INFORME DE LABORATORIO N°6

CIRCUITOS CON TRANSISTORES BIPOLARES

Integrantes : Felipe Gacitua

Dennis Vidal

Docente : Luis Silva O.

Fecha de entrega : 21/10/2015

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Depto. Ingeniería Eléctrica y Electrónica Informe N°6 Circuitos con Transistores Bipolares
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ÍNDICE

Pág.

1 Resumen 3

2 Objetivos 4

3 Bases Teóricas 5-7

4 Procedimiento experimental, análisis y resultados 8-18

5 Conclusión 19

6 Lista de materiales 20

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1. Resumen

Circuito de polarización en saturación/corte

Se implementa un circuito en una protoboard con un transistor bipolar 2N2222, donde

se midien los parámetros en estado de saturación. Luego se conmuta agregándole un
switch, cambiando su estado de saturación a corte donde se midió sus parámetros a
tal condición.
Finalmente para una señal de tipo TTL a la entrada del circuito se calculó el voltaje
colector emisor.

Circuito de polarización en región activa

Se implementó el circuito de la figura N°11 en la protoboard bajo la topología de un

divisor de tensión, donde se miden los parámetros para el cálculo del punto Q (punto
de trabajo) y se verificó si tal punto se ubicaba en la zona media de operación del
transistor.

Circuito amplificador en emisor común

Utilizando el circuito de polarización de la actividad anterior, construimos un

amplificador en emisor común, con una señal de sinusoidal en la entrada, con una
frecuencia de 5 Khz. Variamos la amplitud de la señal de entrada hasta encontrar
observar la máxima amplitud de la señal de salida sin distorsión.

Circuito amplificador en emisor común modificado

Utilizando el circuito anterior, con la diferencia de que se modifica colocando una

resistencia (by pass) para crear una realimentación negativa. Calculamos el valor
teórico del punto de trabajo para poder comprarlo con el valor obtenido en el
laboratorio.

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2. Objetivos

 Diseñar y ensayar circuitos de polarización para operar en conmutación y en zona activa.

 Diseñar y ensayar circuitos amplificadores en régimen de señales pequeñas, medir sus
parámetros de operación en frecuencias medias.

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3. Bases Teóricas

Transistor Bipolar

El transistor de unión bipolar es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en

dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de
sus terminales.

Estos transistores es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y
emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor.

Figura N°1: “Ejemplo de transistor BJT”

Tipos de configuración de un transistor BJT

Figura N°2: “Configuración PNP” Figura N°3: “Configuración NPN”

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Zonas de Trabajo de un Transistor Bipolar

Zona de Saturación

Corresponde a un punto Q con una IC elevada (depende de la RC) y un voltaje VCE muy pequeño no
menor a un valor denominado de saturación VCEsat. Los valores típicos de VCEsat son del orden de
0,3 [V].

Cuando el transistor está saturado, se puede comparar a un interruptor cerrado entre colector y
emisor.

Zona de Corte

Corresponde a un punto Q con una IC prácticamente nula y un voltaje VCE elevado. Si hacemos nula
la IB, la IC=ICEO, es decir tendrá un valor muy pequeño, y por lo tanto la cantidad de tensión en RC
será mínima con lo que VCE=VCC.

El transistor en corte se puede comparar con un interruptor abierto entre colector y emisor. La
potencia que disipa el transistor tanto en corte como en saturación es mínima, ya que uno de
los coeficientes en ambos casos es prácticamente nulo.

Zona Activa

Es una amplia región de trabajo comprendida entre la zona de corte y la de saturación, con unos
valores intermedios tanto de IC como de VCE.

La potencia disipada ahora es mayor, ya que ambos términos (IC y VCE) tienen un valor intermedio.

Figura N°4: “Grafico de zonas de trabajo del transistor bipolar”

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Transistor 2N222

El 2N2222, también identificado como PN2222, es un transistor bipolar NPN de baja potencia de
uso general.

Sirve tanto para aplicaciones de amplificación como de conmutación. Puede amplificar pequeñas
corrientes a tensiones pequeñas o medias; por lo tanto, sólo puede tratar potencias bajas (no
mayores de medio Watts). Puede trabajar a frecuencias medianamente altas.

Figura N°5: “Transistor BJT 2N222”

Parámetros de operación (Transistor BJT 2N2222)

- Polaridad: NPN
- Disipación de potencia máxima de colector (Pc): 0.5 [W]
- Máxima tensión colector-base (VCE): 60 [V]
- Tensión máxima de colector-emisor (VCE): 30 [V]
- Máxima tensión emisor-base (VEB): 5 [V]
- Corriente máxima de colector (IC máx): 0.8 [A]
- Máxima temperatura (Tj): 175°C
- Frecuencia de transición (ft): 250 [MHz]
- Velocidad de transferencia de corriente directa (hFE): 100 min

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4. Procedimiento experimental, análisis y resultados

a) Circuito de polarización en saturación/corte

Se implementará un circuito de polarización en saturación, para ello se necesitarán los siguientes

componentes:

- Transistor BJT 2N222

- Resistencia de 10 [kΩ]
- Resistencia de 1 [kΩ]

En una placa de ensayo se conectaran los componentes de la siguiente manera:

- La resistencia de 1 [kΩ] se conectará al terminal colector del transistor y a esta se le

aplicará una señal Vcc = 12 [V].
- La resistencia de 10 [kΩ] se conectara al terminal base del transistor y al mismo nodo
en el que está conectado al resistencia de 1 [kΩ].
- El terminal emisor de 2N22 se conecta a tierra.

