Clase - Semana N°2 PDF

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ELECTRONICA INDUSTRIAL
Tema: TRANSISTOR.
Docente: Ing. Rafael Arias Torres
Escuela Profesional Periodo académico: 2018 II

INGENIERÍA ELECTRONICA Y Semestre:
TELECOMUNICACIONES Unidad:
PNP Tipos de transistores

BJT NPN
Canal P
JFET Canal N
MESFET
FET Canal N Canal P
Acumulación
MOSFET Canal N
Deplexión Canal P
Canal N
BJT:Transistores bipolares de unión.
FET: Transistores de efecto de campo.
JFET: Transistores de efecto de campo de unión.
MESFET: Transistores de efecto de campo de metal semiconductor.
MOSFET: Transistores de efecto de campo de metal-oxido-semiconductor.
ATE-UO Trans 01
Características comunes a todos los

transistores (I)
•Son dispositivos (típicamente) de 3 terminales.
•Dos de los tres terminales actúan como terminales de entrada (control).
•Dos de los tres terminales actúan como terminales de salida. Un terminal es

común a entrada y salida.
ie is
+ +
Ve Vs
- -
Entrada Cuadripolo Salida
ATE-UO Trans 02
Características comunes a todos los

transistores (II) i is
e
•La potencia consumida en la entrada es
+ +
menor que la controlada en la salida.
Ve Vs
- -
Entrada Salida
Cuadripolo
•La tensión entre los terminales de entrada determina el comportamiento
eléctrico de la salida.
•La salida se comporta como:
•Fuente de corriente controlada (zona lineal o activa).
•Corto circuito (saturación).
•Circuito abierto (corte).
ATE-UO Trans 03
Características comunes a todos los transistores

(III) i +
s
Zona Activa is
+ Vs
Vs = -
-
is is
Zona de +
Saturación
-
Vs = Vs=0
is is=0
Zona de +
+
Corte
-
Vs = Vs
- ATE-UO Trans 04
Transistores bipolares de unión (I)

Transistor PNP: zona P, zona N y zona P
Transistor NPN: zona N, zona P y zona N
Colector (P) Colector (N)
Base Base
(N) (P)
PNP Emisor (P) NPN Emisor (N)
•El emisor debe estar mucho más dopado que la
base.
•La base debe ser mucho más pequeña que la Muy, muy
longitud de difusión de los mayoritarios del emisor. importante
ATE-UO Trans 05
Transistores bipolares de unión (II)

PNP Emisor y Colector Base
(Si)
NAE=1015 atm/cm3 p=100 ns NDB=1013 atm/cm3
NAC=1014 atm/cm3 Lp=0,01 mm n=100 ns Ln=0,02 mm
E B C
+ N
- P
P
1016
pE =1015 nB =1013
pC =1014
Portad./cm3
1012
escala
pB =107 logarítmica
108
nC=106
nE =105
104
1m ATE-UO Trans 06
Polarización en Zona Activa (I)

Emisor (P) Colector (P)
Polarizamos las uniones:
•Emisor-Base, directamente
B (N)
•Base-Colector, inversamente
VEB VBC
iE VEB B iB VBC iC
E + -
P N P C
¿Cómo son las corrientes por los terminales de un transistor?
Para contestar, hay que deducir cómo son las corrientes por las uniones.
Para ello, es preciso conocer las concentraciones de los portadores.
ATE-UO Trans 07
Polarización en Zona Activa (II)

Portadores en el emisor y en la unión emisor-base (I)
Esc. Emisor Unión emisor-base
Polarizamos log.
directamente 1016
pE pB(0)
Portad./cm3
1012
pB(0)
Calculamos el exceso de
huecos en el comienzo de
108 nE pB(0)s.p.
la base pB(0): 104
-0,3 -0,2 -0,1 0
Longitud [mm]
•Partimos de pE = pB(0)s.p.·eVO/VT y de pE = pB(0)·e(VO-VEB)/VT
•Llegamos a: pB(0) = pB(0)-pB(0)s.p.= (eVEB/VT-1)·pB(0)s.p.
•Y como pB(0)s.p.= ni2/NDB, queda:
pB(0)=(eV EB /VT-1)·n 2/N

i DB
ATE-UO Trans 08
Polarización en Zona Activa (III)

Portadores en el emisor y en la unión emisor-base (II)
Emisor Unión emisor-base
1016
Portad./cm3
pE nE(0)
Esc. 1012
log.
108 nE
nE(0)
104
nE(0)s.p.
-0,3 -0,2 -0,1 0
Longitud [mm]
Procediendo de igual forma con el exceso de concentración de los
electrones del final del emisor, nE(0), obtenemos:
nE(0)=(eV EB /VT-1)·n 2/N

i AE
ATE-UO Trans 09
Polarización en Zona Activa (IV)

Portadores en el colector y en la unión base-colector (I)
Colector 1016
Polarizamos Unión base- Esc.
colector pC log.
Portad./cm3
inversamente 1012
pB(WB )s.p. 108
-pB(WB) nC 104
pB(WB) 100
WB
0,3 mm
Procediendo de igual forma con el exceso de
concentración de los huecos del final de la E (P) C (P)
base, pB(WB), obtenemos: B (N)
VCB
pB(WB) = (eVCB/VT-1)·ni2/NDB VEB - +
En zona activa, VCB< 0

ATE-UO Trans 10 VBC
Polarización en Zona Activa (V)

Portadores en el colector y en la unión base-colector (II)
Colector
1016
Unión base- Esc.
colector pC log.
Portad./cm3
1012
nC(WB )s.p. 108
-nC(WB) nC 104
nC(WB) 100
WB
Procediendo de igual forma con el exceso de 0,3 mm
concentración de los electrones al comienzo E (P) C (P)
del colector, obtenemos: B (N)
VCB
nC(WB) = (eVCB/VT-1)·ni2/NAC VEB - +
ATE-UO Trans 11
VBC
Polarización en Zona Activa (VI)

Portadores minoritarios a lo largo del transistor (I)
VEB VBC
E B C
P
+ -+ N
- +- P
Polarizamos en WB
zona activa -pB(WB-)
pB(0+) -nC(WB+)
nCs.p.= ni2/NAC
nEs.p.= ni2/NAE
Escala lineal 0- 0+ W B- W B+ x
(no exacta)
nE(0-) pBs.p.= ni2/NDB
¿Cómo es la concentración de los huecos en la base?

ATE-UO Trans 12
Polarización en Zona Activa (VII)

Portadores minoritarios a lo largo del transistor (II)
La solución de la ecuación de continuidad es (ATE-UO PN136) :
senh((WB-x)/LP)
- + -
pB(x) = pB(WB ) + (pB(0 ) - pB(WB ))·
senh(WB/LP)
VEB VBC
B Como WB<<Lp (base corta) se
- cumple que senh (a)  a y, por
-+ N +-
tanto:
pB(0+) WB pB(x)=pB(WB-)+(pB(0+)-pB(WB-))·(WB-x)/WB=
=pB(WB-)+(∆pB(0+)-∆pB(WB-))·(WB-x)/WB
pB(0+)
El gradiente de la concentración de
pBs.p. huecos en la base es:
pB(WB-) -pB(WB-) d(pB(x))/dx = -(∆pB(0+)-∆pB(WB-))/WB
0+ W B- x
ATE-UO Trans 13
Polarización en Zona Activa (VIII)

Portadores minoritarios a lo largo del transistor (III)
VEB VBC
E B C
P
+ -+ N
- +- P
WB
-pB(WB-)
pB(0+) -nC(WB+)
nCs.p.= ni2/NAC
nEs.p.= ni2/NAE
Escala lineal 0- 0+ W B- W B+ x
(no exacta)
nE(0-)
Ahora se pueden calcular los gradientes en los
ATE-UO Trans 14 bordes de las dos zonas de transición
Polarización en Zona Activa (IX)

Cálculo de los gradientes de los minoritarios en los bordes de las
zonas de transición
WB
pB(0+)-pB(WB-)
nCs.p.= ni2/NAC
nEs.p.= ni2/NAE
nE(0-)
-nC(WB+)
0- 0+ W B- W B+ x
Emisor “largo”: Colector “largo”:
(dnE/dx)0- = nE(0-)/LNE (dnC/dx)WB+ = -nC(WB+)/LNC
Base “corta”:
(dpB/dx)0+ = -(pB(0+)-pB(WB-))/WB
ATE-UO Trans 15
Polarización en Zona Activa (X)

Resumen de los excesos de concentración de los minoritarios en los bordes
de las zonas de transición
nE(0-)=(eVEB/VT-1)·ni2/NAE pB(WB-) = (eVCB/VT-1)·ni2/NDB

pB(0+)=(eVEB/VT-1)·ni2/NDB nC(WB+) = (eVCB/VT-1)·ni2/NAC
Resumen de los valores de los gradientes de los minoritarios en los bordes de

las zonas de transición
(dnE/dx)0- = nE(0-)/LNE = (eVEB/VT-1)·ni2/(NAE·LNE)
(dpB/dx)0+ = -(pB(0+)-pB(WB-))/WB =
= -((eVEB/VT-1)-(eVCB/VT-1))·ni2/(NDB·WB)
(dnC/dx)WB+ = -nC(WB+)/LNC = -(eVCB/VT-1)·ni2/(NAC·LNC)
ATE-UO Trans 16
Polarización en Zona Activa (XI)

