas solares. Sus
principales características son: tener una banda de valencia, una de conducción y una
banda intermedia ubicada entre estas dos; la banda intermedia debe estar separada de las

brechas de energía); la banda intermedia tendrá asociada un nivel de fermi, ‫ܧ‬ிூ , el cual
bandas de valencia y conducción por dos sub-bandas prohibidas (es decir, deben haber dos

cruza la banda de tal manera que ésta esté parcialmente llena de electrones para así
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garantizar las transiciones IB-CB y VB-IB; por último, la banda intermedia debe tener las
mismas propiedades de las bandas de valencia y conducción.

En la Figura 11 se presenta la estructura de bandas simplificada para un material de banda

brecha de energía (‫ ) ீܧ‬en dos sub-bandas prohibidas, ‫ܧ‬௅ y ‫ܧ‬ு , además, la banda
intermedia. En dicha figura, se puede observar que la banda intermedia (IB) divide la

intermedia está parcialmente llena de electrones (el nivel de Fermi, ‫ܧ‬ி , atraviesa la banda).
En la Figura 11 (b) se muestran las posibles transiciones en los materiales de banda
intermedia: cuando un fotón es absorbido por el material pueden tener lugar una de las
siguientes transiciones, (Martí, y otros, 2003 pág. 140). 19

• Un electrón de la banda de valencia (VB) salta a la banda intermedia (IB): ݃ூ௏ .


• Un electrón de la banda intermedia (IB) salta a la banda de conducción (CB): ݃஼ூ .
• Un electrón de la banda de valencia (VB) salta a la banda de conducción (CB): ݃஼௏ .

conducción y la banda intermedia, ‫ݎ‬஼ூ , la banda intermedia y la de valencia, ‫ݎ‬ூ௏ , y entre la


El proceso inverso, recombinación, también se puede dar de tres formas: entre la banda de

banda de conducción y la de valencia, ‫ݎ‬஼௏ .

Figura 11. Estructura de bandas simplificada para un material de banda intermedia. (Martí, y otros, 2003 pág. 141)

Una celda solar de banda intermedia es un dispositivo fotovoltaico concebido para extender
la eficiencia de una celda solar de única brecha de energía, gracias a la explotación de las

absorción de fotones de menor energía sin detrimento en el voltaje de circuito abierto, ܸ௢௖ .
propiedades eléctricas y ópticas de los materiales de banda intermedia, principalmente, la

Su principio de funcionamiento es básicamente similar al de la celda solar mono unión, con


la diferencia que en las celdas solares de banda intermedia los pares hueco-electrón no sólo
son producidos por las transiciones electrónicas desde la banda de valencia a la de
conducción, sino que adicionalmente hay transiciones de menor energía que involucran a la
Celdas Fotovoltaicas Mono Unión y de Banda Intermedia. David A. Miranda, 2009 P á g i n a | 20

banda intermedia. En la Figura 12 se comparan las estructuras de bandas simplificadas


para la celda fotovoltaica mono unión y la celda fotovoltaica de banda intermedia.

Figura 12. Diagrama de bandas simplificado (a) en equilibrio y (b) bajo la incidencia de fotones.

Adaptado de (Pankove, 1971 pág. 303) (Martí, y otros, 2003 pág. 143)

20

por una brecha de energía, ‫ܧ‬௚ , en la celda de banda intermedia existen tres bandas (CB, IB
Nótese que mientras que en la celda mono unión hay sólo dos bandas (CB y VB) separadas

y VB) separadas por dos sub-bandas prohibidas (‫ܧ‬௅ y ‫ܧ‬ு en la Figura 11 a). Cuando un
fotón es absorbido por la celda mono unión, la barrera de potencial entre los dos

los niveles de Fermi, ‫ܧ = ܸݍ‬ி௡ − ‫ܧ‬ி௣ , la cual se verá reflejada como una diferencia de
semiconductores extrínsecos (n y p) disminuye y aparece una diferencia de energía entre

