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PAC- Performance-centered Adaptive Curriculum for Employment Needs
Programa ERASMUS: Acción Multilateral - 517742-LLP-1-2011-1-BG-ERASMUS-ECUE
MASTER DEGREE:
Industrial Systems Engineering
ASIGNATURA ISE3:
Electrónica para Sistemas Industriales (EIS)
MÓDULO 1:
Principios básicos de circuitos integrados MOS, bipolares y
módulos multichip
TAREA 1-2:
CIRCUITOS INTEGRADOS BIPOLARES
Contenido
TAREA 1-2: CIRCUITOS INTEGRADOS BIPOLARES .................................................. 3

1. INTRODUCCIÓN Y OBJETIVOS ................................................................................. 3
2. CONTENIDO..................................................................................................................... 3
2.1 APARTADO 1: Estructura de los circuitos BIPOLARES ............................. 3
2.1.1 La Unión PN........................................................................................................... 3
2.1.2 El transistor Bipolar ........................................................................................... 7
NPN ....................................................................................................................................... 9
PNP ..................................................................................................................................... 10
2.1.3 La tecnología TTL .............................................................................................. 10
2.2 APARTADO 2: Principio de funcionamiento de los circuitos Bipolares
............................................................................................................................................. 11
2.2.1 Funcionamiento de la unión PN ................................................................... 11
2.2.2 Funcionamiento del transistor bipolar ...................................................... 14
2.2.3 Funcionamiento de la tecnología TTL........................................................ 17
2.3 APARTADO 3: Parámetros fundamentales de los circuitos bipolares18
2.3.1 Parámetros fundamentales del transistor bipolar ................................ 19
2.3.2 Modelado del transistor bipolar ................................................................... 19
2.4 APARTADO 4: Características de los CI bipolares .................................... 21
2.5 APARTADO 5: Aplicaciones de los CI bipolares en los Sistemas
Industriales ..................................................................................................................... 23
3. CONCLUSIONES ........................................................................................................... 24
4. BIBLIOGRAFÍA Y/O REFERENCIAS ....................................................................... 25
5. ENLACES DE INTERÉS ............................................................................................... 25
Índice de figuras
Figura 1 Unión PN.......................................................................................................................... 4
Figura 2 Formación de la zona de la barrera interna de potencial ............................................... 6
Figura 3 Transistor bipolar ............................................................................................................ 7
Figura 4 Estructura del transistor bipolar: Emisor (E), Base (B) y Colector (C) ............................. 8
Figura 5 Símbolo de un BJT NPN ................................................................................................... 9
Figura 6 Símbolo de un PNP ........................................................................................................ 10
Figura 7 Polarización directa de una unión PN. Se aprecia que se produce conducción............ 12
Figura 8 Polarización inversa de una región PN. No existe conducción...................................... 13
Figura 9 Estructura y uso de un transistor NPN. ......................................................................... 14
Figura 10 Modos de funcionamiento de un transistor bipolar ................................................... 16
Figura 11 Puerta NAND, con tecnología TTL ............................................................................... 17
Figura 12 Modelo Ebbers-Moll para un transistor NPN. ............................................................. 20

TAREA 1-2: CIRCUITOS INTEGRADOS BIPOLARES
1. INTRODUCCIÓN Y OBJETIVOS
En este proyecto profundizaremos sobre las características básicas de la

tecnología para la elaboración de circuitos integrados bipolares. Estudiaremos
su estructura, su funcionamiento, sus parámetros y características básicas, así
como las aplicaciones para las que son utilizados en los Sistemas Industriales.
En primer lugar nos detendremos en la estructura formal de dichos
circuitos definiendo la estructura básica del transistor bipolar (conocido por
BJT), ya que se trata de su pilar fundamental. También definiremos lo que es
una estructura PN sobre la cual los transistores bipolares son creados.
También entraremos en la tecnología más importante, dentro de la familia
bipolar, para la construcción de circuitos integrados, esta es la tecnología TTL.
En segundo lugar explicaremos el principio de funcionamiento de las
tres familias antes descritas, la estructura PN, el transistor bipolar y la familia
TTL.
Seguiremos profundizando en los parámetros que definen esta
tecnología, y en como al modificarlos, varía el comportamiento de los
circuitos.
Para finalizar, explicaremos dónde y para qué son utilizados los
circuitos integrados bipolares en los Sistemas Industriales.
2. CONTENIDO
2.1 APARTADO 1: Estructura de los circuitos BIPOLARES
Los circuitos integrados bipolares, hoy en día en claro retroceso en

cuanto a su aplicación en el campo de la electrónica digital, pero que
gozaron de gran aceptación décadas para la elaboración de circuitos tanto
integrados como discretos, tienen como elemento fundamental el transistor
bipolar, del cual surge la tecnología TTL que es la más importante para la
elaboración de circuitos integrales digitales.
En primer lugar examinaremos lo que es una unión PN, ya que un
transistor bipolar está constituido por una doble unión PN constituyendo el
ingenio tecnológico básico de toda la tecnología bipolar.
2.1.1 La Unión PN