Cálculo de las corrientes por las uniones
VEB VBC
E B C
P
+ -+ N
- +- P
juEB WB juBC
juEB = q·DNE·nE(0-)/LNE + q·DPB·(pB(0+)-pB(WB-))/WB =
= q·DNE·(eVEB/VT-1)·ni2/(NAE·LNE) + q·DPB·((eVEB/VT-1)-(eVCB/VT-1))·ni2/(NDB·WB) =
=(eVEB/VT-1)·q·ni2·(DNE/(NAE·LNE)+DPB/(NDB·WB))-(eVCB/VT-1)·q·ni2·DPB/(NDB·WB)
juBC = q·DPB·(pB(0+)-pB(WB-))/WB - q·DNC·nC(WB+)/LNC =

= q·DPB·((eVEB/VT-1)-(eVCB/VT-1))·ni2/(NDB·WB) - q·DNC·(eVCB/VT-1)·ni2/(NAC·LNC) =
=(eVEB/VT-1)·q·ni2·DPB/(NDB·WB)-(eVCB/VT-1)·q·ni2·(DPB/(NDB·WB)+DNC/(NAC·LNC))
ATE-UO Trans 17
Polarización en Zona Activa (XI)

Cálculo de las corrientes por los terminales
IE VEB VBC IC
VEB IB VCB
+ - B - +
P
+ -+ N
- +- P
E C
Sección A juEB WB
juBC
IE = A·juEB IC = -A·juBC IB = -IC -IE = A·(juBC- juEB)
IE =q·ni2·A·((eVEB/VT-1)·(DNE/(NAE·LNE)+DPB/(NDB·WB))-(eVCB/VT-1)·DPB/(NDB·WB))
IC=-q·ni2·A·((eVEB/VT-1)·DPB/(NDB·WB)-(eVCB/VT-1)·(DPB/(NDB·WB)+DNC/(NAC·LNC)))
IB = -q·ni2·A·((eVEB/VT-1)·DNE/(NAE·LNE)+(eVCB/VT-1)·DNC/(NAC·LNC))
ATE-UO Trans 18
Polarización en Zona Activa (XII)

Cálculo de las corrientes en zona activa (I)
¡Muy importante!
Las ecuaciones anteriores valen para cualquier E (P) C (P)
zona de trabajo del transistor
B (N)
IB
Particularizamos para la zona activa:
VCB
VEB>>VT, VCB<<-VT (ya que VCB<0, VCB
I
>>V ) E
V
+ EB- - + IC
T
Por tanto:
VEB VBC
eVEB/VT-1 eVEB/VT y eVCB/VT-1 -1
IE  eVEB/VT·q·ni2·A·(DNE/(NAE·LNE)+DPB/(NDB·WB))
IC  - eVEB/VT·q·ni2·A·DPB/(NDB·WB)
IB - eVEB/VT·q·ni2·A·DNE/(NAE·LNE)
ATE-UO Trans 19
Polarización en Zona Activa (XIII)

Cálculo de las corrientes en zona activa (II)
-DPB/(NDB·WB) E (P) C (P)
IC/IE  B (N)
DNE/(NAE·LNE)+DPB/(NDB·WB) IB
VCB
IE V
+ EB- - + IC
Ejemplo:
DPB = 10 cm2/s DNE = 40 cm2/s VEB VBC

NDB = 1013 atom./cm3 NAE = 1015 atom./cm3
WB = 1 µm LNE = 20 µm
DPB/(NDB·WB)= 10-8 DNE/(NAE·LNE)= 2·10-11
IC/IE = -0,998 IB/IE = (-IE - IC)/IE= - 0,002
Vamos a interpretar estos resultados
ATE-UO Trans 20
Polarización en Zona Activa (XIV)0,998·I

Cálculo de las corrientes en zona activa (III) E
VEB
IE VBC
0,002·IE
VEB
+ - VCB
B - +
C
E P+ -+ N- + - P
•La corriente de emisor IE se relaciona con la tensión emisor-base
VEB como en cualquier unión PN polarizada directamente: IE 
ISE·eVEB/VT.
•La corriente que sale por el colector es casi igual a la que entra
por el emisor.
•La corriente que sale por el colector no depende de la tensión
colector-base VCB. Por tanto, el colector se comporta como una
fuente (sumidero) de corriente.
Muy importante
ATE-UO Trans 21
Polarización en Zona Activa (XV)

Interpretación con las escalas reales
VEB=0,3 VBC
E B C
P+ N
- P
Portad./cm3 1m
1012
VEBO=0,48V La posición vertical de este
Escala
pB lineal punto varía mucho con VEB.
5·1011
Para cualquier VBC>0 (es

nE nC decir, VCB <0), la posición
0 vertical de este punto no
varía casi.
Gradiente muy pequeño
 no hay casi corriente de
minoritarios del emisor Gradiente constante
(electrones) ATE-UO Trans 22
Polarización en Zona Activa (XVI)

Corrientes por el transistor
Portad./cm3 Gradiente muy pequeño en el
emisor  no hay casi corriente
1012
de electrones.
Escala
pB lineal Gradiente muy grande en la
5·1011 base  hay mucha corriente
de huecos.
nE nC Calculamos la corriente total

0 de emisor.
Corriente mA Contacto de base
Calculamos la corriente de
3 huecos en el emisor.
IE -IC
Calculamos la corriente de
IpE IpB -IpC electrones en la base.
1,5
Gradiente casi nulo en el
InE InB colector  no hay casi
-InC corriente de electrones.
0
ATE-UO Trans 23
Polarización en Zona Activa (XVII)

Corrientes por el transistor
Concentración
pB3 IE -IC
Escala E
lineal C
pB2
pB1 B VBC
nE nC
0
Corriente Contacto de base
VEB1 < VEB2 < VEB3
IE3 -IC3
IE2 -IC2
IE1 -IC1
0
ATE-UO Trans 24
Polarización en Zona Activa (XVIII)

Definición del parámetro “α” directo (I)
Expresión completa de las corrientes:
IE =q·ni2·A·((eVEB/VT-1)·(DNE/(NAE·LNE)+DPB/(NDB·WB))-(eVCB/VT-1)·DPB/(NDB·WB))
IC=-q·ni2·A·((eVEB/VT-1)·DPB/(NDB·WB)-(eVCB/VT-1)·(DPB/(NDB·WB)+DNC/(NAC·LNC)))
Salida en cortocircuito (VCB =0):

IE = q·ni2·A·(eVEB/VT-1)·(DNE/(NAE·LNE)+DPB/(NDB·WB))
IC = -q·ni2·A·(eVEB/VT-1)·DPB/(NDB·WB) Definimos α:
α = -IC/IE
IE -IC
E VCB=0
C
DPB/(NDB·WB)
α=
B DNE/(NAE·LNE)+DPB/(NDB·WB)
VEB Muy importante

ATE-UO Trans 25
Polarización en Zona Activa (XIX)

Definición del parámetro “α” directo (II)
Ya habíamos obtenido antes (para VCB<0, ATE-UO Trans 20):
-DPB/(NDB·WB)
IC/IE  = -α
DNE/(NAE·LNE)+DPB/(NDB·WB)
IE -IC
Luego: E C
-IC α·IE VEB VBC

B
Típicamente:
α = 0,99-0,999
Muy, muy importante
ATE-UO Trans 26
Polarización en Zona Activa (XX)

Definición del parámetro “β”
IE -IC
Partimos de : E C
-IC  α·IE y IE = -IB -IC
Eliminando IE queda:
VEB -IB B VBC
IC  IB·α/(1-α)
Definimos β :
β = α/(1-α) Valor de β en función de la
Luego: física del transistor:
IC  β·IB β = DPB·NAE·LNE /(DNE·NDB·WB)
Típicamente:
β = 50-200 Muy, muy importante
ATE-UO Trans 27
Polarización en Zona Activa (XXI)

Variación del parámetro “β”
Aunquees muy poco variable,  (definida como  = /(1-)) es bastante

sensible a las pequeñas variaciones de .
Ejemplo:
α = 0,99 β = 0,99/(1-0,99) = 99
α = 0,999 β = 0,999/(1-0,999) = 999
max

min típica Los fabricantes usan el
término hFE en vez de β.
IC
ATE-UO Trans 28
Polarización en Zona Activa (XXII)

Configuraciones “base común” y “emisor común”
IE -IC
E C IE
VEC (> VEB)
P P -IC
VEB -IB B VBC E N C
VEB -IB B
-
VEC-VEB>0
Configuración “base común” +
Configuración “emisor común”
Para controlar IC, la fuente de tensión Para controlar IC, la fuente de tensión
de entrada VEB tiene que aportar la de entrada VEB tiene que aportar la
corriente IE  -IC/α   -IC. corriente IB  IC/β << IC.
ATE-UO Trans 29
Transistor “mal hecho” (con base ancha) (I)

