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MEMORIA SRAM
(SEXTO LABORATORIO)
Estudiante:
Segovia Pujaico, Álvaro Saúl 15190039
Pereyra Peláez Oscar Abel 15190023
Curso:
Circuitos Digitales II
Fecha de realización:
11 de octubre
Fecha de entrega:
23 de octubre
Docente:
Ing. Guillermo Tejada Muñoz
CONTENIDO
Conclusiones…………………………………………………………………14
Apéndice……………………………………………………………………...15
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REGISTROS
I. OBJETIVO
II. RESUMEN
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REGISTROS
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REGISTROS
Donde antes de realizar algún experimento, se procede a analizar cada pin de cada
circuito integrado y ver sus funciones, así como cada circuito integrado presente en la
IMAGEN 1, entonces:
TABLA 1
Pines del SRAM 6116 y su función
Donde vemos, este C.I está conformado por buffers tri-estado donde su tabla lógica
correspondiente es:
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REGISTROS
TABLA 2
Tabla lógica del CI 74LS244
Donde vemos que solo se activa en ‘0’ lógico, su verdadera función lo veremos
un poco más adelante en la discusión de datos.
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REGISTROS
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REGISTROS
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REGISTROS
2.- Escriba en la memoria los datos, en las direcciones y con la activación de los
pines necesarios, que se muestran en la figura 2.
Para lo cual, para los pines de dirección solo se necesita 4 direcciones (4 Bytes), y en
cada uno se almacenará una letra.
TABLA 3
Tabla de almacenamiento de letras
Donde:
D0= Diodo a
D1= Diodo b
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REGISTROS
Habilitar memoria: dicha señal tiene que mantenerse en bajo durante todo el
proceso, caso contrario la memoria no estará en funcionamiento.
𝑅/𝑊̅ : esta señal va permutando su estado lógico de alto a bajo y de bajo a alto.
Y de acuerdo a IMAGEN 9 se puede notar que cada letra luego de ser escrita
(WRITE, señal en bajo) es leída (READ, señal en alto).
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REGISTROS
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REGISTROS
Las IMÁGENES 10, 11, 12, 13 nos muestra el grabado de datos en la memoria
reflejado en letras con ayuda de un display de 7 segmentos. Para el proceso de
grabado ( lectura/ escritura) se procede a realizar los siguientes pasos:
2) Como SW1 está inicialmente abierto, /OE está en estado bajo y la memoria
en modo lectura, y se procede a elegir las direcciones de acuerdo a la
IMAGEN 9 y se procede al grabado de direcciones (lectura/escritura).
D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
1 1 1 0 1 1 0
Seguidamente se cierra el SW1, ahora /WE está en esta bajo (/OE en estado
alto) se habilitan los búferes y la memoria pasa a modo escritura. De esta
manera se guardó la letra H.
Si nuevamente se pone /OE en esta bajo (/WE en estado alto y los búferes en
estado Hi Z) se puede leer esta misma letra en la dirección 00.
4) Para ingresar la letra ‘O’ en la dirección 01, primero ponemos A1=0 y A0=1
y se procede a realizar un arreglo en el juego de resistencias de tal manera
que:
D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
0 1 1 1 1 1 1
Seguidamente se cierra el SW1, ahora /WE está en esta bajo (/OE en estado
alto) se habilitan los búferes y la memoria pasa a modo escritura. De esta
manera se guardó la letra O.
Si nuevamente se pone /OE en esta bajo (/WE en estado alto y los búferes en
estado Hi Z) se puede leer esta misma letra en la dirección 01.
D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
0 1 1 1 0 0 0
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D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
1 1 1 0 1 1 1
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REGISTROS
CONCLUSIONES
El uso de los bufferes triestado (CI 74LS244) para controlar las entradas ‘’D0-
D7’’ durante el ciclo de escritura fue necesario para que los datos fueran
transferidos satisfactoriamente.
El uso de los microinterruptores también fue de mucha ayuda ya que nos evitó
estar moviendo cables y así dañar el circuito innecesariamente.
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APENDICE
Esquemas circuitales
C.I 74LS04
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C.I 74LS244
DISPLAY 7 SEGMENTOS
SRAM 6116
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CARACTERISTICAS GENERALES:
RANGOS MAXIMOS:
Esquemas implementados
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