Una unión PN es la estructura fundamental de componentes

electrónicos semiconductores como los diodos o los transistores BJT. Esta
estructura está formada por la unión de dos cristales semiconductores
(generalmente de silicio aunque también se utilizan otros componentes como
el germanio) con dopajes P y N. Estos materiales se obtienen al añadir
impurezas al cristal puro de forma intencionada. Ya sea con algún metal o
con algún compuesto químico.
Figura 1 Unión PN
El cristal de silicio puro es conocido como silicio intrínseco. Los

cristales de Silicio están formados a nivel atómico por una malla cristalina de
enlaces covalentes que se producen gracias a los 4 electrones de valencia del
átomo. Debido o bien por el efecto de la temperatura, o por efecto de la luz,
se propicia el hecho de que un electrón deje la capa de valencia y se
convierta en electrón libre. A este fenómeno se le conoce como par electrón-
hueco. En un semiconductor puro (intrínseco) se da la circunstancia que a
temperatura constante, el número de huecos es igual al de electrones libres.
Semiconductor "extrínseco" tipo "P"
Un semiconductor de tipo P se consigue mediante lo que se conoce

como proceso de dopaje. El dopaje consiste en la sustitución de átomos de
semiconductor intrínseco por átomos de algún elemento o compuesto con un
número menor de electrones de valencia que los del producto anfitrión.
Normalmente se utilizan átomos con 3 electrones de valencia como en el caso
del boro. De este modo se consigue aumentar el número de portadores de
carga libres (en este caso de carácter positivo debido a la mayor cantidad de
huecos).
Cuando el material dopante es añadido, éste libera los electrones más
débilmente vinculados de los átomos del semiconductor. Este agente dopante
es también conocido como impurezas aceptoras.
El propósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En
el caso del silicio, una impureza trivalente deja un enlace covalente
incompleto, haciendo que, por difusión, uno de los átomos vecinos le ceda un

electrón completando así sus cuatro enlaces. Así los dopantes crean los
"huecos". Cada hueco está asociado con un ion cercano cargado
negativamente, por lo que el semiconductor se mantiene eléctricamente neutro
en general. No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un
protón del átomo situado en la posición del hueco se ve "expuesto" y en
breve se ve equilibrado por un electrón. Por esta razón un hueco se comporta
como una cierta carga positiva. Cuando un número suficiente de aceptores
son añadidos, los huecos superan ampliamente la excitación térmica de los
electrones. Así, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los
electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los
diamantes azules, que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un
semiconductor tipo P que se produce de manera natural.
Semiconductor "extrínseco" tipo "N"
Un Semiconductor tipo N se consigue añadiendo un agente dopante en

este caso pentavalente, esto quiere decir con un electrón más en la capa de
valencia que el que tiene el material semiconductor. De este modo se
consigue aumentar el número de portadores de carga libres como en el caso
anterior, pero en este caso son de carácter negativo debido a la mayor
cantidad de electrones libres.
Cuando el material dopante es añadido, éste aporta sus electrones más
débilmente vinculados a los átomos del semiconductor. Este tipo de agente
dopante es también conocido como impurezas donantes ya que cede uno de
sus electrones al semiconductor.
El propósito del dopaje tipo N es el de producir abundancia de
electrones libres en el material. Para ayudar a entender cómo se produce el
dopaje tipo N considérese el caso del silicio (Si). Los átomos del silicio tienen
una valencia atómica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con
cada uno de los átomos de silicio adyacentes. Si un átomo con cinco
electrones de valencia, tales como los del grupo VA de la tabla periódica (ej.
fósforo (P), arsénico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en
el lugar de un átomo de silicio, entonces ese átomo tendrá cuatro enlaces
covalentes y un electrón no enlazado. Este electrón extra da como resultado
la formación de electrones libres, el número de electrones en el material
supera ampliamente el número de huecos, en ese caso los electrones son los
portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa
de que los átomos con cinco electrones de valencia tienen un electrón extra
que "dar", son llamados átomos donantes. Nótese que cada electrón libre en
el semiconductor nunca está lejos de un ion dopante positivo inmóvil, y el

material dopado tipo N generalmente tiene una carga eléctrica neta final de
cero.
Barrera interna de potencial
Al generar una unión PN se produce una difusión de electrones del

cristal n hacia el cristal p. Al establecerse estas corrientes aparecen cargas
fijas en una zona a ambos lados de la unión, zona que recibe diferentes
denominaciones como barrera interna de potencial, zona de carga espacial, de
agotamiento o empobrecimiento, de deplexión, de vaciado, etc.
Figura 2 Formación de la zona de la barrera interna de potencial
A medida que progresa el proceso de difusión, la zona de carga

espacial va incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos
lados de la unión. Sin embargo, la acumulación de iones positivos en la zona
n y de iones negativos en la zona p, crea un campo eléctrico (E) que actuará
sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de
desplazamiento, que se opondrá a la corriente de electrones y terminará
deteniéndolos.
Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia
de tensión entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V0) es de
0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio.