VEB=0,3 VBC
IE E IB B C IC
+ N
- P
P
WB>>LP
Portad./cm3
1012
Gradiente muy
pB pequeño  no hay
5·1011 casi corriente de
electrones.
nE nC
0
Gradiente grande  fuerte Gradiente muy pequeño  no

corriente de huecos. hay casi corriente de huecos.
ATE-UO Trans 30
Transistor “mal hecho” (con base ancha) (II)

Portad./cm3
1012
pB
5·1011
nE nC
0
Densidad de corriente [mA/cm2]
3 IE
IpE InB
1.5 -InC
IpB -IC -IpC
InE
0
ATE-UO Trans 31
Transistor “mal hecho” (con base ancha) (III)

IE-IB  -I 0  C
VEB=0,3 VBC
E -IB B C Circuito equivalente
con Base ancha.
+ N
- P
P
IE -IB VEB VBC -IC 0
WB>>LP
Densidad de corriente [mA/cm2]
3 -IB
IE E B C
IpE InB
1.5
-InC
IpB -IC -IpC
InE
0
ATE-UO Trans 32
Polarización en Zona de Corte (I)

Cálculo de las corrientes en zona de corte
Particularizamos las ecuaciones del

E (P) C (P)
transistor para la zona de corte ( ver ATE-
B (N)
UO Trans 18): IB
VCB
VEB<<-VT y VCB<<-VT. Por tanto: IE V
+ EB- - + IC
eVEB/VT-1 -1 y eVCB/VT-1 -1
VBE VBC
Se obtiene:
Muy importante
IE  -q·n ·A·D
i
2
NE/(NAE·LNE)
Las tres corrientes son muy
IC  -q·n ·A·D
i
2
NC/(NAC·LNC)
pequeñas
IB  q·n ·A·(D
i
2
NE/(NAE·LNE) + DNC/(NAC·LNC))
ATE-UO Trans 33
Polarización en Zona de Corte (II)

Comparación entre las corrientes en zona activa y en zona de corte
Zona de Corte Como VT 26mV, eVEB/VT

IE  -q·ni2·A·DNE/(NAE·LNE) es muy grande en
condiciones normales de
IC  -q·ni2·A·DNC/(NAC·LNC) uso. Por ejemplo, si VEB
= 400mV, entonces
IB 
eVEB/VT = 4,8·106
q·ni2·A·(DNE/(NAE·LNE) + DNC/(NAC·LNC))
Zona Activa
IE  eVEB/VT·q·ni2·A·(DNE/(NAE·LNE)+DPB/(NDB·WB))
IC  - eVEB/VT·q·ni2·A·DPB/(NDB·WB)
IB - eVEB/VT·q·ni2·A·DNE/(NAE·LNE)
ATE-UO Trans 34
Polarización en Zona de Corte (III)

Comparación entre las concentraciones de minoritarios en zona
Concentración activa y corte
IE -IC
Escala E
pB (activa)
lineal C
nE (activa) B VBC
nE (corte) pB (corte) nC
0
Corriente VEB
BE
IE (activa) -IC (activa)
IE (corte) -IC (corte)

0 ATE-UO Trans 35
Zona Activa
Resumen Zona de Corte
-IC  α·IE y -IB  (1-α)·IE IC  0, IE  0 y IB  0

-IC  -β·IB y IE  -(1+β)·IB IE
E
-IC
C
IE -IC
E C
VBE VBC
-IB B
VEB VBC
-IB B
Base
Base común
común
VEC
VEC(> VEB) IE
IE -IC
-IC E C
E C VBE -IB Emisor
B
VEB -IB Emisor común común
B
ATE-UO Trans 36
Otras condiciones cercanas a las de corte (I)

Cortocircuito entre emisor y base
transistor para la zona de corte ( ver ATE- IE -IC
E C
UO Trans 18):
VEB=0 y VCB<<-VT. Por tanto: VBC

-IB B
eVEB/VT-1 = 0 y eVCB/VT-1 -1
Base común y
IE (VEB=0) =q·ni2·A·DPB/(NDB·WB)) emisor común
IC (VEB=0) =-q·ni2·A·(DPB/(NDB·WB) + DNC/(NAC·LNC))
IB (VEB=0) = q·ni2·A·DNC/(NAC·LNC)
Corrientes muy pequeñas, aunque algo mayores que las que

teníamos estrictamente en corte. En general, son despreciables.
ATE-UO Trans 37
Otras condiciones cercanas a las de corte (II)

Emisor en circuito abierto -IC0
E C
La corriente de colector que circula es muy
pequeña. Es denominada “corriente inversa de VBC
B
saturación de la unión base-colector con el
emisor en circuito abierto”, IC0.
Base en circuito abierto
La corriente de colector que circula es pequeña, VEC

pero bastante mayor que la de casos anteriores. IEC0
Es denominada “corriente inversa de saturación
E C
emisor-colector con la base en circuito abierto”,
IEC0. B
Es aconsejable no dejar la base “al aire”, siendo

mejor cortocircuitarla al emisor o conectarla a
dicho terminal a través de una resistencia.
ATE-UO Trans 38
Polarización en Zona de Saturación (I)

Cálculo de las corrientes en zona de saturación

transistor para la zona de saturación ( ver E (P) C (P)
ATE-UO Trans 18): B (N)
IB
VEB>>VT y VCB>>VT. Por tanto: VEB VCB
I E + - - + IC
eVEB/VT-1 eVEB/VT y eVCB/VT-1 eVCB/VT
Se obtiene: VEB VCB

IE = q·ni2·A·(eVEB/VT·(DNE/(NAE·LNE) + DPB/(NDB·WB)) - eVCB/VT·DPB/(NDB·WB))
IC=-q·ni2·A·(eVEB/VT·DPB/(NDB·WB) - eVCB/VT·(DPB/(NDB·WB)+DNC/(NAC·LNC)))
IB = -q·ni2·A·(eVEB/VT·DNE/(NAE·LNE) + eVCB/VT·DNC/(NAC·LNC))
Corrientes de emisor y de colector muy dependientes de las tensiones emisor

base y colector base.
ATE-UO Trans 39
Polarización en Zona de Saturación (II)

Caso habitual: una impedancia en el circuito de colector y configuración
en emisor común (I)
-IC
•Partimos de un valor “moderado” de -IB, de
Emisor común
forma que VCB = -V1 - IC·R + VEB < 0. Entonces
R estamos en zona activa.
VCB + •Hacemos crecer -IB, de forma que crece -IC.

P Llega un momento que VCB >0 e incluso
- VCB>>VT.
N
VEB P •Si llamamos DB y DC:
V1 DB = q·ni2·A·DPB/(NDB·WB)
-IB
DC = q·ni2·A·DNC/(NAC·LNC)
V1 >VEB
•La corriente de colector será:
-IC = eVEB/VT·DB - e (-V1 - IC·R + VEB)/VT·(DB+DC)
ATE-UO Trans 40
Polarización en Zona de Saturación (III)

Caso habitual: Una impedancia en el circuito de colector y
Por tanto: configuración en emisor común (II)
(-IC) = eVEB/VT·(DB - e (-V1 +(- IC)·R)/VT·(DB+DC))

-IC
Emisor común Si VEB/VT >>1, eVEB/VT .
R Entonces:
VCB + (-IC)·R = V1 + VT·ln(DB/(DB+DC))

P
- y, como DB>>DC:
N
VEB P (-IC)·R  V1
V1 Muy, muy importante
-IB El transistor se
V1 >VEB
comporta como un
cortocircuito
ATE-UO Trans 41
Polarización en Zona de Saturación (IV)

Comparación entre las concentraciones de minoritarios en zona
Concentración activa y saturación
pB (sat.) Escala
pB (lim.) lineal
nE pB (activa) nC Misma pendiente, ya

0
que la corriente de
colector es más o
Corriente menos constante.
IIEE (límite)
(satur.) -ICC (satur.)
(límite)
V1/R
IE (activa) -IC (activa)
0
ATE-UO Trans 41
Resumen
Zona Activa Zona de Corte Zona de Saturación
-IC -IC -IC
R R R
+ VCB + VCB +
VCB
P P - P
- -
-IB -IB -IB
N N N
P P P
VEB VBE VEB
IE V1 IE V1 IE V1
VCB < 0
IC  0, IE  0 VCB > 0 (VCE  0)
-IC  α·IE y -IB  (1-α)·IE
-IC  -β·IB y IE  -(1+β)·IB y IB  0 -IC  V1/R
Muy, muy importante

ATE-UO Trans 43
Polarización en Zona Transistor Inverso (I)

Estamos usando el emisor como si fuera un colector y el colector
como si fuera un emisor
IE VBE VCB IC
VEB IB VCB
+ - B - +
P
+ -+ -
N +- P
E C
Particularizamos las ecuaciones del transistor para la
zona de transistor inverso ( ver ATE-UO Trans 18):
VEB<<-VT y VCB>>VT. Por tanto:
eVEB/VT-1 -1 y eVCB/VT-1 eVCB/VT
ATE-UO Trans 44
Polarización en Zona Transistor Inverso (II)