potencial, ܸ, entre los semiconductores tipo n y p. En el caso de la celda de banda

emisores (semiconductores extrínsecos tipo ݊ା y ‫݌‬ା ) y aparece un diferencia de energía


intermedia, al ser absorbido un fotón también disminuye la barrera de potencial entre los

entre los niveles de Fermi (‫ܧ‬ி஼ , ‫ܧ‬ி௏ ) asociados a los emisores, ‫ܧ = ܸݍ‬ி௡ − ‫ܧ‬ி௣ . Es
importante resaltar que el nivel de Fermi para la banda intermedia, rotulado como ‫ܧ‬ிூ en la
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Figura 12 (b), no cambia cuando el material de banda intermedia absorbe un fotón, lo cual

disminuir la diferencia de potencia, ܸ, en entre los emisores de la celda. En la Figura 13 se


permite que la banda intermedia contribuya con la absorción de fotones de baja energía sin

presenta el parámetro de llenado, ‫ܨ‬ி , el voltaje de circuito abierto, ܸ௢௖ , la eficiencia, ߟ, y la


presenta la curva corriente voltaje para una celda de banda intermedia; en la gráfica se

densidad de corriente de corto circuito, ‫ܬ‬௦௖ , tanto para la celda de banda intermedia
(ܳ‫ ܦ‬− ܵ‫ )ܥ‬como para la celda de GaAs de referencia (ref-SC).

Figura 13. Relación corriente voltaje, ࢏ − ࢜, para una celda de banda intermedia, (Blokhin, y otros, 2009)
21

Por último, el cálculo del límite teórico de la eficiencia para una celda solar de banda
intermedia fue realizado por (Luque, y otros, 1997) siguiendo un procedimiento similar al
descrito en el anexo 4, es decir, utilizando el principio de balance detallado y las
condiciones ideales de funcionamiento para la celda solar de banda intermedia:

- Las únicas transiciones permitidas entre las tres bandas son las radiativas, como lo exige
el principio de balance detallado.
- La movilidad de los portadores es suficientemente alta.
- Sólo los electrones (ningún hueco) pueden ser extraídos de la banda de conducción para
formar la corriente externa y sólo los huecos (ningún electrón) pueden ser extraídos de
la banda de valencia.
- Ningún portador puede ser extraído de la banda intermedia.
- La celda es lo suficientemente delgada para asegurar una completa absorción de los
fotones con suficiente energía para inducir transiciones entre las bandas.
Celdas Fotovoltaicas Mono Unión y de Banda Intermedia. David A. Miranda, 2009 P á g i n a | 22

- La radiación generada por los procesos de recombinación radiativa (‫ݎ‬ூ௏ , ‫ݎ‬஼ூ , ‫ݎ‬஼௏ ) sólo

Cada proceso de recombinación (‫ݎ‬ூ௏ , ‫ݎ‬஼ூ , ‫ݎ‬஼௏ ) es independiente.


puede escapar por el área frontal de iluminación.
-
- Se supone el uso de un concentrador ideal.

Bajo estas condiciones, la eficiencia máxima estará dada por:

ܲ௠௔௫ ‫ܫ‬௠ ܸ௠ ‫ܫ‬௦௖ ܸ௢௖


ߟ= = = ‫ܨ‬ி
ܲ௜௡௖ ܲ௜௡௖ ܲ௜௡௖
22 Donde ܲ௠௔௫ es la potencia máxima para la celda solar de banda intermedia ideal, ܲ௜௡௖ , la
potencia de la radiación incidente, ‫ܫ‬௠ ‫ܸ ݕ‬௠ , la corriente y el voltaje máximo, ‫ܨ‬ி , el factor de
llenado (o factor de acople de impedancias), ‫ܫ‬௦௖ , la corriente de corto circuito, y ܸ௢௖ , el
voltaje de circuito abierto.