La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el

equilibrio, suele ser del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales
está mucho más dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho
mayor.
2.1.2 El transistor Bipolar
El transistor de unión bipolar (Bipolar Junction Transistor, o BJT) es un

dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy
cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de
sus terminales. La denominación bipolar se debe a que la conducción tiene
lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos
positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de
aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de
entrada bastante baja.
2.1.2.1 Breve historia del transistor bipolar
El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE.

UU. en diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William
Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio
Nobel de Física por su hallazgo en 1956. Fue el sustituto de la válvula
termoiónica de tres electrodos, o tríodo.
Figura 3 Transistor bipolar
A pesar de que el transistor de efecto de campo fue descubierto más

de 15 años antes, no se les encontró una aplicación, ni tampoco se disponía
de la tecnología necesaria para fabricarlos en masa. Por esta razón, durante
tres décadas los transistores bipolares gozaron de mayor popularidad que los

transistores de efecto de campo en el diseño de circuitos digitales, tanto

discretos como integrados.
La aparición de los transistores MOSFET que permiten un diseño
extremadamente compacto, propiciaron el declive de los transistores bipolares
en el diseño de circuitos integrados digitales.
Hoy en día la mayoría de circuitos integrados se construyen con
tecnología CMOS compuesta por transistores MOSFET complementarios.
No obstante, los transistores bipolares gozan de gran popularidad en el
campo de la electrónica analógica, donde son los elementos más populares.
2.1.2.2 Estructura del Transistor de Unión Bipolar
El transistor de unión bipolar está formado por tres regiones dopadas.

Estas regiones reciben el nombre de emisor, base y colector. Estas regiones
varían su dopaje dependiendo del tipo de transistor que se presente. En un
transistor NPN, el emisor será de tipo n, la base lo será de tipo p y el
colector de tipo n, y en un transistor tipo PNP lo serán en sentido contrario.
Cada región del semiconductor se conecta a un terminal que recibirá el
mismo nombre que la región a la que está conectado.
Figura 4 Estructura del transistor bipolar: Emisor (E), Base (B) y Colector (C)
Un transistor de unión bipolar está formado por dos uniones PN en un

solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta
manera quedan formadas tres regiones:
- El Emisor está formado por una zona fuertemente dopada que se
comporta como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
- La Base es la región intermedia, que separa las otras dos zonas, se
caracteriza por ser muy estrecha así como poseer un dopaje ligero de
sentido contrario al de las otras dos regiones, y por poseer una alta
resistividad.

- El Colector que es la zona de mayor extensión, posee el mismo tipo de

dopaje que el Emisor aunque suele presentar un dopaje más débil. Es la
zona que rodea a las otras dos, haciendo casi imposible para las
cargas inyectadas en la región de la base escapar de ser colectados.
El transistor bipolar, generalmente no es un dispositivo simétrico. Esto
quiere decir que si se intercambia la polaridad del colector y del emisor el
transistor deja de funcionar en modo activo para funcionar en modo inverso.
Esto es debido a que la estructura interna está normalmente preparada para
funcionar en modo activo, presentando una diferencia de dopaje en el colector
y el emisor. Generalmente el emisor está altamente dopado mientras que el
colector solamente lo está ligeramente. La razón de que el emisor esté mucho
más dopado es para aumentar la eficiencia de inyección de portadores del
emisor: la tasa de portadores inyectados por el emisor en relación con
aquellos inyectados por la base. Para una gran ganancia de corriente, la
mayoría de los portadores inyectados en la unión base-emisor deben provenir
del emisor.
Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la
mayoría de los BJT modernos están compuestos de silicio. Actualmente, una
pequeña parte de éstos (los transistores bipolares de heterojuntura) están
hechos de arseniuro de galio, especialmente utilizados en aplicaciones de alta
velocidad.
Tipos de Transistor de Unión Bipolar
NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores

bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a
los portadores de carga mayoritarios dentro de las
diferentes regiones del transistor. La mayoría de los
transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido
a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad
de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo Figura 5 Símbolo de
mayores corrientes y velocidades de operación. un BJT NPN
Los transistores NPN consisten en una capa de material

semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N.
Una pequeña corriente ingresando a la base en configuración emisor-común es
amplificada en la salida del colector.

La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del

emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional circula
cuando el dispositivo está en funcionamiento activo..
PNP
El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP

con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas
mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor.
Pocos transistores usados hoy en día son PNP, debido a
que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la mayoría
de las circunstancias. os transistores PNP consisten en una
capa de material semiconductor dopado N entre dos capas Figura 6 Símbolo de

de material dopado P. Los transistores PNP son un PNP
comúnmente operados con el colector a masa y el emisor
conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a través de una
carga eléctrica externa. Una pequeña corriente circulando desde la base
permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el
colector.
La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta
en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el
dispositivo está en funcionamiento activo.
2.1.3 La tecnología TTL
TTL son las siglas en inglés de transistor-transistor logic, es decir,

“lógica de transistor a transistor”. La tecnología TTL es una familia lógica, lo
quiere decir que es una tecnología de construcción de circuitos electrónicos
digitales. El elemento básico de construcción de los componentes fabricados
con esta tecnología, son transistores bipolares. Esto quiere decir que los
elementos de entrada y salida del dispositivo son transistores bipolares.
2.1.3.1 Reseña Histórica
Aunque la tecnología TTL tiene su origen en los estudios de Sylvania,

fue Signetics la compañía que la popularizó por su mayor velocidad e
inmunidad al ruido que su predecesora DTL, ofrecida por Fairchild
Semiconductor y Texas Instruments, principalmente. Texas Instruments
inmediatamente pasó a fabricar TTL, con su familia 74xx que se convertiría en
un estándar de la industria.