Queda:
IE  -q·ni2·A·(DNE/(NAE·LNE) + DPB/(NDB·WB) + eVCB/VT·DPB/(NDB·WB))
IC  q·ni2·A·(DPB/(NDB·WB) + eVCB/VT·(DPB/(NDB·WB)+DNC/(NAC·LNC)))
IB  q·ni2·A·(DNE/(NAE·LNE) - eVCB/VT·DNC/(NAC·LNC))
Finalmente, despreciando los términos no afectados por eVCB/VT,

obtenemos:
IE  -q·ni2·A·eVCB/VT·DPB/(NDB·WB)
IC  q·ni2·A·eVCB/VT·(DPB/(NDB·WB)+DNC/(NAC·LNC))
IB  -q·ni2·A·eVCB/VT·DNC/(NAC·LNC)
Estas ecuaciones son como las de zona activa si hacemos los siguientes
cambios: VEB  VCB, VCB  VEB, IE  IC, IC  IE, DNC/(NAC·LNC) 
DNE/(NAE·LNE) y DNE/(NAE·LNE)  DNC/(NAC·LNC).
ATE-UO Trans 45
Polarización en Zona Transistor Inverso (III)

Conclusión:
Existe cierta reversibilidad en el comportamiento del emisor y del colector. La
gran diferencia es que las características físicas del emisor, DNE/(NAE·LNE), y del
colector, DNC/(NAC·LNC), son distintas.
Definición del parámetro “α” inverso, “αR”
αR = -IE/IC -IE IC
E C
VEB=0
DPB/(NDB·WB) VCB
-IB
αR = B
DNC/(NAC·LNC)+DPB/(NDB·WB)
Para distinguir ambos parámetros “α” vamos a llamar “αF” al directo, definido en
ATE-UO Trans 25.
ATE-UO Trans 46
IE
Comparación de “αF” y -I“αR”
-IC E
E IC
E C C
-IB B VCB
B
VEB αF = -IC/IE αR = -IE/IC

VCB=0 VEB=0
DPB/(NDB·WB) DPB/(NDB·WB)
αF = αR =
DNE/(NAE·LNE)+DPB/(NDB·WB) DNC/(NAC·LNC)+DPB/(NDB·WB)
Ejemplo:
DPB = 10 cm2/s DNE = 40 cm2/s DNC = 40 cm2/s
NDB = 1013 atom./cm3 NAE = 1015 atom./cm3 NAC = 1014 atom./cm3
WB = 1 µm LNE = 20 µm LNC = 20 µm
DPB/(NDB·WB)= 10-8 DNE/(NAE·LNE)= 2·10-11 DNC/(NAC·LNC)= 2·10-10

αF = 0,998 αR = 0,98
ATE-UO Trans 47
Definición de “βF” y “βR”

Definimos βF: Definimos βR:
βF = αF/(1-αF) βR = αR/(1-αR)
Valor de βF en función de la Valor de βR en función de la

física del transistor: física del transistor:
βF=DPB·NAE·LNE /(DNE·NDB·WB) βR=DPB·NAC·LNC /(DNC·NDB·WB)
Ejemplo anterior:
DPB = 10 cm2/s DNE = 40 cm2/s DNC = 40 cm2/s
NDB = 1013 atom./cm3 NAE = 1015 atom./cm3 NAC = 1014 atom./cm3
WB = 1 µm LNE = 20 µm LNC = 20 µm
βF = 500 βR = 50
En la realidad, estos valores suelen ser menores por la influencia de otros
fenómenos no contemplados.
ATE-UO Trans 48
Modelo de Ebers-Moll de un transistor (I)

E (P) C (P)
B (N) Principal idea: buscar un circuito equivalente
IB
a un transistor que sea válido en cualquier
VEB VCB
I E + - - + IC región de trabajo.
Volvemos a escribir las ecuaciones del transistor:

IE = q·ni2·A·(DNE/(NAE·LNE)+DPB/(NDB·WB))·(eVEB/VT-1) -
VEB/VT-1) = I
- q·ni2·A·DPB/(NDB·WB)·(eVCB/VT-1) ISE·(e F
IC = -q·ni2·A·DPB/(NDB·WB)·(eVEB/VT-1) +
+ q·ni2·A·(DPB/(NDB·WB)+DNC/(NAC·LNC))·(eVCB/VT-1)
ISC·(eVCB/VT-1) = IR
ATE-UO Trans 49
Por tanto:
IE = IF - q·ni2·A·DPB/(NDB·WB)·(eVCB/VT-1)
siendo:
IR·αR
IF = q·ni2·A·(DNE/(NAE·LNE)+DPB/(NDB·WB))·(eVEB/VT-1)
y también:
IC = IR -q·ni2·A·DPB/(NDB·WB)·(eVEB/VT-1)
siendo:
IR = q·ni2·A·(DPB/(NDB·WB)+DNC/(NAC·LNC))·(eVCB/VT-1)
IF·αF
Por tanto, en resumen:
IE = IF - IR·αR IC = IR - IF·αF
IF = ISE·(eVEB/VT-1) IR = ISC·(eVCB/VT-1)
ATE-UO Trans 50
Resumen:
IE = IF - IR·αR IC = IR - IF·αF
IF = ISE·(eVEB/VT-1) IR = ISC·(eVCB/VT-1)
VEB VCB
IE + - - + IC
E (P) C (P)
IB
B (N) E IF IR C
VEB VCB
I E + - - + IC
αR·IR IB B αF·IF
Muy, muy importante
ATE-UO Trans 51
VEB VCB
IE = IF - IR·αR IE + - - + IC
IC = IR - IF·αF E IF IR C
IF = ISE·(eVEB/VT-1)
IR = ISC·(eVCB/VT-1) αR·IR IB B αF·IF
De las ecuaciones anteriores se deduce:
q·ni2·A·DPB/(NDB·WB)·(eVCB/VT-1) = ISC·αR·(eVCB/VT-1)
q·ni2·A·DPB/(NDB·WB)·(eVEB/VT-1) = ISE·αF ·(eVEB/VT-1)
Por tanto: ISC·αR = ISE·αF = IS
Consecuencia:
Sólo hacen falta tres parámetros para definir el modelo de Ebers-Moll de
un transistor: IS, αF y αR.
ATE-UO Trans 52
¡La universidad para todos! -IC0
E C
Cálculo de IC0
VBC
VEB VCB B
IE=0 + - - + IC=IC0
E I IR C
F Partiendo de:
0 = IF - IR·αR
αR·IR IB B αF·IF IC0 = IR - IF·αF
IF = ISE·(eVEB/VT-1)
VBC
IR = ISC·(eVCB/VT-1)
Se obtiene: IC0 = ISC·(eVCB/VT-1)·(1-αR·αF) y como VCB<<-VT,

IC0 = -ISC·(1-αR·αF) = -IS·(1-αR·αF)/αR
ATE-UO Trans 53
Particularizando el modelo para

-IC0
polarización en Zona Activa
Partiendo de: E (P) C (P)
IE = IF - IR·αR B (N)
IB
IC = IR - IF·αF VCB
IE +
VEB
- - + -IC
IF = ISE ·(eVEB/VT-1)
IR = ISC·(eVCB/VT-1)
VEB VBC
Se obtiene -IC = -IR·(1-αR·αF) + IE·αF y como VCB<<-VT, queda:
-IC = ISC·(1-αR·αF) + IE·αF = -IC0 + IE·αF
y como IB + Ic + IE = 0, se obtiene: Muy importante

IC = IC0·(1+βF) + IB·βF
Éstas son mejores aproximaciones que -IC  αF·IE y IC  βF·IB

ATE-UO Trans 54
Comparación entre IC0, IC (corte), IC (VEB=0) y IEC0

-IC0 -IC (corte) -IC (VEB=0) IEC0
E C E E E C
C C
B VBC VBE B VBC B VBC B VEC
Partiendo del modelo de Ebers-Moll, se obtiene:

IC (corte) = -ISC·(1-αR) = -IS·(1-αR)/αR = IC0·(1-αR)/(1-αR·αF)
IC (VEB=0) = -ISC = -IS/αR = IC0/(1-αR·αF)
IEC0 = ISC·(1-αR·αF)/(1-αF) = IS·(1-αR·αF)/((1-αF)·αR) =- IC0/(1-αF)
En resumen:
IC (corte) IC0 IC (VEB=0) IC0·(1+βR) IEC0 = -IC0·(1+βF)
IC (corte)< IC0< IC (VEB=0)< IEC0
ATE-UO Trans 55
Portad./cm3 Efecto “Early”