En la Figura 14 se muestra el límite de eficiencia teórica para una para celda solar de banda
intermedia (“This work”) calculado por (Luque, y otros, 1997) , así como el límite para la
celda solar mono unión (“single gap”) y celdas conectadas en serie (“tandem”). De acuerdo
a la figura, el límite teórico máximo para la eficiencia de la celda solar de banda intermedia
es 63.2%, el cual es superior a la eficiencia para una celda solar mono unión con
condensador, 40.7%, (Luque, y otros, 1997).
Figura 14. Límite de eficiencia para una celda solar, (celda de banda intermedia: “This work”), (Luque, y otros, 1997).
23 | P á g i n a Celdas Fotovoltaicas Mono unión y de Banda Intermedia. David A. Miranda, 2009

Una celda solar de banda intermedia puede ser fabricada depositando capas de materiales
semiconductores sobre un sustrato apropiado, dejando capas que presenten puntos
cuánticos en medio de dos emisores, uno tipo n y otro tipo p. El uso de puntos cuánticos en
la fabricación de una celda solar de banda intermedia fue demostrado teóricamente (Martí,
y otros, 2002) y respaldado experimentalmente por (Blokhin, y otros, 2009). En la figura 1
se muestran dos esquemas de capas para celdas solares de banda intermedia.
Figura 1. Estructura de capas de una celda solar de banda intermedia de puntos cuánticos.

a) (Cánovas, y otros, 2008) b) (Blokhin, y otros, 2009)


23

El crecimiento de capas en un sustrato puede ocurrir en uno de tres distintos modos, como
se muestra esquemáticamente en la Figura 15, estos son: Frank-van der Merwe (FM),
Volmer-Weber (VW) y Stranski-Krastanov (SK). Mientras el crecimiento es capa por capa en
el modo Frank-Van, en el modo Volmer-Weber aparecen islas tridimensionales sobre el
sustrato, si la película tiene una energía superficial mayor que la del sustrato. El modo
Stranski-Krastanov es una combinación de los otros dos modos, donde se crecen varias
mono capas delgadas, llamadas capas húmedas (“wetting layer” –WL-), sobre las cuales se
forman islas. El modo de crecimiento que tenga lugar depende principalmente de la
diferencia de las energías superficiales entre el sustrato y el material a crecer, además de la
energía de esfuerzo acumulada en los materiales crecidos como resultado de las pequeñas
diferencias en los parámetros de red, (Nakata, y otros, 1999 pág. 119).
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Figura 15.. Tres tipos de modos de crecimiento. (Nakata, y otros, 1999 pág. 120)

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25 | P á g i n a Celdas Fotovoltaicas Mono unión y de Banda Intermedia. David A. Miranda, 2009

BIBLIOGRAFÍA

Abramowitz, Milton y Stegun, Irene. 1972. Handbook of Mathematical Functions with


formulas, graphs, and Mathematical Tables. USA : Dover, 1972. 486612724.

Arfken, George. 1985. Mathematical Methods for Physicist. London : Academic Press, 1985.
25
0120598205.

Ashcroft, Neil W y Mermin, N. David. 1976. Solid State Physics. USA : Saunders College,
HRW, 1976. ISBN: 0-03-049346-3.

Aspnes*, D. E. y Studna, A. A. 1973. Schottky-Barrier electroreflectance: Application to


GaAs. s.l. : D. E. Aspnes et al., Phys. Rev. B 7, No. 10, 4605, 1973.

Aspnes, D E y Rowe, J E. 1970. Asymptotic convolution integral for electric field effects on
the interband dielectric function. s.l. : Solid Sate Comm., Vol. 18, pp. 1145-1149, 1970.

Aspnes, D. E. 1974. Band nonparabolicities, broadening, and internal field distributions: the
spectroscopy of Frank-Keldysh oscillations. s.l. : Phys. Rev. 10, No. 10, pp 4228-4240, 1974.

—. 1972. Resonant nonlinear optical susceptibility: electroreflectance in the low-field limit.


s.l. : Phys. Rev. B 5, No. 10, pp 4022-4030, 1972.

Aspnes, David E. 1967. Electric Field Effects on the dielectric constant of solids. s.l. : Phys.
Rev. 153, No. 3, pp 972-982, 1967.