2.1.3.2 Estructura de los circuitos TTL
La tecnología TTL se caracteriza por tener tres etapas, siendo la

primera la que le nombra:
- Etapa de entrada por emisor. Se utiliza un transistor con emisor
múltiple en lugar de una matriz de diodos como se utiliza en la
tecnología DTL.
- Separador de fase. Es un transistor conectado en emisor común que
produce en su colector y emisor señales en contrafase.
- Driver. Está formada por varios transistores, separados en dos grupos. El
primero va conectado al emisor del separador de fase y drenan la
corriente para producir el nivel bajo a la salida. El segundo grupo va
conectado al colector del divisor de fase y produce el nivel alto.
Esta configuración general varía ligeramente entre dispositivos de cada
familia, principalmente la etapa de salida, que depende de si son búferes o no
y si son de colector abierto, tres estados (ThreeState), etc. Se presentan
mayores variaciones entre las distintas familias: 74N, 74L y 74H que difieren
principalmente en el valor de las resistencias de polarización, pero los 74LS (y
no 74S) carecen del transistor multiemisor característico de TTL. En su lugar
llevan una matriz de diodos Schottky (como en la tecnología DTL). Esto les
permite aceptar un margen más amplio de tensiones de entrada, hasta 15V en
algunos dispositivos, para facilitar su interfaz con la tecnología CMOS. También
es bastante común, en circuitos conectados a buses, colocar un transistor PNP
a la entrada de cada línea para disminuir la corriente de entrada y así cargar
menos el bus. Existen dispositivos de interfaz que integran impedancias de
adaptación al bus para disminuir las reflexiones o aumentar la velocidad.
2.2 APARTADO 2: Principio de funcionamiento de los circuitos

Bipolares
2.2.1 Funcionamiento de la unión PN
Una unión PN puede operar de dos modos diferentes: polarización

directa de la unión o en polarización inversa.
Polarización directa de la unión PN

En este caso, la batería disminuye la barrera de potencial de la zona de

carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a través de
la unión; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.
Figura 7 Polarización directa de una unión PN. Se aprecia que se produce conducción.
Se produce cuando se conecta el polo positivo de la pila a la parte P de la

unión PN y la negativa a la N. En estas condiciones podemos observar que:
- El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal n,
con lo que estos electrones se dirigen hacia la unión PN.
- El polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del
cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la
unión PN.
- Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es
mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los
electrones libres del cristal n, adquieren la energía suficiente para saltar
a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado
hacia la unión PN.
- Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p
atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los múltiples
huecos de la zona p convirtiéndose en electrón de valencia. Una vez
ocurrido esto el electrón es atraído por el polo positivo de la batería y
se desplaza de átomo en átomo hasta llegar al final del cristal p,
desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batería.

De este modo, con la batería cediendo electrones libres a la zona n y

atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a través del diodo
una corriente eléctrica constante hasta el final.
Polarización inversa de la unión PN
En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y

el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial,
y la tensión en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensión de la
batería, tal y como se explica a continuación:
Figura 8 Polarización inversa de una región PN. No existe conducción.
- El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n,

los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro
del cual se desplazan hasta llegar a la batería. A medida que los
electrones libres abandonan la zona n, los átomos pentavalentes que
antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrón en el orbital
de conducción, adquieren estabilidad y una carga eléctrica neta de +1,
con lo que se convierten en iones positivos.
- El polo negativo de la batería cede electrones libres a los átomos
trivalentes de la zona p. Recordemos que estos átomos solo tienen 3
electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los
enlaces covalentes con los átomos de silicio, tienen solamente 7
electrones de valencia, siendo el electrón que falta el

denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos

por la batería entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo
que los átomos trivalentes adquieren estabilidad y una carga eléctrica
neta de -1, convirtiéndose así en iones negativos.
- Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga
espacial adquiere el mismo potencial eléctrico que la batería.
En esta situación, el diodo no debería conducir la corriente; sin
embargo, debido al efecto de la temperatura se formarán pares electrón-hueco
(ver semiconductor) a ambos lados de la unión produciendo una pequeña
corriente (del orden de 1 μA) denominada corriente inversa de saturación.
Además, existe también una denominada corriente superficial de fuga la cual,
como su propio nombre indica, conduce una pequeña corriente por la
superficie del diodo; ya que en la superficie, los átomos de silicio no están
rodeados de suficientes átomos para realizar los cuatro enlaces covalentes
necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los átomos de la superficie
del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de
valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a través de ellos. No
obstante, al igual que la corriente inversa de saturación, la corriente superficial
de fugas es despreciable.
2.2.2 Funcionamiento del transistor bipolar
En una configuración normal, la unión emisor-base se polariza en