Nuestro circuito queda conectado como se muestra en la figura N°6:

Figura N°6: “Circuito de polarización en saturación”

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Luego se conmutó agregándole un switch, cambiando su estado de saturación a corte donde

nuevamente se midió sus parámetros.

Figuras N°7 y N°8: “Circuitos de polarización en saturación/corte”

Para el ensayo del circuito de polarización en saturación/corte se obtuvieron los siguientes

resultados:

Tabla N°1: “Valores circuito de polarización en saturación”

Voltajes [V] Valor teórico Valor practico

Voltaje Colector Emisor 0[V] 0.060[V]
Voltaje Resistencia 1 [kΩ] 12.0[V] 11.89[V]
Voltaje Resistencia 10 [kΩ] 11.3[V] 11.23[V]

Tabla N°2: “Valores circuito de polarización en corte”

Volates [V] Valor teorico Valor practico

Voltaje Colector Emisor 12[V] 11.95[V]
Voltaje Resistencia 1 [kΩ] 0 [V] 0[V]
Voltaje Resistencia 10 [kΩ] 12[V] 11.94[V]

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Finalmente se le aplicó una señal cuadrada tipo TTL a la entrada del circuito, donde se procedió a
calcular el voltaje colector emisor.

Figura N°9: “Circuito de polarización en saturación con señal TTL”

Se muestra la imagen de la señal TTL 5[V] de entrada (arriba) y la señal amplificada (abajo)

Figura N°10: “Visualización de las señales TTL’’

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b) Circuito de polarización en región activa

Se implementará un circuito de polarización en región activa, para ello se necesitarán los

siguientes componentes:

- Transistor BJT 2N222

- Resistencias de 1.5 [kΩ], 1 [kΩ], 27 [kΩ] y 57 [kΩ]

En una placa de ensayo se conectaran los componentes de la siguiente manera:

- La resistencia de 1.5 [kΩ] se conectará al terminal colector del transistor y a esta se le

aplicará una señal Vcc = 12 [V].
- La resistencia de 57 [kΩ] se conectara al terminal base del transistor junto con el de
27 [kΩ], y al mismo nodo en el que está conectado al resistencia de 1.5 [kΩ].
- Al terminal emisor se le conecta una resistencia de 1 [kΩ], de 2N22 se conecta a tierra.

Nuestro circuito queda conectado como se muestra en la figura N°11:

Figura N°11: “Circuito de polarización en región activa”

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Para encontrar los valores teóricos del transistor en la región activa, es necesario hacer un circuito
equivalente del circuito anterior, para ello se debe encontrar un voltaje y una resistencia
equivalente, la cual quedaría como en la figura:

Figura N°12: “Circuito equivalente”

Para determinar los valores de dicho circuito, procedemos a realizar los siguientes cálculos:

𝑅𝐵1 ∙ 𝑅𝐵2 57 [𝑘Ω] ∙ 27 [𝑘Ω]

𝑅𝐵𝑇𝐻 = = = 18.3 [𝑘Ω]
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2 57 [𝑘Ω] + 27 [𝑘Ω]

𝑅𝐵2 27 [𝑘Ω]
𝑉𝑇𝐻 = ∙ 𝑉𝐶𝐶 = ∙ 12[𝑉] = 3.87 [𝑉]
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2 57 [𝑘Ω] + 27 [𝑘Ω]

𝑅𝐸 (𝛽 + 1) = 1 [𝑘Ω] ∙ (100 + 1) = 101 [𝑘Ω]

Figura N°13: “Circuito equivalente con valores calculados”

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Después de obtener los valores correspondientes al circuito equivalente, se calcula la corriente IBQ
y a su vez ICQ:

𝑉𝑇𝐻 − 𝑉𝐵𝐸 3.87 [𝑉] − 0.7 [𝑉]

𝐼𝐵𝑄 = = = 26.5 [µ𝐴]
𝑅𝐵𝑇𝐻 + 𝑅𝐸 (𝛽 + 1) 101 [𝑘Ω] + 18.3 [𝑘Ω]

𝐼𝐶𝑄 = 𝐼𝐵𝑄 ∙ 𝛽 = 26.5 [𝜇𝐴] ∙ 100 = 2.65 [𝑚𝐴]