—. 1966. Electric-field effects on optical absorption near thresholds in solids. s.l. : Phys. Rev.,
147, No. 2, 554, 1966.

—. 1968. Interband dielectric properties of solids in an electric-field. s.l. : Phys. Rev. 166, No.
3, pp 921-933, 1968.

—. 1973. Third-derivative modulation spectroscopy with low-field electroreflectance. s.l. :


Surface Science, Vol. 37, pp 418-442, 1973.

Becquerel, E. 1839. “On electric effects under the influence of solar radiation,” Compt.
Rend., 9, 561. 1839.

Blokhin, S. A., y otros. 2009. AlGaAs/GaAs Photovoltaic cells with an array of InGaAs QDs.
s.l. : Semiconductors 43, No 4, pp 514-518, 2009.
Celdas Fotovoltaicas Mono Unión y de Banda Intermedia. David A. Miranda, 2009 P á g i n a | 26

Brust, D. 1964. Electronic spectra of crystalline germanium and silicon. s.l. : Phys. Rev. 134,
A1337, 1964.

Cánovas Díaz, Enrique. 2009. Desarrollo de técnicas de caracterización para materiales de


banda intermedia, tesis doctoral. Madrid : Universidad politécnica de Madrid, Escuela
Técnica Superior de Ingenieros de Telecomunicaciones., 2009.

Cánovas, E, y otros. 2008. Application of the photoreflecctance technique to the


characterization of quantum dot intermediate band materials for solar cells. s.l. : Thin Solid
26 Films 515 (2008) 6943-6947, 2008.

Cánovas, E., y otros. 2008. Application of the photoreflectance technique to the


characterization of quantum dot intermediate band materials for solar cells. s.l. : Tin Solid
Films 516, pp 6943-6947, 2008.

Cardona, Manuel. 1969. Modulation Spectroscopy. USA : Academic Press, 1969.

Chapin, D. M., Fuller, C. S. y Pearson, G. L. 1954. A new silicon p-n junction photocell for
converting solar radiation into electrical power, J. Appl. Phys. 25, 676. 1954.

Cotton, F. Albert. 1990. Chemical applications of group theory. USA : Wiley Interscience,
1990. ISBN: 0-471-51094-7.

Craig, D. P. y Thirunamachandran, T. 1984. Molecular Quantum Electrodynamics: An


introduction to radiation molecule interactions. USA : Dover, 1984. ISBN: 0-486-40214-2.

EIA, World Energy Projections Plus. 2009. [En línea] EIA, World Energy Projections Plus
(2009), 2009. [Citado el: 12 de noviembre de 2009.]
http://www.eia.doe.gov/oiaf/ieo/pdf/electricity.pdf.

Elliott, R. J. 1957. Intensity of optical absorption by excitons. s.l. : Phys. REv. 108, No. 6, pp
1384-1389, 1957.

Fonthal Rivera, Gerardo. 2001. Estudio de la impurificación de capas epitaxiales de GaAs y


AlGaAs en el rango de leve hasta fuerte dopaje, por medio de fotoluminiscencia y
fotorreflectancia (tesis doctoral). Armenia, Colombia : Universidad del Quindio, 2001.

Glembocki, Orest y Shanabrook, Benjamin V. 1992. Fotoreflectance spectroscopy of


microstructures. s.l. : Semiconductors and Semimetals, Vol. 36, pp 221-292, 1992.

Greiner, Walter. 2001. Quantum Mechanics: an introduction. New York : Springer, 2001.
3540580794.

Hader, Jörg, Linder, Norbert y Döhler, Gottfried H. 1997. k-p theory of the Franz-Keldysh
effect. s.l. : Phys. Rev. B 5, No. 11, pp 6960-6974, 1997.
27 | P á g i n a Celdas Fotovoltaicas Mono unión y de Banda Intermedia. David A. Miranda, 2009

IEA Annual Energy Outlook. 2009. [En línea] marzo de 2009. [Citado el: 13 de noviembre de
2009.] http://www.eia.doe.gov/oiaf/aeo/pdf/0383(2009).pdf.

