Producción y caracterización optoelectrica de películas delgadas basadas en elementos II-VI (Zn, Se,ó, S, Te), para encon

Producción y caracterización optoelectrica de

películas delgadas basadas en elementos II-VI (Zn,
Se,ó, S, Te), para encontrar un sensor de
respuesta espectral amplia (NUV VIS)
depositados sobre vidrio o Silicio Poroso.

Camilo Andrés Velásquez Andrade

Director: Ph.D. Néstor Jaime Torres

Universidad Nacional de Colombia

Departamento de Física
Grupo de Materiales con Aplicaciones Tecnológicas
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Guía de Trabajo

CONTENIDO
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CONTENIDO

1 Marco Teórico.
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CONTENIDO

1 Marco Teórico.
1 Introducción.
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CONTENIDO

1 Marco Teórico.
1 Introducción.
2 Absorción.
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CONTENIDO

1 Marco Teórico.
1 Introducción.
2 Absorción.
3 Relación entre Constantes Ópticas.
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CONTENIDO

1 Marco Teórico.
1 Introducción.
2 Absorción.
3 Relación entre Constantes Ópticas.
4 Preparación de las Películas delgadas por el método de
Evaporación.
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Guía de Trabajo

CONTENIDO

1 Marco Teórico.
1 Introducción.
2 Absorción.
3 Relación entre Constantes Ópticas.
4 Preparación de las Películas delgadas por el método de
Evaporación.
2 Planteamiento de la Pregunta de Investigación.
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CONTENIDO

1 Marco Teórico.
1 Introducción.
2 Absorción.
3 Relación entre Constantes Ópticas.
4 Preparación de las Películas delgadas por el método de
Evaporación.
2 Planteamiento de la Pregunta de Investigación.
1 Objetivo General y Objetivos Especícos.
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CONTENIDO

1 Marco Teórico.
1 Introducción.
2 Absorción.
3 Relación entre Constantes Ópticas.
4 Preparación de las Películas delgadas por el método de
Evaporación.
2 Planteamiento de la Pregunta de Investigación.
1 Objetivo General y Objetivos Especícos.
3 Técnicas de Caracterización Involucradas en el Proyecto.
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CONTENIDO

1 Marco Teórico.
1 Introducción.
2 Absorción.
3 Relación entre Constantes Ópticas.
4 Preparación de las Películas delgadas por el método de
Evaporación.
2 Planteamiento de la Pregunta de Investigación.
1 Objetivo General y Objetivos Especícos.
3 Técnicas de Caracterización Involucradas en el Proyecto.
1 Difracción de rayos X (XRD).
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CONTENIDO

1 Marco Teórico.
1 Introducción.
2 Absorción.
3 Relación entre Constantes Ópticas.
4 Preparación de las Películas delgadas por el método de
Evaporación.
2 Planteamiento de la Pregunta de Investigación.
1 Objetivo General y Objetivos Especícos.
3 Técnicas de Caracterización Involucradas en el Proyecto.
1 Difracción de rayos X (XRD).
2 Microscopia electrónica de barrido (SEM).
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CONTENIDO

1 Marco Teórico.
1 Introducción.
2 Absorción.
3 Relación entre Constantes Ópticas.
4 Preparación de las Películas delgadas por el método de
Evaporación.
2 Planteamiento de la Pregunta de Investigación.
1 Objetivo General y Objetivos Especícos.
3 Técnicas de Caracterización Involucradas en el Proyecto.
1 Difracción de rayos X (XRD).
2 Microscopia electrónica de barrido (SEM).
3 Perlometría.
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CONTENIDO

1 Marco Teórico.
1 Introducción.
2 Absorción.
3 Relación entre Constantes Ópticas.
4 Preparación de las Películas delgadas por el método de
Evaporación.
2 Planteamiento de la Pregunta de Investigación.
1 Objetivo General y Objetivos Especícos.
3 Técnicas de Caracterización Involucradas en el Proyecto.
1 Difracción de rayos X (XRD).
2 Microscopia electrónica de barrido (SEM).
3 Perlometría.
4 Espectrofotometría.
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Guía de Trabajo

CONTENIDO

1 Marco Teórico.
1 Introducción.
2 Absorción.
3 Relación entre Constantes Ópticas.
4 Preparación de las Películas delgadas por el método de
Evaporación.
2 Planteamiento de la Pregunta de Investigación.
1 Objetivo General y Objetivos Especícos.
3 Técnicas de Caracterización Involucradas en el Proyecto.
1 Difracción de rayos X (XRD).
2 Microscopia electrónica de barrido (SEM).
3 Perlometría.
4 Espectrofotometría.
4 Referencias.
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Marco Teórico
Introducción