directa y la unión base-colector en inversa. Debido a la agitación térmica los
portadores de carga del emisor
pueden atravesar la barrera de
potencial emisor-base y llegar a la
base. A su vez, prácticamente todos
los portadores que llegaron son
impulsados por el campo eléctrico
que existe entre la base y el
colector.
Un transistor NPN puede ser

considerado como dos diodos con la
región del ánodo compartida. En una
operación típica, la unión base-emisor
está polarizada en directa y la unión
Figura 9 Estructura y uso de un transistor NPN.
base-colector está polarizada en
inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensión positiva es

aplicada en la unión base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados

térmicamente y el campo eléctrico repelente de la región agotada se
desequilibra, permitiendo a los electrones excitados térmicamente inyectarse en
la región de la base. Estos electrones "vagan" a través de la base, desde la
región de alta concentración cercana al emisor hasta la región de baja
concentración cercana al colector. Estos electrones en la base son llamados
portadores minoritarios debido a que la base está dopada con material P, los
cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en la base.
La región de la base en un transistor debe ser constructivamente
delgada, para que los portadores puedan difundirse a través de esta en
mucho menos tiempo que la vida útil del portador minoritario del
semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan
antes de alcanzar la unión base-colector. El espesor de la base debe ser
menor al ancho de difusión de los electrones.
Control de tensión, carga y corriente
La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la

corriente base-emisor (control de corriente), o por la tensión base-emisor
(control de voltaje). Esto es debido a la relación tensión-corriente de la unión
base-emisor, la cual es la curva tensión-corriente exponencial usual de una
unión PN (es decir, la de un diodo).
En el diseño de circuitos analógicos, el control de corriente es utilizado
debido a que es aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de
colector es aproximadamente β veces la corriente de la base. Algunos circuitos
pueden ser diseñados asumiendo que la tensión base-emisor es
aproximadamente constante, y que la corriente de colector es β veces la
corriente de la base. No obstante, para diseñar circuitos utilizando BJT con
precisión y confiabilidad, se requiere el uso de modelos matemáticos del
transistor como el modelo Ebers-Moll.
Regiones operativas del transistor
Los transistores de unión bipolar tienen diferentes regiones operativas,

definidas principalmente por la forma en que son polarizados:
- Región activa:
corriente del emisor = (β + 1)·Ib ; corriente del colector= β·Ib
Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la
región de corte entonces está en una región intermedia, la región

activa. En esta región la corriente de colector (Ic) depende

principalmente de la corriente de base (Ib), de β (ganancia de corriente,
es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren
conectadas en el colector y emisor. Esta región es la más importante si
lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de señal.
- Región inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo
activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso.
En este modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles.
Debido a que la mayoría de los BJT son diseñados para maximizar la
ganancia de corriente en modo activo, el parámetro beta en modo
inverso es drásticamente menor al presente en modo activo.
- Región de corte: Un transistor está en corte cuando:
corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el
voltaje de alimentación del circuito. (como no hay corriente circulando,
no hay caída de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se
presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)
De forma simplificada, se puede decir que el la unión CE se comporta
como un circuito abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.
- Región de saturación: Un transistor está saturado cuando:
corriente de colector ≈ corriente de emisor = corriente máxima, (Ic ≈
Ie = Imax)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de
alimentación del circuito y de las resistencias conectadas en el colector
o el emisor o en ambos, ver Ley de Ohm. Se presenta cuando la
diferencia de potencial entre el colector y el emisor desciende por
debajo del valor umbral VCE,sat. Cuando el transistor esta en saturación,
la relación lineal de amplificación Ic=β·Ib (y por ende, la relación
Ie=(β+1)·Ib) no se cumple.
De forma simplificada, se puede decir que la unión CE se comporta
como un cable, ya que la diferencia de potencial entre C y E es muy
próxima a cero.
Figura 10 Modos de funcionamiento de un transistor bipolar

Como se puede ver, la región activa es útil para la

electrónica analógica (especialmente útil para
amplificación de señal) y las regiones de corte y
saturación, para la electrónica digital, representando el
estado lógico alto y bajo, respectivamente.
2.2.3 Funcionamiento de la tecnología TTL
La tecnología TTL basa su funcionamiento en transistores bipolares, de

este modo su principio de funcionamiento es el mismo que el de los BJT,
ahora bien, la tecnología TTL es una familia lógica, y utiliza dichos transistores
para elaborar funciones lógicas, para mostrar el funcionamiento de la
tecnología TTL, explicaremos el funcionamiento de una puerta NAND diseñada
con esta tecnología.
Figura 11 Puerta NAND, con tecnología TTL
Las señales de entrada de la puerta TTL son los emisores comunes de