IEA, Annual Energy Review. 2008. [En línea] Enero de 2008. [Citado el: 13 de noviembre de
2009.] http://www.eia.doe.gov/emeu/aer/pdf/pages/sec11_8.pdf.

International Energy agency. 2009. MONTHLY ELECTRICITY STATISTICS, July 2009. [En línea]
Julio de 2009. [Citado el: 12 de Noviembre de 2009.]
http://www.iea.org/Textbase/stats/surveys/mes.pdf.

Jenny, D. A., Loferski, J. J. y Rappaport, P. 1956. Photovoltaic Effect in GaAs p-n Junctions 27
and Solar Energy Conversion. s.l. : D. A. Jenny et al, Phys. Rev. 101, p1208, 1956.

Jones, William y March, Norman H. 1973. Theoretical Solid Sate Physics, Volume 1.
Canada : Dover, 1973. ISBN: 0-486-65015-4.

Kaniewska, M., y otros. 2006. Electrical activity of deep levels in the presence of InAs/GaAs
quantum dots. s.l. : Mat. Sci. in Semi. Process 9, No 36., 2006.

Kittel, Charles. 2005. Introduction to Solid Sate Physics, Eighth Edition. USA : Wiley, 2005.
ISBN: 0-471-41526-X.

Landau, L. D. y Lifshitz, E. M. 1967. Mecánica cuántica no-relativista. Madrid : Reverté,


1967.

Lautenschlager, P., y otros. 1987. Interband critical points of GaAs and their temperature
dependence. s.l. : Phys. Rev. B 35, No. 17, pp 9174-9189, 1987.

Luque, Antonio y Marti, Antonio. 2003. In: A. Martí, A. Luque (Eds.), Next Generation
Photovoltaics: High efficiency through full spectrum utilization, chapter 1 Non-conventional
photovoltaic technology: a need to reach goals, Series on Optics and Optoelectronics.
Bristol : Institute of Physics Publishing, 2003. ISBN: 0750309059.

Luque, Antonio y Martí, Antonio. 1997. Increasing the efficiency of ideal solar cells by
photon induced transitions at intermediate levels. s.l. : Phys. Rev. Lett. 78, 5014,, 1997.

Martí, A, Cuadra, L y Luque, A. 2003. In: A. Martí, A. Luque (Eds.), Next Generation
Photovoltaics: High efficiency through full spectrum utilization, chapter 7, Intermediate-
band solar cells. Bristol : Institute of Physics Publishing, 2003. ISBN: 0750309059.

Martí, Antonio y Araujo, Gerardo L. 1996. Limitting efficiencies for photovoltaic energy
conversion in multigap systems. s.l. : Solar Energy Materials and Solar Cells, 43 (2), 203,
1996.
Celdas Fotovoltaicas Mono Unión y de Banda Intermedia. David A. Miranda, 2009 P á g i n a | 28

Martí, Antonio, Cuadra, Lucas y Luque, Antonio. 2002. Quasi-drift diffusion model for the
quantum dot intermediate band solar cell. s.l. : IEEE Trans. Electron Dev. 49, No. 9, pp1632-
1639, 2002.

Martin, Green. 2003. Third generation photovoltaics: advanced solar energy conversion.
Berlin : Springer-Verlag, 2003.

Messiah, Albert. 1999. Quantum Mechanics. New York : Dover, 1999. ISBN:0-486-40924-4.

Miranda, David A. y López Rivera, S A. 2008. Determination of Cole-Cole parameters using


28
only the real part of electrical impedivity measurements. s.l. : Physiol. Meas. 29 (2008) 669-
683, 2008.

Misiewicz, Jan, SSitarek, Piotr y Kudrawiec, Robert. 2003. Semiconductor heterostructures


and device structures investigated by photoreflectance spectroscopy. s.l. : Materials Science,
Vol. 21, No. 3, pp263-320, 2003. Vol. 21.