1012
pB (V Escala E C
BC1)
lineal
VEB
5·1011 B VBC
nE pB (VBC2) nC
0
W’B VBC1 < VBC2
WB
Al aumentar la tensión Base-Colector VBC, el ancho de la zona de

transición también aumenta, por lo que el ancho efectivo de la Base WB
disminuye. Al disminuir el ancho efectivo de la base aumenta la
corriente de emisor (ya que aumenta el gradiente de minoritarios de la
base), y también disminuye la corriente de base (ya que disminuyen las
recombinaciones, ahora despreciadas, de minoritarios en ella).
ATE-UO Trans 56
Curvas características en base común (I)
Referencias normalizadas
IE [mA] VCB=-5V
20
E C VCB=
Curvas de entrada
B -10V
IB VCB=0
VCB
IE V
+ EB- - + IC VEB [V]
0 0,6
•Para una determinada tensión VEB, la corriente de emisor crece con la tensión
inversa aplicada entre colector y base (efecto “Early”). Este efecto no es muy
significativo.
•Cuando VEB=0 y VCB<<-VT, la corriente de emisor es ligeramente positiva (ver
ATE-UO Trans 37). Es un detalle no muy importante.
ATE-UO Trans 57
Curvas de salida
IC [mA]
Referencias normalizadas IE=50mA
IE=40mA
E C -40
IE=30mA
B
IB
VCB IE=20mA
IE V
+ EB- - + IC -20
IE=10mA
IE=0mA
VCB [V]
0
-2 -4 -6
En polarización en zona activa, se IC0
comporta como una fuente de
corriente.
Muy importante
ATE-UO Trans 58
Zonas de trabajo
Referencias normalizadas Curvas de salida
IC [mA]
E C IE=50mA
B
IB IE=40mA
VCB
IE V
+ EB- - + IC -40
IE=30mA
IE=20mA
-20
Saturación IE=10mA
IE=0mA VCB [V]
0
Zona Activa -2 -4 -6
IC0
Muy importante Corte
ATE-UO Trans 59
Curvas características en emisor común (I)

IB[A] VCE=-5V
IC -100 VCE=0
IB C +
Curvas de entrada VCE=-10V
+ VCE
VBEB
- E - VBE[V]
0 -0,6
•Para una determinada tensión VBE, la corriente de base decrece con la tensión
inversa aplicada entre colector y emisor (efecto “Early”). Este efecto no es muy
significativo.
•Cuando VBE=0 y VCB<<-VT, la corriente de base es ligeramente positiva (ver
ATE-UO Trans 37). Es un detalle no muy importante.
ATE-UO Trans 60
Curvas de salida
IC IC [mA]
IB=-400A
IB C +
-40
+ VCE IB=-300A
VBEB IB=-200A
- E -
-20
IB=-100A
IB=0A VCE [V]
0 -2 -4 -6
En zona activa, se comporta como
una fuente de corriente, como -IEC0 =IC0·(1+βF)
ocurría en base común, pero con
un comportamiento algo menos
ideal. Muy importante
ATE-UO Trans 61
Zonas de trabajo
Referencias normalizadas Curvas de salida
IC IC [mA]
C
IB=-400A
IB +
-40
+ VCE IB=-300A
VBEB
- E - IB=-200A
-20
IB=-100A
Saturación
IB=0A VCE [V]
0 -2 -4 -6
Zona Activa
Corte
Muy, muy importante
ATE-UO Trans 62
Análisis gráfico en emisor común

-IC -IC [mA]
-IB=400A
R=200Ω 40
-IB=300A
-IB -
-IB=200A
-VCE 20
-IB=100A
V1 +
IB=0A -VCE [V]
V2=6V
0 6
2 4
-IB = 0  -IC  0  -VCE  6V  Corte Recta de carga
-IB = 100µA -IC  10mA  -VCE  4V  Zona activa
-IB = 200µA -IC  20mA  -VCE  2V  Zona activa

-IB = 300µA -IC  30mA  -VCE  0,4V Saturación
-IB = 400µA -IC  30mA  -VCE  0,4V Saturación
ATE-UO Trans 63
La corriente de colector como función de la

I
corriente de base.
C Saturación
Esta representación justifica

en término “saturación”.
Corte IB
Determinación del estado en zona activa

o en saturación en circuitos
Zona Activa: IC  IB·F
Saturación: IC < IB·F

ATE-UO Trans 64
El transistor bipolar ideal Curvas de salida

Curvas de entrada
IC = Cte.
IC4 IB4
Unión PN ideal
IC3 IB3
IC2 IB2
IC1 IB1
IB0
Circuito equivalente
VCE
IE -IC
E C
-IB
Muy importante
B α·IE
-β·IB ATE-UO Trans 65
Análisis gráfico en emisor común con

un transistor ideal-I [mA]
-IC C
40 400µA
R=200Ω
30 300µA
-IB - 200µA
20
-VCE
-IB= 100µA
10
V1 +
-IB=0
V2=6V
2 4 6
-IB = 0  -IC = 0  -VCE = 6V  Corte

-VCE [V]
-IB = 200µA -IC = 20mA  -VCE = 2V Z. activa
-IB = 300µA -IC = 30mA  -VCE = 0V Saturación
-IB = 400µA -IC = 30mA  -VCE = 0V Saturación

ATE-UO Trans 66
Análisis del funcionamiento de un

transistor ideal en emisor común (I)
Zona activa -IC
•Como VCB < 0, el diodo CB no
puede conducir.
R2
C
+ •Por tanto:
(P)
VCB -β·IB IC = β·IB
-
-IB R1 (N)
V2
B
V1 (P)
E Muy importante
ATE-UO Trans 67
Corte •Como IB = 0, la fuente de corriente

-IC no conduce corriente.
R2
•Como VCB < 0, el diodo CB no
C
+ puede conducir.
(P)
VCB -β·IB
- •Por tanto:
IB=0 R1 (N)
B V2 IC = 0
V1 (P)
E
Muy importante
ATE-UO Trans 68
Saturación
-IC •Como β·(-IB) >V2/R2, el diodo CB
conduce.
R2
C •Por tanto:
+
(P) β·(-IB) VCB = 0, -IC = V2/R2
VCB
-
-IB R1 (N)
V2
B
V1 (P)
E Muy importante
ATE-UO Trans 69
Transistores NPN
Todo lo dicho para transistores PNP se aplica a los NPN sin más que:
•Mantener todos los tipos de polarización (directa o inversa).
•Cambiar los sentidos de todas las fuentes de tensión que hemos dibujado.
Por convenio mantendremos los sentidos en los que medimos las
tensiones.
•Cambiar los sentidos de todas las circulaciones reales de corriente. Por
convenio mantendremos los sentidos en los que medimos las corrientes.
-IC NPN, z. IC
PNP, z.
activa activa
R R
VCB < 0 VCB + VCB > 0
VCB +
P -IC  α·IE - N IC  α·(-IE)
- IB
-IB IC  β·IB P IC  β·IB
N N
P
VEB VBE -IE
IE V1 V1
ATE-UO Trans 70
Resumen con transistores NPN

IC IC NPN, IC
NPN, z. NPN,
saturación
activa corte
R R R
+ VCB + +
VCB VCB
N - N N
- -
IB IB IB
P P P
N N N
VBE -IE VEB -IE VBE -IE
V1 V1 V1
VCB > 0
IC  0, IE  0 VCB < 0 (VCE  0)
IC  α·(-IE)
y IB  0 IC  V1/R
IC  β·IB
Muy, muy importante

ATE-UO Trans 71
Curvas características en emisor común en un

Referencias transistor NPN
IC VCE=5V
normalizadas IB[A]
IB C +
100 VCE=0
+ VCE
VBEB Curvas de VCE=10V
- E - entrada
VBE[V]
IC [mA] 0 0,6
IB= 400A
40
IB= 300A
IB= 200A Curvas de
20 salida
IB= 100A
Todas las magnitudes
IB=0A VCE [V] importantes son positivas
0 2 4 6
ATE-UO Trans 72
Circuitos equivalentes para un transistor NPN

VBE VBC
IE = -IF + IR·αR IE - + + - IC
IC = -IR + IF·αF E IF IR C
IF = ISE·(eVBE/VT-1)
IR = ISC·(eVBC/VT-1) αR·IR IB B αF·IF
Circuito equivalente ideal Modelo de
Ebers-Moll
-IE IC
E C
IB
B α·(-IE)
β·IB ATE-UO Trans 73
Encapsulado de transistores
Encapsulado Encapsulado
Encapsulado
TO-92 TO-220
TO-126 (SOT-32)
BC548 (NPN)
BC558 (PNP)
Encapsulado
TO-3
BD135 (NPN) MJE13008 (NPN)
BD136 (PNP) IRF840 (MOSFET, N)
BDX53C (Darlington)
2N3055 (NPN)
BU326 (NPN)
ATE-UO Trans 74
Forma real de los transistores

Antiguo transistor PNP de Transistor NPN plano de doble
aleación difusión
N-
SiO2
B E
E C
P+ N+ P-
P N
N+
B
C
Resistencia de base
Parte que realmente actúa como
B E transistor
P+ Existe una resistencia

N-
relativamente alta al estar la
P base poco dopada. La
llamamos RB.
VEB VCB
IE + - - + IC
P+
E IF IR C
C αR·IR IB B’ αF·IF
Modelo de Ebers-Moll modificado RB

B
ATE-UO Trans 76
Efectos dinámicos en los transistores (I)

Como en el caso de las uniones PN en general, se caracterizan como:
•Capacidades parásitas (aplicaciones lineales)
•Tiempos de conmutación (en conmutación)
El tiempo más largo es el de retraso por el almacenamiento de

portadores minoritarios en la base, tS.
Transistor saturado
Concentración
P+ N-
pB (sat.) P Para cortar el transistor
hay que eliminar todo
este exceso de
portadores.
nE pB corte nC Transistor cortado
0
ATE-UO Trans 77
¿Cómo disminuir el de retraso por el almacenamiento de portadores

minoritarios en la base, tS?
a) No dejando que el transistor se sature muy intensamente (que quede en el

límite zona activa-saturación).
b) Extrayendo los minoritarios de la base polarizando inversamente la unión
base emisor.
pB (sat.) Situación menos deseable

(muy saturado)
pB (lim.)
Situación más deseable (en

el límite)
(desde en punto de vista de la rapidez).