un transistor con emisor múltiple. Esta estructura de circuito integrado es
funcionalmente equivalente a múltiples transistores en los que las bases y los
colectores están conectados conjuntamente. El output está amortiguada por un
amplificador de emisor común.
- Caso en el que ambos inputs equivalen a un uno lógico. Cuando todos
los inputs poseen una señal positiva (1 LÓGICO), las uniones base
emisor del transistor de emisor múltiple permanecen operando
inversamente. A diferencia de en la lógica DTL, una pequeña corriente
del colector (aproximadamente de 10µA) es emitida por cada uno de
los inputs. Esto se debe a que el transistor está activo en modo
inverso. Una corriente aproximadamente constante fluye desde la

alimentación positiva, a través de la resistencia hacia la base del

transistor de emisor múltiple. Esta corriente pasa a través de la unión
base-emisor del transistor de salida, permitiéndole conducir y llevando
el voltaje de salida a la zona inferior (0 lógico).
- Una entrada con un 0 lógico. Hay que tener en cuenta que la unión
base-colector del transistor de emisor múltiple y la unión base-emisor
del transistor de salida están conectadas en serie entre la parte inferior
de la resistencia y tierra. Si una de las señales de entrada se convierte
en 0, la correspondiente unión base-emisor del transistor de emisor
múltiple resultará conectada en paralelo con estas dos uniones. Un
fenómeno conocido como steering current ocurre, esto quiere decir que
cuando dos elementos con voltaje estable y con diferentes tensiones de
umbral están conectados en paralelo, la corriente fluye a través de la
base con menor tensión de umbral. Como resultado, no existe corriente
que fluya a través de la base del transistor de salida, hecho que causa
la parada de conducción convirtiendo así la señal de salida en un 1
lógico. Durante la transición el transistor de entrada permanece
brevemente en su región activa, así transmite una gran corriente desde
la base del transistor de salida y así descarga rápidamente su base.
Esta es una ventaja crítica de la familia lógica TTL sobre otras familias
lógicas ya que incrementa la velocidad de transición.
La principal desventaja de un circuito TTL con etapa de salida simple
es la resistencia de salida relativamente alta en la señal de salida de “1”, que
está completamente determinada por la resistencia ubicada entre el colector y
la salida. Esto limita el número de inputs que pueden ser conectados. El
voltaje elevado de la salida lógica “1” supone una ventaja cuando la salida
no está cargada.
Lógica de este tipo se encuentra la mayoría de las veces con la
resistencia del colector del transistor de salida omitida, generando una salida
con colector abierto. Esto permite al diseñador fabricar un circuito lógico
conectando el colector abierto del output de diferentes puertas lógicas juntas
y así utilizar una única resistencia pull-up de salida. Si alguna de las puertas
pasa a ser un “0” lógico, el transistor conduce, la señal de salida combinada
pasará a ser un “0”. Ejemplos de este tipo de puerta son las series 7401 y
7403.
2.3 APARTADO 3: Parámetros fundamentales de los circuitos

bipolares

Como la tecnología TTL basa su funcionamiento en el transistor bipolar,

los parámetros que definen su funcionamiento serán los parámetros básicos
del transistor bipolar así será el único elemento tratado en este apartado.
2.3.1 Parámetros fundamentales del transistor bipolar
Un transistor bipolar puede ser utilizado como fuente de intensidad

controlada por intensidad, o bien como fuente de intensidad controlada por
tensión. Para obtener un modelo de su funcionamiento explicaremos el modelo
Ebers-Moll de funcionamiento del transistor bipolar. Antes de entrar a explicar
dicho modelo, explicaremos dos de los parámetros más importantes de un
transistor bipolar que son el parámetro Alfa y el parámetro Beta.
El Alfa y Beta del transistor
Una forma de medir la eficiencia del BJT es a través de la proporción

de electrones capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. El
alto dopaje de la región del emisor y el bajo dopaje de la región de la base
pueden causar que muchos más electrones sean inyectados desde el emisor
hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor. La ganancia de
corriente emisor común está representada por o por hfe. Esto es
aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente
continua de la base en la región activa directa y es típicamente mayor a 100.
Otro parámetro importante es la ganancia de corriente base común, . La
ganancia de corriente base común es aproximadamente la ganancia de
corriente desde emisor a colector en la región activa directa. Esta tasa
usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que oscila entre 0.98 y 0.998.
El Alfa y Beta están más precisamente determinados por las siguientes
relaciones (para un transistor NPN):
2.3.2 Modelado del transistor bipolar

Un transistor bipolar puede ser modelado como dos diodos que comparten la
región
El modelo Ebers-Moll
Las corrientes continuas en el emisor y el colector en modo activo de

operación son bien representadas por la siguiente aproximación:
La corriente interna de la base se produce principalmente por difusión y

se representa por:
Dónde:
- es la corriente de emisor.
- es la corriente de colector.
- es la ganancia de corriente directa en configuración base común.
(de 0.98 a 0.998)
- es la corriente de saturación inversa del diodo base-emisor (en el
orden de 10−15 a 10−12 amperios)
- es el voltaje térmico (aproximadamente 26 mV a temperatura
ambiente ≈ 300 K).
- es la tensión base emisor.
- W es el ancho de la base.
Figura 12 Modelo Ebbers-Moll para un transistor NPN.