Nakata, Y., Sugiyama, Y. y Sugawara, M. 1999. Chapter 2. Molecular beam epitaxial growth
of self-assembled InAs/GaAs quantum dots, in: Mitsuru, Sugawara (Ed.), Self-assembled
InGaAs/GaAs quantum dots, Semiconductors and Semimetals 60. San Diego : Academic
Press, 1999. ISBN: 0-12-752169-0.

Pankove, Jacques I. 1971. Optical processes in semiconductors. USA : Prentice-Hall, 1971.

Plaza, J., y otros. 2007. Photoluminescence-free photoreflectance spectra using dual


frequency modulation. s.l. : Journal of Appl. Phys., 102, 093507, 2007.

Pollak, Fred H. 1991. Modulation spectroscopy of semiconductor microstructures. s.l. :


Superlatices and Microstructures, Vol. 10, No. 3, 1991.

Reif, Frederick. 1985. Fundamentals of satitstical and thermal physics. Singapore :


McGrawHill, 1985. ISBN: 0-07-085615-X.

Seraphin, B. O. y Bottka, N. 1966. Band structure analysis for electroreflectance and


reflectance studies of GaAs. s.l. : Phys. Rev. 145, 628-636, 1966.

Shockley, William y Queisser, Hans. 1961. Detailed balance limit of efficiency of p-n
junction solar cells. J. Appl. Phys., 32, 510. 1961.

Swanson, Richard M. 2005. Approaching the 29% limit efficiency of silicon solar cells. s.l. :
Proc. IEEE PVSC, pp 889-894, 2005.

Szabo, Attila y Ostlund, Neil S. 1989. Modern Quantum Chemestry: Introduction to


Advanced Electronic Structure Theory. New York : Dover, 1989. ISBN: 0-486-69186-1.
29 | P á g i n a Celdas Fotovoltaicas Mono unión y de Banda Intermedia. David A. Miranda, 2009

Sze, S. M. y Kwok, K. Ng. 2007. Physics of semiconductor devices. USA : John Wiley & Sons,
Inc, 2007. ISBN-13: 978-0-471-14323-9.

Szwacka, Teresa. 2000. Introducción a al física del estado sólido: Cristalografía. Mérida,
Venezuela : CELCIEC-ULA, 2000. ISBN: 980-11-0592-5.

Tharmalingam, K. 1963. Optical absorption in the presence of a uniform field. s.l. : Phys.
Rev. 130, No. 6, pp. 2204-2206, 1963.

Thompson, A. G., Cardona, Manuel y Shaklee, Kerry L. 1966. Electroreflectance in the


GaAs-GaP Alloys. s.l. : Phys. Rev. 146, 2, 601, 1966. 29

Tiedje, Tom, y otros. 1984. Limiting efficiency of silicon solar cells, IEEE Trans. Electron Dev.
31, No 5, p711. 1984.

Tinkham, Michael. 1992. Croup Theory and Quantum Mechanics. New York : Dover, 1992.
ISBN: 0-486-43247-5.

Van Hove, Léon. 1952. The occurrence of singularities in the elastic frequency distribution of
a crystal. s.l. : Phys. Rev. 89, 189-1193, 1952.

Wikipedia. [En línea] [Citado el: 22 de noviembre de 2009.]


http://es.wikipedia.org/wiki/Uni%C3%B3n_PN.

Wojdyla, Michal, y otros. 2006. Investigation of optical transition enerty in copper


phthalocyanine by transmission, reflection and photoreflectance spectroscopy. s.l. : Optical
Materials 28 (2006) 1000-1005, 2006.

Wolf, M. 1960. Limitations and possibilities for improvement of photovoltaic solar energy
converters. Proc. IRE 48, 1246. 1960.

Yu, Peter Y. y Cardona, Manuel. 2005. Fundamentals of Semiconductors: Physics and


Materials Properties, third edition. Berlin : Springer, 2005. ISBN: 3-540-25470-6.

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