ATE-UO Trans 78
Circuitos de “antisaturación”:
R2 El transistor se queda en el límite entre
saturación y zona activa.
VCB + V2
R1 N
-
P R2
N
V1
VCB +
Con diodo Schottky R1 N V2
-
P
Estos diodos impiden la N
polarización directa de la V1
unión CB.
Con 3 diodos
ATE-UO Trans 79
Circuito con extracción lenta de

R2 los minoritarios de la base.
V2
Circuito para la extracción rápida
Saturación R1 N de los minoritarios de la base.
V1 P
+
Corte N
VBE -
C1
R2
+ - V2
R1/2
Saturación N
Esta corriente es la de
eliminación de los V1 R1/2 P
+ N
minoritarios de la base Corte VBE
-
ATE-UO Trans 80
Fototransistores y fotoacopladores
Un fototransistor es un transistor en el que la incidencia de luz

sobre la zona de la base influye mucho en la corriente de
colector. La luz juega un papel semejante al de la corriente de
base.
Símbolo
R2 IC
R2 IC
Optoacoplador
+ ILED F.T.
V2
N V2 LED
P
N
IC/ILED 1-0,2
Fotodetector Muy importante

ATE-UO Trans 81
Estructura de los transistores de efecto de campo de unión,

JFET (canal N)
P+
N- Canal
Fuente Drenador (D)
(S)
P+
Puerta (G)
D
D G
G Otros símbolos
G D G D
JFET (canal P) S
JFET (canal N) S
canal N S canal P S Símbolo
Símbolo
ATE-UO Trans 82
Principio de funcionamiento de los transistores de

efecto de campo de unión, JFET (I)
P+
N-
Fuente Drenador (D)
(S)
P+
Puerta (G)
Zona de transición en zona muy dopada estrecha
Zona de transición en zona poco dopada ancha
ATE-UO Trans 83
Principio de funcionamiento de los transistores de

efecto de campo de unión, JFET (II)
P+
(D)
N-
(S)
P+ VV12
(G) V1 < V 2
Según aumenta la tensión drenador-fuente, aumenta la resistencia del canal,

ya que aumenta la zona de transición, que es una zona de pocos portadores.
ATE-UO Trans 84
ID
Evolución si la resistencia no cambiara
D con la tensión.
G +
VDS
- ID
S
VDS
Evolución real en un JFET (la
V1 V2
resistencia cambia con la tensión
aplicada).
ATE-UO Trans 85
Principio de funcionamiento de los JFET (IV)
P+
(D)
- VPO +
(S)
N- VDS
P+
(G) VDS=VPO > V2
Si se aumenta más la tensión drenador-fuente, la zona de transición llega a dejar

una parte del canal con muy pocos portadores. La corriente de drenador no cesa (si
cesara no se formaría el perfil de zona de transición que provoca esta situación).
La tensión VDS a la que se produce la contracción total del canal recibe el nombre
de tensión de contracción (“pinch-off”), VPO.
ATE-UO Trans 86
P+
LZTC (D)
N- LC
(S)
VDS
P+
(G) VDS=V3 > VPO
Si se aumenta la tensión drenador-fuente por encima de VPO, va

aumentando la parte del canal que ha quedado con muy pocos portadores,
LZTC (longitud de la zona de transición en el canal). Sin embargo, el
aumento de LZTC al aumentar VDS es pequeño comparado con la longitud
del canal, LC.
ATE-UO Trans 87
- P+ VPO +
LL’ZTC
ZTC (D)
(S)
VDS
N-
P+
(G) VDS=V4 > V3
Si L’ZTC << LC (hipótesis de canal largo) y admitimos que el perfil de

portadores en la parte no contraída del canal no ha cambiado, tenemos
que admitir que la tensión en dicha parte es VPO.
Luego la corriente que circula es la necesaria para dar la misma caída de
tensión sobre el mismo perfil de canal  misma corriente que cuando
aplicábamos VPO  corriente constante por el canal cuando VDS>VPO.
ATE-UO Trans 88
Resumen del principio de funcionamiento de los
JFET cuando VGS = 0
VDS=0 Comportamiento
ID resistivo Comportamiento como
VDS=V1 fuente de corriente
VDS=V2
VDS=VPO VDS
V1 V2 VPO V3 V4
VDS=V3
VDS=V4
ATE-UO Trans 89
¿Qué pasa si VGS  0?

P+
(D) •Con VGS=0, la
VPO + contracción ocurre
(S)
- cuando VDS = VDSPO =VPO.
N-
P+ VDS=VPO
•El canal es siempre
(G) más estrecho, al estar
polarizado más
N- inversamente mayor
P+ resistencia
(D)
VPO + + •La contracción se
(S)
UA produce cuando:
-
P+ VDS=VDSPO=VPO + VGS
VD
(G) + S Es decir:
UB VGS - VDSPO = UA = VPO - UB
-
Cuando VGS < 0, la corriente que circula es menor y la contracción se produce a
una VDS menor.
ATE-UO Trans 90
Curvas características de un JFET (canal N)

Referencias ID •Curvas de salida
normalizadas
D ID [mA]
+
G
4 VGS = 0V
VDS
+
-
VGS
S
VGS = -0,5V
- 2
VGS = -1V
•Curvas de entrada: VGS = -1,5V
VGS = -2V VDS [V]
No tienen interés (unión
polarizada inversamente) 0
2 4 6
Contracción del canal
Contracción producida cuando:

Muy importante VDSPO=VPO + VGS
ATE-UO Trans 91
La tensión VPO
P+
Cortocircuitamos el
(D)
N- drenador y la fuente y
(S) aplicamos tensión
entre puerta y fuente.
P+
(G) +
UB1 VGS
-
Cuando la tensión VGS
alcanza un valor
P+
negativo suficientemente
grande, la zona de
(D)
N- transición invade
(S) totalmente el canal. Este
valor es el de
P+
contracción del canal,
(G) +
VGS = -VPO VPO.
UB1< UB2 -
ATE-UO Trans 92
Análisis gráfico de un JFET en fuente común

ID [mA]
ID
4 VGS = 0V
2,5KΩ
VGS = -0,5V
D
+ 2
G VGS = -1V
VDS
+ 10V VGS = -1,5V
-
VGS VGS = -2V
S
- 0
4 8 12 VDS [V]
VGS = -2,5V
VGS = 0V > -0,5V > -1V > -1,5V > -2V > -2,5V
Muy
Comportamiento resistivo importante
Comportamiento como fuente de corriente
Comportamiento como circuito abierto

ATE-UO Trans 93
Cálculo de las corrientes en la zona de fuente de corriente

(canal contraído)
Partimos de conocer el valor de la corriente de drenador cuando
VGS = 0 y el canal está contraído, ID0PO.
ID [mA]
4 ID0PO VGS = 0V
IDPO VGS = -0,5V

También se conoce la
tensión de contracción 2 VGS = -1V
del canal, VPO
VGS = -1,5V
VGS = -2V
Ecuación ya conocida: 0
4 8 12 VDS [V]
VDSPO = VPO + VGS
VGS = -VPO
Ecuación no demostrada:
IDPO  ID0PO·(1 + VGS/VPO)2 Muy importante
ATE-UO Trans 94
Comparación entre transistores bipolares y JFET (I)

IC ID
R Muy importante R
IB C (N) D
B (P) IG 0 G (P)
N V
+ V +
V1 2
VBE 2
VGS
E (N) S
V1 - -
•En ambos casos, las tensiones de entrada (VBE y VGS) determinan las
corrientes de salida (IC e ID).
•En zona de comportamiento como fuente de corriente, es útil
relacionar corrientes de salida y entrada (transistor bipolar) o corriente
de salida con tensión de entrada (JFET).
• La potencia que la fuente V1 tiene que suministrar es mucho más
pequeña en el caso del JFET (la corriente es casi cero, al estar
polarizada inversamente la unión puerta-canal).
ATE-UO Trans 95
Corriente de electrones en
todo el dispositivo (transistor
N-
P+ unipolar)
(S) (D)
+
P+
UA
(G) + VD
Muy
UB VGS S
- importante
-
•El JFET es más rápido al ser un dispositivo unipolar (conducción no

determinada por la concentración de minoritarios).
•El JFET puede usarse como resistencia controlada por tensión, ya que
tiene una zona de trabajo con característica resistiva.
•Para conseguir un comportamiento tipo “cortocircuito” hay que colocar
muchas celdas en paralelo.
ATE-UO Trans 96
SiO2 Estructura real de un JFET de canal N