Las ecuaciones de Ebers-Moll sin aproximar son utilizadas para describir

las tres corrientes en cualquier región de operación del transistor. Estas
ecuaciones están basadas en el modelo de transporte de un transistor de
unión bipolar.
Dónde:
- es la corriente de colector.
- es la corriente de base.
- es la corriente de emisor.
- es la ganancia activa en emisor común (de 20 a 500)
- es la ganancia inversa en emisor común (de 0 a 20)
- es la corriente de saturación inversa (en el orden de 10−15 a
10−12 amperios)
- es el voltaje térmico (aproximadamente 26 mV a temperatura
ambiente ≈ 300 K).
- es la tensión base-emisor.
- es la tensión base-colector.
2.4 APARTADO 4: Características de los CI bipolares
Los circuitos integrados bipolares son históricamente los primeros

circuitos integrados monolíticos. Han ido perdiendo gradualmente su liderazgo
a favor de los circuitos integrados MOS básicamente por sus desventajas,
relacionadas con su baja densidad de integración. Esto es válido
especialmente para los circuitos integrales digitales, donde hoy en día tienen
baja presencia (principalmente en circuitos de respuesta rápida). En las
técnicas analógicas los circuitos integrados bipolares todavía mantienen una
presencia significativa, aunque en los últimos años los CI MOS han
experimentado una expansión en este campo también.
Su uso como circuitos analógicos integrales es debido al hecho de que
las estructuras bipolares en su naturaleza física se adaptan mejor al
procesado de señales digitales ya que tienen buenas propiedades de
amplificación, son controlados por corriente, pueden operar a altos voltajes,

tienen baja resistencia, y ofrecen la posibilidad de realizar diversas funciones

en las etapas de procesamiento de señales.
2.4.1 Vulnerabilidades más importantes del transistor bipolar
Los transistores bipolares además de ciertas ventajas, poseen una serie

de vulnerabilidades que los convierte en dispositivos delicados.
La primera vulnerabilidad que encontramos es la debida a la exposición
de un BJT a radiación ionizante. Este hecho causa daños debidos a la
radiación. La radiación causa la aparición de defectos en la región de la base
dichos defectos actuarán a modo de centro de recombinación. Este hecho
tendrá como resultado la reducción del tiempo de vida de los portadores
minoritarios, que tenderán a recombinarse, con la consiguiente pérdida gradual
de ganancia del transistor.
Los BJT de potencia son objeto de un modo de fallo llamado ruptura
secundaria en el cual el exceso de corriente así como las imperfecciones
naturales del silicio originan que existan porciones de silicio dentro del
dispositivo que poseen un calor desproporcionado en comparación con otras.
El silicio dopado posee un coeficiente de temperatura negativo, lo que quiere
decir que conduce más corriente a altas temperaturas. Así, la parte más
caliente conducirá más corriente, causando un incremento en su conductividad
lo que se traduce en un nuevo incremento de la temperatura, dicho ciclo
vicioso no se para hasta que el dispositivo falla internamente. Este proceso
una vez iniciado, ocurre prácticamente instantáneamente y puede causar daños
catastróficos en el envoltorio del transistor.
Por último, si la unión base-emisor opera de forma inversa en modo
Avalanche o Zener y la corriente fluye por un corto periodo de tiempo, la
ganancia d corriente del BJT se degradará permanentemente.
2.4.2 Características de la familia TTL
Las características más importantes de la familia lógica TTL son las

siguientes:
- Su tensión de alimentación característica se halla comprendida entre los
4,75V y los 5,25V (como se ve, un rango muy estrecho). Normalmente
TTL trabaja con 5V.
- Los niveles lógicos vienen definidos por el rango de tensión
comprendida entre 0,0V y 0,8V para el estado L (bajo) y los 2,4V y Vcc
para el estado H (alto).

- La velocidad de transmisión entre los estados lógicos es su mejor base,

si bien esta característica le hace aumentar su consumo siendo su
mayor enemigo. Motivo por el cual han aparecido diferentes versiones
de TTL como FAST, LS, S, etc y últimamente los CMOS: HC, HCT y
HCTLS. En algunos casos puede alcanzar poco más de los 250 MHz.
- Las señales de salida TTL se degradan rápidamente si no se transmiten
a través de circuitos adicionales de transmisión (de hecho no pueden
viajar más de 2 m por cable sin obtener graves pérdidas).
2.5 APARTADO 5: Aplicaciones de los CI bipolares en los Sistemas

