Informe 1 Laboratorio de Eléctronica de

Potencia, Dispositivos en Conmutación

Julián Triana, Código:1088303755; Jessica Benjumea:1088303755, Código:;
Esteban Marin Velez, Código:1112768675

I. R ESUMEN IV. P ROCEDIMIENTO

1. Implementar el circuito de la figura 1 y medir
Los diodos de conmutación se utilizan en apli- la tensión en la carga Vo, el tiempo de subida
caciones de rectificadores de alta velocidad, co- (tr), el tiempo de recuperación inversa (trr) y el
mo también en protecciones contra polaridad tiempo de caı́da (tr).
inversa. En el laboratorio se implementaron di-
ferentes redes las cuales permitirán entender el
funcionamiento de los diferentes dispositivos de
conmutación como lo son diodos y transistores.
Resumen—Switching diodes are used in high-speed
rectifier applications, as well as protections against
reverse polarity. In the laboratory, different networks
were implemented which will allow understanding the
operation of the different switching devices such as
diodes and transistors.

II. I NTRODUCCI ÓN

Los diodos de conmutación son aquellos que FIG1. Circuito 1
tienen un tiempo de respuesta muy breve, con
respecto al cambio del sentido de la corriente Simulación:
eléctrica. Es decir, que el tiempo de recuperación
inverso (TRR) es inferior a 400 nanosegundos en
diodos de media potencia, y 5 nanosegundos en
aquellos de potencia baja.
Mientras que los transistores de conmutación
son aquellos que permiten pasar rapidamente
de corte a saturación y viceversa.

III. O BJETIVOS FIG2. Simulación Circuito 1

1. Observar el funcionamiento de algunos dispo-
sitivos de conmutación.
2. Entender la diferencia entre los dispositivos de
conmutación de uso general y los dispositivos de
conmutación rápida.
3. Conocer la aplicabilidad y los diferentes tipos
de topologia en las redes SNUBBER
UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA DE PEREIRA, ABRIL 11 DE 2019 2

2. Implemente el circuito de la figura 1 y

usando un diodo rápido repita todo el proceso
del numeral 1.

Nota:Para la siguiente red se uso el diodo

rápido 1N4148.
Simulación:

FIG3. Salida Simulación

En la Práctica:

FIG5. Simulación Circuito 2

FIG4. Salida laboratorio

Resultados:
FIG6. Salida Simulación
Frecuencia tr tf trr En la Práctica:
1000 Hz 499.2 µs 556 ns 6.8 µs
10000 Hz 462.3 µs 61.58 ns 7.23 µs
20000 Hz 20.72 µs 73.65 ns 9.22 µs
50000 Hz 7.1 µs 54.68 ns 6.9 µs
Tabla 1. Resultados Simulaciones

Frecuencia tr tf trr
1000 Hz 496 µs 400 ns 6.2 µs
10000 Hz 456 µs 56.88 ns 7.14 µs
20000 Hz 20.82 µs 73.05 ns 7.19 µs
50000 Hz 6.69 µs 54.54 ns 6.14 µs FIG7. Salida laboratorio

Tabla 2. Resultados laboratorio

UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA DE PEREIRA, ABRIL 11 DE 2019 3

Resultados:

Frecuencia tr tf trr
1000 Hz 398 ns 396 ns 68 ns
10000 Hz 92.56 ns 53.6 ns 101 ns
20000 Hz 315.23 ns 65 ns 112.6 ns
50000 Hz 52.758 ns 88.96 ns 95.2 ns
Tabla 3. Resultados Simulaciones

Frecuencia tr tf trr
1000 Hz 390 ns 400 ns 63 ns
10000 Hz 83.11 ns 47.32 ns 99.9 ns FIG9. Dibujo formas de onda
20000 Hz 312 ns 78 ns 102 ns Simulación:
50000 Hz 52.70 ns 81.11 ns 92 ns
Tabla 4. Resultados laboratorio

3. Implemente el circuito de la figura 8 y medir

el tiempo de subida (tr), el tiempo de retardo
(td) y el tiempo de caı́da (tr), ademas dibuje las
formas de onda para la corriente en la carga, la
tensión y Vce.

FIG10. Simulación Circuito 3

FIG11. Salida Simulación

En la Práctica:

FIG8. Circuito 3

FIG12. Salida laboratorio

UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA DE PEREIRA, ABRIL 11 DE 2019 4

Resultados: Simulación:

Frecuencia tr tf td
1000 Hz 7.1 µs 626.4 ns 47.5 µs
10000 Hz 448.3 µs 69.58 ns 59 µs
20000 Hz 20.4 µs 73 ns 8.6 µs
50000 Hz 7.6 ns 56.68 ns 8 µs
Tabla 5. Resultados Simulaciones

Frecuencia tr tf td
1000 Hz 6.58 µs 615.4 ns 49.5 µs
10000 Hz 6.488 µs 281.8 ns 68.5 µs
20000 Hz 19.56 µs 25.22 ns 12 µs FIG14. Simulación Circuito 4
50000 Hz 124.8 ns 336 ns 12.16 µs
Tabla 6. Resultados laboratorio

4. Repita el punto anterior pero usando la red

SNUBBER de la figura 12, ademas de los
valores calculados para Rs y Cs.

Nota:Previamente en el pre-informe se
calcularon Rs=100 Ω y Cs=1000 µF.

FIG15. Salida Simulación

FIG16. Salida laboratorio

Resultados:
FIG13. Circuito 4

Frecuencia tr tf td
1000 Hz 276.3 µs 2.2 µs 496.2 µs
10000 Hz 80.05 ns 1.3 µs 6.3 2 ns
20000 Hz 75.06 ns 1.3 µs 16.24 ns
50000 Hz 13 ns 1.875 µs 48.98 ns
Tabla 7. Resultados Simulaciones
UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA DE PEREIRA, ABRIL 11 DE 2019 5

Frecuencia tr tf td
1000 Hz 274.1 µs 1.36 µs 490 µs
10000 Hz 76.79 ns 1.220 µs 5.5 ns
20000 Hz 70.73 ns 1.350 µs 15.15 ns
50000 Hz 11.60 ns 2.162 µs 50 ns
Tabla 8. Resultados laboratorio

5. Implemente de nuevo el circuito de la figura

12 pero usando un transistor de conmutación y
repita las medidas del punto anterior, ademas
dibuje las formas de onda para la corriente en
la carga, la tensión y Vce.
Nota:Para la siguiente red se uso el transistor
4007.

V. C ONCLUCIONES
1. Comprobamos el funcionamiento de algunos
dispositivos de conmutación rápida tales como
el diodo y el transistor.
2. Observamos como afecta la frecuencia a los
dispositivos de conmutación.
3. Entendimos la importancia que tienen las
redes tipo SNUBBER en circuitos de potencia,
a la hora de reducir el estrés eléctrico.
4. Analizamos las diferentes topologias que tie-
nen las redes SNUBBER.
5. Advertimos en la practica el efecto que tie-
nen las inductancias en las cargas en circuitos
electrónicos de potencia.

VI. B IBLIOGRAFIA
1. www.uv.es/marinjl/electro/transistores
2. Eléctronica de potencia - Daniel W. Hart
3. Electronica de potencia – Muhammad H.
Rashid