Introducción

1 La industria optoelectrónica está construida para producir

dispositivos basados en silicio. Sin embargo, el silicio posee
bajas eciencias ópticas por ser un material de gap indirecto.
2 Compuestos II-VI (semiconductores), ZnS, ZnTe, ZnSe,
respuesta óptica en el espectro NUV-VIS.
3 Su Respuesta óptica se debe a que su GAP directo se
encuentra en valores de 3.6, 2.7 y 2.25 eV.
4 Los materiales ternarios ZnSex S1−x ZnT ex S1−x y
ZnSex T e1−x son atractivos en debido a que sus propiedades
estructurales, ópticas y opto-eléctricas se pueden variar
controlando la concentración x en el compuesto y sirven para
fabricar dispositivos que detecten en posiciones denidas
comprendidas en la región UV_VIS_NIR.
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Marco Teórico
Absorción

Absorción

Figura: Representación esquemática espectral de los diferentes tipos de absorción que ocurren en
semiconductores.

(1) Presenta niveles separados por grandes valores de energías por encima del último
nivel ocupado
(2) Excitones
(3) Desde el borde superior de la banda de valencia al borde inferior de la banda de
conducción
(4) Desde una imperfección al gap, desde el gap a la imperfección o entre niveles de
imperfección
(5) Desde portadores libres a niveles más altos en la misma banda
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Marco Teórico
Absorción

Absorción
1 Absorción fundamental: α(hν) = A Pif ni nf .
P

2 Transiciones Directas Permitidas: α(hν) = A∗ (hν − Eg )1/2 donde

m∗ m∗
3/2
q 2 2 m∗h+me∗
A∗ ≈ h e
nch2 m∗
los vectores de onda kmin y kmax debe estar en un
e
mismo punto de la zona de Brillouin k = 0.

Figura: Diagrama de bandas de un semiconductor ilustrando transiciones directas entre BV y BC

que son las bandas de valencia y la banda de conducción. Ei y Ef estados inicial y nal del
electrón.

3 Transiciones Directas Prohibidas: las reglas cuánticas de selección prohíben las

transiciones directas en k = 0 pero no en un k diferente de cero, es decir que
kmin 6= kmax no se encuentran en el mismo punto de la zona de Brillouin.
m∗ m∗
5/2
q 2 2 m∗h+me∗
α(hν) = Ai (hν − Eg )3/2 donde Ai ≈ 4
3
h
nch2 m∗
e
∗
e mh hν
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Marco Teórico
Absorción

Absorción

1 Transición Indirecta entre Valles Indirectos: el momentum asociado al máximo

de la banda de valencia no coinciden con el momentum asociado al mínimo.

Figura: Diagramas de bandas de energía de un semiconductor indirecto. Se representan procesos

de absorción de luz con la emisión de fonón (líneas de puntos) y absorción de luz con la
absorción de un fonón (línea continua).

A(hν−Eg +Ep )2
α(hν) = α(hν)a + α(hν)e donde se tiene que α(hν)a = Ep
y
exp( kT −1)
A(hν−Eg −Ep )2
α(hν)e = pE
1−exp( kT )
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Marco Teórico
Absorción

Absorción

1 Absorción Exitónica de la Luz: Al absorber la luz se produce una excitación en el

electrón de la banda de valencia, este no transita a la banda de conducción, esto
produce un sistema combinado electrón-hueco, al que denominamos excitón.

Figura: Niveles de energía del excitón.

2 Absorción extrínseca: Es debida a la absorción de luz por impurezas presentes en

el material. Estas impurezas aparecen espontáneamente durante el proceso de
preparación del material o se incluyen intencionalmente para mejorar alguna
característica del material
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Marco Teórico
Relación entre Constantes Ópticas

Relación entre Constantes Ópticas

1 Coeciente de Absorción: α(hν) = 4πk λ
depende directamente del coeciente de
extinción k que viene dado de presentar la parte imaginaria del índice de
refracción
2 Índice de Refracción: El índice de refracción de los materiales semiconductores
viene dado por su forma compleja n∗ que posee una parte real n y un
coeciente de extinción k. n∗ = n − ik.
2
+k2
3 Coeciente de Reexión: R = (n−1)
(n+1)2 +k2
Ahora cuando el coeciente de
extinción k = 0, es decir el material no absorbe la luz.
4 Transmisión: T ≈ (1 − R)2 I0 e(−αx)