Industriales
2.1.3 Aplicaciones del transistor bipolar
Los BJT continúa siendo un dispositivo muy utilizado en algunas

aplicaciones, como en el diseño de circuitos discretos, debido a la gran
variedad de tipos de BJT disponibles, así como por su gran transconductancia
y resistencia de salida comparándolos con los MOSFET. Los BJT también son
muy demandados para la creación de circuitos analógicos, especialmente para
aplicaciones de muy alta frecuencia, como radiofrecuencia circuitos para
sistemas inalámbricos. Así mismo los transistores bipolares pueden ser
combinados con transistores MOSFET en circuitos integrados usando la
tecnología BiCMOS que aúna las ventajas de los dos tipos de transistores.
Las aplicaciones más importantes del transistor bipolar son para la
elaboración de amplificadores, ya que en la región activa se pueden conseguir
factores elevados de ganancia con una relación prácticamente lineal.
Otra aplicación que se le da a los BJT es la de sensores de
temperatura. Esto es debido a que existe una relación de dependencia entre la
corriente base-emisor en modo directo y la temperatura. De este modo el BJT
puede ser usado para medir temperatura diferenciando dos voltajes en dos
corrientes diferentes de operación en un radio conocido.
Los transistores bipolares también son utilizados como convertidores
logarítmicos, ya que la tensión base-emisor varia con el logaritmo de la
corriente base-emisor y la corriente colector-emisor se pueden emplear los
transistores bipolares para computar logaritmos y antilogaritmos.
Proporcionando más flexibilidad que la que proporciona un diodo a la hora de
modelar funciones no lineales.

2.1.3 Aplicaciones de la tecnología TTL
Antes de la llegada de los dispositivos VLSI, los circuitos integrados TTL

constituían el método estándar de construcción de procesadores de
minicomputadores y de procesadores mainframe, como los DEC VAX y Data
General Eclipse, así como para la elaboración de equipamiento como el
control numérico de maquinaria, impresoras, y terminales de video. Tan pronto
como los microprocesadores se convirtieron en más funcionales, los
dispositivos TTL ganaron importancia para las aplicaciones de transición, como
para los bus de los drivers en una placa base, dónde conecta varios bloques
realizados con elementos VLSI.
Mientras que originalmente fueron diseñados para manejar señales de
lógica digital, el inversor TTL puede ser utilizado como amplificador analógico.
Conectando un resistor entre los terminales de salida y de entrada se origina
un amplificador de realimentación negativa. Como amplificadores pueden ser
útiles para convertir señales analógicas al dominio digital pero no sería su
forma de utilización ordinaria allí dónde la amplificación analógica es el
objetivo principal.
3. CONCLUSIONES
Durante la realización de esta tarea, hemos ahondado en la tecnología

bipolar, y en cómo se utiliza para la elaboración de circuitos integrales. A
pesar de ser el tipo de transistor más utilizado en la primera era de la
electrónica, y por lo tanto los más utilizados a la hora de realizar circuitos
tanto discretos como integrados, en las últimas décadas el uso de esta
tecnología ha ido decreciendo hasta convertirse en una tecnología minoritaria
dentro de la electrónica digital, donde abunda el uso de los circuitos
integrados MOS.
No obstante su uso en el campo de la electrónica analógica sigue
siendo importante debido a determinadas propiedades, como son la gran
amplificador de señal, el operar con corrientes en vez de con tensiones, caso
especialmente útil en la electrónica analógica, o su velocidad de reacción en
comparación con otras tecnologías.
A pesar de no tener gran importancia en el mundo digital, la familia
lógica TTL basada en transistores bipolares posee utilidad en ciertos campos,
como son para la elaboración de dispositivos de transición como en la
creación de los buses de los drivers en una placa base, dónde conecta varios
bloques realizados con elementos VLSI

Si bien no poseen la importancia de los CI-MOS, todavía su uso está

ampliamente extendido y los convierte en elementos de gran importancia y
motivo de estudio y desarrollo.
4. BIBLIOGRAFÍA Y/O REFERENCIAS
[1] http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar
[2] http://en.wikipedia.org/wiki/Bipolar_junction_transistor
[3] http://en.wikipedia.org/wiki/Transistor%E2%80%93transistor_logic
[4] http://es.wikipedia.org/wiki/Tecnolog%C3%ADa_TTL
[5] http://www.unicrom.com/Tut_caracteristicas_transistor_bipolar.asp
[6] http://es.wikipedia.org/wiki/Uni%C3%B3n_PN
[7] http://www.youtube.com/watch?v=PSdHf6yozyc
5. ENLACES DE INTERÉS
[1] http://www.youtube.com/watch?v=FvdgxOAjJ_U
[2] http://www.youtube.com/watch?v=9CrcRabTQ0s

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2.1.3 La tecnología TTL

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2.1.3.1 Reseña Histórica

Aunque la tecnología TTL tiene su origen en los estudios de Sylvania,

CIRCUITOS INTEGRADOS BIPOLARES

2.1.3.2 Estructura de los circuitos TTL

La tecnología TTL se caracteriza por tener tres etapas, siendo la

2.2 APARTADO 2: Principio de funcionamiento de los circuitos

2.2.1 Funcionamiento de la unión PN

Una unión PN puede operar de dos modos diferentes: polarización

Polarización directa de la unión PN

CIRCUITOS INTEGRADOS BIPOLARES

En este caso, la batería disminuye la barrera de potencial de la zona de

Se produce cuando se conecta el polo positivo de la pila a la parte P de la

CIRCUITOS INTEGRADOS BIPOLARES

De este modo, con la batería cediendo electrones libres a la zona n y

Polarización inversa de la unión PN

En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y

Figura 8 Polarización inversa de una región PN. No existe conducción.

- El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n,