S G D
N+ N+ Contactos metálicos
P+
N-
P+ Canal N
G
Uso de un JFET de canal P -ID
R
Hay que invertir los sentidos reales de
tensiones y corrientes para operar en los I 0 D
G G (N) V
mismas zonas de trabajo. 2
+ P
V1
VGS
S
-
ATE-UO Trans 97
Los transistores de efecto de campo de unión

metal-semiconductor MESFET
Contacto rectificador (Schottky)
ID VGS > 0
S G D
GaAs
VGS = 0
N+ N- N+ Contactos
óhmicos
GaAs aislante VGS<0
VDS
G G G G
Pequeña Tensión GS Polarización Polarización

polarización nula inversa GS, zona inversa GS, zona f.
directa GS resistiva de corriente
ATE-UO Trans 98
Estructura
Contactos Nombre
Metal metálicos Metal
SiO2 S G D
S G D Óxido
N+ N+
Semiconductor
P-
+
D
Substrato Símbolo
Símbolo D G
Substrato
MOSFET de S
G enriquecimiento de
S MOSFET de enriquecimiento canal P
(acumulación) de canal N ATE-UO Trans 99
Principios de operación de los MOSFET (I)

G Zona de transición
S ++ ++ D (con carga espacial)
N+
+ - + - - + -
+
N+
V1
P-
+
Substrato
Se empieza a formar una capa

G de electrones (minoritarios del
S +++
++ +++
++ D substrato)
N+ -- - -- -- --
- N+ V2 > V 1
P- - -
+
Substrato
ATE-UO Trans 100
Principios de operación de los MOSFET (II)

G Esta capa de minoritarios es
S ++++ ++++
D llamada “capa de inversión”
- - - -
N+ - - - - N+
P- V3 = V TH > V2
+
Substrato Esta capa es una zona de
transición (no tiene casi
portadores de carga)
Cuando la concentración de los electrones en la capa formada es igual a

la concentración de los huecos de la zona del substrato alejada de la
puerta, diremos que empieza la inversión. Se ha creado artificialmente
una zona N tan dopada como la zona P del substrato. La tensión a la que
esto ocurre es llamada “tensión umbral” (“threshold voltage”), VTH.
ATE-UO Trans 101

Situación con tensión G

mayor que la de umbral S +++++ +++++ D
N+ - - - - - - N+
- - - -
P- V4 > V TH
VDS ID P
Substrato
G •Conectamos la fuente al
S +++++ +++++ D substrato.
VGS •Conectamos una fuente de
N+ - - - - - - N+
- - - - tensión entre los terminales fuente
P- y drenador.
¿Cómo es la corriente de drenador?
Substrato
ATE-UO Trans 102
VDS 0 ID 0
•Existe un canal entre drenador y

G fuente constituido por la capa de
S +++++ +++++ D inversión que se ha formado.
VGS •Con tensiones VDS pequeñas
N+ - - - - - - N+ (<<VGS), el canal es uniforme.
- - - -
P-
VDS =VDS1 >0
ID
Substrato
G
•El canal se empieza a contraer S +++++ +++++ D
según aumenta la tensión VDS.
VGS
•La situación es semejante a la - - - - -
N+ - - - - - N+
que se da en un JFET. P-
ATE-UO Trans 103 Substrato

VDS2=VDSPO >VDS1
ID
•El canal formado se contrae
G totalmente cuando VDS = VDSPO.
S +++++ +++++ D
VGS
- - -
N+ ------- N+
VDS3 >VDSPO
P-
ID
Substrato
G
S +++++ +++++ D
•Cuando VDS > VDSPO, el MOSFET VGS
se comporta como una fuente de - - -
N+ ------- N+
corriente (como en el caso de los
P-
JFET).
Substrato
ATE-UO Trans 104
VDS2 > VDS1

VDS1
ID0 ID0
G G
S D S D
N+ N+ N+ N+
P- P-
Substrato Substrato
Si VGS = 0, la corriente de drenador es prácticamente nula. En general, si

VGS <VTH, no hay casi canal formado y, por tanto, no hay casi corriente de
drenador.
ATE-UO Trans 105

Curvas características de un MOSFET de

enriquecimiento de canal N
Referencias ID •Curvas de salida
normalizadas D
+ ID [mA]
G VDS VGS = 4,5V
4
+ S -
VGS VGS = 4V
- 2
VGS = 3,5V
VGS = 3V
•Curvas de entrada: VGS = 2,5V VDS [V]
No tienen interés (puerta
0 6
aislada del canal) 2 4
VGS < VTH =
2V
Muy importante
ATE-UO Trans 106

Análisis gráfico de un MOSFET en fuente común

ID [mA]
ID
4 VGS = 4,5V
2,5KΩ
VGS = 4V
D +
2 VGS = 3,5V
VDS
G
+ S - 10V VGS = 3V
VGS VGS = 2,5V
- 0
4 8 12 VDS [V]
VGS < VTH = 2V
VGS = 0V < 2,5V < 3V < 3,5V < 4V < 4,5V
Muy
Comportamiento resistivo importante
Comportamiento como fuente de corriente
Comportamiento como circuito abierto

ATE-UO Trans 107
Cálculo de las corrientes en la zona de fuente de

corriente (canal contraído) y de la tensión umbral
Ecuaciones no demostradas:
IDPO  (VGS - VTH)2·Z·µn·Cox/2LC

VTH  2·φF + (εrs·xox/εrox)·(4·q·NA·φF/(εrs·ε0))1/2
Z = longitud en el eje perpendicular a la representación.

Cox = Capacidad del óxido por unidad de área de la puerta.
εrs, εrox y ε0 = permitividades relativas del semiconductor y del óxido y
permitividad absoluta.
xox = grosor del óxido debajo de la puerta.
φF =VT·ln(NA/ni)
ATE-UO Trans 108

Los MOSFET de deplexión (I)

G
S D
•Existe canal sin necesidad de aplicar
tensión a la puerta. Se podrá establecer
N+ N- N+ circulación de corriente entre drenador y
P- fuente sin necesidad de colocar tensión
positiva en la puerta.
+
Substrato
+ •Modo ACUMULACIÓN:
G Al colocar tensión positiva en
S +++ +++ D la puerta con relación al canal,
VGS=V1
se refuerza el canal con más
N+ N-
- - - - - - N+ electrones procedentes del
P- V1 substrato. El canal podrá
conducir más.
Substrato + -
ATE-UO Trans 109
+
G
S --- --- D
VGS=-V1
+- + + + + +
V1
N+ N N+
P-
Substrato + -
•Operación en modo DEPLEXIÓN:

Se debilita el canal al colocar tensión negativa en la puerta con relación al
substrato. El canal podrá conducir menos corriente.
ATE-UO Trans 110

•Cuando se aplica tensión entre drenador y fuente se empieza a contraer el

canal, como ocurre en los otros tipos de FET ya estudiados. Esto ocurre en
ambos modos de operación.
VDS
VDS
ID ID
G G
S +++ +++ D S --- --- D
N+
- - - - N+ N+ + + + + + + N+ V1
N- N- + +
P- - - P-
V1
Substrato + Substrato +
Modo acumulación Modo deplexión
ATE-UO Trans 111

Comparación entre las curvas características de los

MOSFET de enriquecimiento y de deplexión
ID [mA] Enriquecimiento
VGS = 4,5V
Muy importante 4
VGS = 4V
2 VGS = 3,5V
ID [mA] Deplexión VGS = 3V
VGS = 2,5V
4 VGS = 1V
0 2 4 6 VDS [V]
VGS < VTH = 2V
VGS = 0,5V
Modo acumulación
2
VGS = 0V
VGS = -0,5V
VGS = -1V Modo deplexión
0 6 VDS [V]
2 4
VGS < -1,5V
ATE-UO Trans 112
Comparación entre los símbolos de los MOSFET de

enriquecimiento y de deplexión con ambos tipos de canal
D D
Canal N
G G
S S
Tipo enriquecimiento Tipo deplexión
D D
Canal P
G G
S S
Tipo deplexión
Tipo enriquecimiento
ATE-UO Trans 113

Comparación de los circuitos de polarización para

trabajar en zona resistiva o en zona de fuente de
corriente con MOSFET de ambos tipos de canal
ID
-ID
R R
D D +
+
VDS VDS
G G
- + S - V2
+ S V2
VGS VGS
V1 - V1 -
Canal N Canal P
Hay que invertir los sentidos reales de tensiones y corrientes
para operar en los mismas zonas de trabajo.
ATE-UO Trans 114
Comparación entre transistores JFET y MOSFETID