Figura: Cantidad de ujo de energía en un sistema el cual permite múltiples reexiones internas.
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Marco Teórico
Preparación de las Películas delgadas por el método de Evaporación

Preparación de las Películas delgadas por el método de

Evaporación

Figura: Fuente de evaporación utilizada para depositar películas delgadas de compuestos binarios y
ternarios II-VI.
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Planteamiento de la Pregunta de Investigación

Planteamiento de la Pregunta de Investigación

¾Qué valor deben tomar los parámetros de crecimiento en este

caso: temperatura de sustrato, temperatura de evaporación, tiempo
de depósito, tipo de sustrato y área salida del evaporador para
obtener películas delgadas basadas en compuestos II-VI que tengan
una amplia respuesta espectral en el visible?
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Planteamiento de la Pregunta de Investigación
Objetivo General y Objetivos Especícos

Objetivo General y Objetivos Especícos

Objetivo General
Preparar controladamente por evaporación en alto vacío películas
delgadas de compuestos binarios y ternarios con base en elementos
II-VI de la tabla periódica que tengan respuesta espectral amplia en
el visible.
Objetivos Especícos
1 Producir películas delgadas de ZnSe, ZnTe y ZnS y materiales
ternarios con base (Zn, S, Se y Te) sobre sustratos de vidrio a
diferentes condiciones de depósito.
2 Estudiar la inuencia de los parámetros de depósito sobre las
propiedades estructurales, composición y propiedades ópticas y
opto-eléctricas de las películas preparadas.
3 Caracterizar las películas con difracción de rayos X, SEM,
AES, transmitancia óptica en el visible, y fotoconductividad
espectral y fotoluminiscencia.
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Técnicas de Caracterización Involucradas en el Proyecto
Difracción de rayos X (XRD)

Difracción de rayos X (XRD)

(a) (b)
Figura: Imagenes a)Patrón de difracción para una muestra de ZnT e b)Imagen de Difracción con
respecto a los planos del cristal. (Tomada de
https://fys.kuleuven.be/iks/nvsf/experimental-facilities/x-ray-diraction-2013-bruker-d8-discover)

Ley de Bragg nλ = 2d cos θ

Amorfos, Policristalinos, Monocristalinos.
Crecimiento de Planos
Índices de Miller
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Técnicas de Caracterización Involucradas en el Proyecto
Microscopia electrónica de barrido (SEM)

Microscopia electrónica de barrido (SEM)

(a) (b)
Figura: Imagenes a)Micrografías de SEM de capas de T iO2 (T iO2 nanotubes for bone regeneration,
Trends in Biotechnology,) b)Diagrama esquemático de un equipo de SEM. (Tomada de
http://www.purdue.edu/rem/rs/sem.htm)

Amplia Profundidad de Campo.

Elevada Resolución.
Combinación de microscopía con análisis espectroscópico
Imágenes en 3D.
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Técnicas de Caracterización Involucradas en el Proyecto
Perlometría

Perlometría

(a) (b)
Figura: Esquemas de Operación del Perlometro

Punta de Diamante
Cámara (Zoom 166X)
Sensor (Low-Inertia Sensor (LIS 3)
LVDT son transductores electromecánicos
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Técnicas de Caracterización Involucradas en el Proyecto
Espectrofotometría

Espectrofotometría

(a) (b)
Figura: Imagenes a)Patrón de Transmitancia obtenido de una muestra de ZnT e. b)Partes del equipo
de espectrofotometria
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Referencias

Referencias
1 C. Chin-Hau, F. Wen-Chung, L. Yen-Chen y C. Wu-Ching,
Radiative recombination of indirect exciton in type-II
ZnSeTe/ZnSe multiple quantum wells, Journal of
Luminescence, vol. 131, pp. 956-959, 2011.
2 Caracterización del Material.M. López López, A. Guillén
Cervantes, Z. Rivera Alvarez y I. Hernández Calderón,
Hillocks formation during the molecular beam epitaxial
growth of ZnSe on GaAs substrates, Journal of Crystal
Growth, vol. 193, no 4, pp. 528-534, 15 October 1998.
3 M. Kishino, T. Shigeyuki, K. Senda, Y. Yamada y T. Taguchi,
Photoluminescence characterization of MBE-grown
ZnTexSe1-x epitaxial layers with high Te concentrations,
Journal of Crystal Growth, no 214/215, pp. 220-224, 2000.
4 N. Ohtani, T. Nakamura, H. Sumiya, F. Hasegawa y S.
Sarayama, Wide Bandgap Semiconductors, K. Takahashi, A.
Yoshikawa y A. Sandh, Edits., Tokyo: Springer, 2007, pp.