ID
R R
D
IG 0 D
IG = 0
G V G
+ 2
+ S V2
V1 VGS VGS
S V1 -
-
JFET, canal N MOSFET, canal N
• La potencia que la fuente V1 tiene que suministrar estáticamente en

un MOSFET es cero. Por tanto, la corriente IG es más pequeña aún que
en el caso del JFET (que es casi cero, al estar polarizada inversamente
la unión puerta-canal).
• La tensiones V1 y V2 comparten terminales del mismo signo en el
caso del MOSFET. Esto facilita el control.
Muy importante
ATE-UO Trans 115
Precauciones en el uso de transistores MOSFET
S G D D
N+ N+
G
P-
S
+
Substrato
•El terminal puerta al aire es muy sensible a los ruidos.
•El óxido se puede llegar a perforar por la electricidad estática de los dedos. A
veces se integran diodos zener de protección.
•Existe un diodo parásito entre fuente y drenador en los MOSFET de

enriquecimiento.
ATE-UO Trans 116
EL TIRISTOR (Thyristor)
EL TIRISTOR
Los TIRISTORES (también conocido como SCR) son dispositivos de

estado sólido que se disparan bajo ciertas condiciones pasando de un
estado de alta impedancia a uno de baja, estado que se mantiene
mientras que la corriente y la tensión sean superiores a un valor mínimo
denominado: niveles de mantenimiento.
Se consideran interruptores ideales en aplicaciones con potencia.

EL TIRISTOR
CARACTERÍSTICAS
- Dispositivo de 4 capas p-n alternadas
- Tiene estados estables de conducción y bloqueo
- Capaz de soportar las potencias más elevadas. I>4000Amp V>7000Volt.
- Control del encendido por corriente de puerta (pulso).
- Frecuencias de conmutación no superiores a 2kHz
EL TIRISTOR
Sección
EL TIRISTOR
Sección longitudinal
EL TIRISTOR
Símbolo y circuitos equivalentes

EL TIRISTOR
Curva característica
VBO = Tensión de ruptura directa (entra en conducción)

IG =Corriente en la puerta
IH = Corriente de mantenimiento (hold) Mínima corriente para que el tiristor se mantenga en
conducción
IL = Corriente de enganche; Corriente mínima en el ánodo para que el tiristor pueda conducir
VGTMAX = Tensión máxima admisible entre puerta (gate) y cátodo
VDMAX = Tensión máxima admisible entre ánodo y cátodo, tanto en directa bloqueado o inversa
EL TIRISTOR
TIPOS:
Dependiendo de la construcción física y del comportamiento
de activación y desactivación, podemos hablar de diferentes
Tipos de tiristores:
SCR (Silicon Controlled Rectifier). Interruptor unidireccional

GTO (Gate Turn-off) Interruptor unidireccional. Apagado por puerta
TRIAC (Triode AC) Interruptor bidireccional
DIAC (Diode AC) Interruptor bidireccional ( Control de tiristores)
EL TIRISTOR
EL TRIAC - Características
• Es un tipo de tiristor bidireccional

• Se puede considerar como dos tiristores SCR
• Tiene tres terminales T1, T2 y G (puerta)
• Se activa con pulso negativo o positivo
• Tiene parámetros análogos al SCR
EL TIRISTOR
EL TRIAC - Símbolo
Combinación de dos SCR para formar un TRIAC. Símbolo del TRIAC

EL TIRISTOR
EL TRIAC - Estructura interna

EL TIRISTOR
EL TRIAC - Curva Característica

EL TIRISTOR
EL DIAC - Características
• Dispositivo bidireccional
• Curva característica similar a la del TRIAC
• Para que esté activo se debe superar la tensión de ruptura directa V BO
• Permanece en estado de baja impedancia siempre que la corriente no
descienda de la de mantenimiento
• Se suele utilizar como circuito de disparo del TRIAC
EL TIRISTOR
EL UJT - Características
• Transistor de monounión
• Especialmente indicado para circuitos de disparo de TRIAC
• Tiene tres terminales, dos base y un emisor
EL TIRISTOR
EL UJT – Curva Zona de corte

Zona de resistencia negativa ( aumenta IE disminuye VE )
Zona de conducción
VP =Tensión de pico
IP = Corriente de pico
VV= Tensión de Valle
IV= corriente de valle
EL TIRISTOR
OTROS
• GTO = Puede ser encendido como un SCR con la diferencia que

puede ser desactivado mediante un impulso negativo en la puerta.
• LASCR = Es un SCR activado por luz (Light Activated SCR)
• PUT
• SIT
EL TIRISTOR
Título del tema
• El Transistor. Lógica de estado sólido.

• Compuertas lógicas y circuitos aplicativos de
• Codificadores.
• Decodificadores, temporizadores, conteo y
memoria.
Orientaciones
• https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor.
• https://www.digikey.com.mx/es/articles/techzone/20
17/dec/transistor-basics
• http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pag
ina_tbj/pag_tbj.htm)
• http://www.slideshare.net/catita_potter/transistores-
presentation)
• http://html.rincondelvago.com/transistor-
amplificador
Contenidos temáticos
• Entiende de los dispositivos y circuitos

• lógicos utilizados como soporte en
• diversas áreas de la industria
Conclusiones y/o actividades de investigación

sugeridas
• Transistor El transistor es un dispositivo
electrónico semiconductor utilizado para producir
una señal de salida en respuesta a otra señal de
entrada. 1 Cumple funciones de amplificador,
oscilador, conmutador o rectificador. El término
«transistor» es la contracción en inglés de transfer
resistor («resistencia de transferencia»).
Actualmente se encuentran prácticamente en todos
los aparatos electrónicos de uso diario: radios,
televisores, reproductores de audio y video, relojes
de cuarzo, computadoras...
¡Gracias!

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¡La universidad para todos!

¡La Universidad para todos!

Escuela Profesional Periodo académico: 2018 II

PNP Tipos de transistores

Características comunes a todos los

•Dos de los tres terminales actúan como terminales de entrada (control).

•Dos de los tres terminales actúan como terminales de salida. Un terminal es

Características comunes a todos los

Características comunes a todos los transistores

Transistores bipolares de unión (I)

Transistores bipolares de unión (II)

Polarización en Zona Activa (I)

Polarización en Zona Activa (II)

•Llegamos a: pB(0) = pB(0)-pB(0)s.p.= (eVEB/VT-1)·pB(0)s.p.

•Y como pB(0)s.p.= ni2/NDB, queda:

pB(0)=(eV EB /VT-1)·n 2/N

Polarización en Zona Activa (III)

Emisor Unión emisor-base

nE(0)=(eV EB /VT-1)·n 2/N

Polarización en Zona Activa (IV)

En zona activa, VCB< 0

Polarización en Zona Activa (V)

nC(WB )s.p. 108

Polarización en Zona Activa (VI)

¿Cómo es la concentración de los huecos en la base?

Polarización en Zona Activa (VII)

Polarización en Zona Activa (VIII)

Polarización en Zona Activa (IX)

Polarización en Zona Activa (X)

nE(0-)=(eVEB/VT-1)·ni2/NAE pB(WB-) = (eVCB/VT-1)·ni2/NDB

Resumen de los valores de los gradientes de los minoritarios en los bordes de

(dnE/dx)0- = nE(0-)/LNE = (eVEB/VT-1)·ni2/(NAE·LNE)

(dnC/dx)WB+ = -nC(WB+)/LNC = -(eVCB/VT-1)·ni2/(NAC·LNC)

Polarización en Zona Activa (XI)

juBC = q·DPB·(pB(0+)-pB(WB-))/WB - q·DNC·nC(WB+)/LNC =

Polarización en Zona Activa (XI)

Polarización en Zona Activa (XII)

Polarización en Zona Activa (XIII)

DPB = 10 cm2/s DNE = 40 cm2/s VEB VBC

DPB/(NDB·WB)= 10-8 DNE/(NAE·LNE)= 2·10-11

IC/IE = -0,998 IB/IE = (-IE - IC)/IE= - 0,002

Vamos a interpretar estos resultados

Polarización en Zona Activa (XIV)0,998·I

Polarización en Zona Activa (XV)

Para cualquier VBC>0 (es

Polarización en Zona Activa (XVI)

nE nC Calculamos la corriente total

Polarización en Zona Activa (XVII)

Polarización en Zona Activa (XVIII)

Salida en cortocircuito (VCB =0):

VEB Muy importante

Polarización en Zona Activa (XIX)

-IC α·IE VEB VBC

Polarización en Zona Activa (XX)

Polarización en Zona Activa (XXI)

Aunquees muy poco variable,  (definida como  = /(1-)) es bastante

Polarización en Zona Activa (XXII)

Transistor “mal hecho” (con base ancha) (I)

Gradiente grande  fuerte Gradiente muy pequeño  no

Transistor “mal hecho” (con base ancha) (II)

Densidad de corriente [mA/cm2]

Transistor “mal hecho” (con base ancha) (III)

Polarización en Zona de Corte (I)