Al obtener el valor de ICQ, se puede obtener el valor de VCEQ:

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝑄 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 12 [𝑉] − 2.65 [𝑚𝐴] ∙ (1.5 [𝑘Ω] + 1[𝑘Ω]) = 5.37 [𝑉]

Los valores obtenidos en la práctica se presentan mediante los siguientes cálculos y en su tabla
correspondiente:

Valor práctico de VCargaCC: 4.4 [V]

Valor práctico de ICQ:

𝑉𝐶𝑎𝑟𝑔𝑎𝐶𝐶 4.4 [𝑉]

𝐼𝐶𝑄 = = = 2.93 [𝑚𝐴]
𝑅𝐶 1.5 [𝑘Ω]

Valor práctico de VCEQ: 4.78 [V]

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Tabla N°3: “Valores teóricos y prácticos de parámetros de Q”

Parámetros de Q Valores teóricos Valores prácticos

VCEQ 5.37 [V] 4.78 [V]
ICQ 2.65 [mA] 2.93 [mA]

Figura N°14: “Gráfico de punto Q en la recta de carga”

* A partir de los valores de tabla se puede ver que el valor practico de V CEQ = 4.78 [V]
resultó ser más desviado hacia saturación en la zona de operación del transistor.

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c) Ensayo de un Amplificador en Emisor Común

Se implementará un circuito amplificador en emisor común, para ello se necesitarán los siguientes
componentes:

- Transistor BJT 2N222

- Resistencias de 1.5 [kΩ], 1 [kΩ], 27 [kΩ] y 57 [kΩ]
- Capacitores de 10 [µF], 10 [µF] y 47 [µF]

En una placa de ensayo se conectaran los componentes de la siguiente manera:

- Al terminal colector del transistor se conectará una resistencia de 1.5 [kΩ] junto con
un capacitor de 10 [µF], y a está resistencia se le aplicará una señal Vcc = 12 [V].
- La resistencia de 57 [kΩ] se conectara al terminal base del transistor junto con una de
27 [kΩ] (ésta conectada a tierra), y al mismo nodo en el que está conectado al
resistencia de 1.5 [kΩ].
- A la misma terminal base, se conectará un capacitor de 10 [µF], a la cual se le aplica
una señal senoidal de 10 [mV].
- Al terminal emisor se le conecta una resistencia de 1 [kΩ], y en paralelo a ésta, un
capacitor de 47 [µF], ambos conectados a tierra.

Nuestro circuito queda conectado como se muestra en la figura N°15:

Figura N°15: “Amplificador en emisor común”

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Se muestra la imagen de la señal de entrada aplicada en el amplificador (arriba) y la señal

amplificada (abajo).

Figura N°16: “Señal de entrada Sinusoidal, 10[mV/div], Señal de salida, 2[V/div]”

Figura N°17: “Figura de Lissajous del circuito en relación de fase entre señal de entra y
salida”

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d) Ensayo de un Amplificador en Emisor Común Modificado

Se implementará un circuito amplificador en emisor común modificado, para ello se necesitarán

los siguientes componentes:

- Transistor BJT 2N222

- Resistencias de 1.5 [kΩ], 1 [kΩ], 27 [kΩ], 57 [kΩ] y 100 [Ω]
- Capacitores de 10 [µF], 10 [µF] y 47 [µF]

En una placa de ensayo se conectaran los componentes de la siguiente manera:

- Al terminal colector del transistor se conectará una resistencia de 1.5 [kΩ] junto con
un capacitor de 10 [µF], y a está resistencia se le aplicará una señal Vcc = 12 [V].
- La resistencia de 57 [kΩ] se conectara al terminal base del transistor junto con una de
27 [kΩ] (ésta conectada a tierra), y al mismo nodo en el que está conectado al
resistencia de 1.5 [kΩ].
- A la misma terminal base, se conectará un capacitor de 10 [µF], a la cual se le aplica
una señal senoidal de 320 [mV].
- Al terminal emisor se le conecta una resistencia de 1 [kΩ], y en paralelo a ésta, un
capacitor de 47 [µF], ambos conectados a tierra.
- La única modificación aplicada al circuito, es una resistencia de 100[Ω], entre el emisor
y la resistencia de 1 [kΩ].

Nuestro circuito queda conectado como se muestra en la figura N°18:

Figura N°18: “Amplificador en emisor común modificado”

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Se muestra la imagen de la señal de entrada aplicada en el amplificador (arriba) y la señal

amplificada (abajo).

Figura N°19:”Señal de entrada Sinusoidal, 320[mV/div], Señal de salida, 4[V/div]”

Figura N°20: “Figura de Lissajous del circuito en relación de fase entre señal de entra y
salida”

Tabla N°4: “Valores prácticos en amplificador en emisor común modificado”

Método Tensión máx Vi Tensión máx Vo Ganancia Vo/Vi Frecuencia Desfase

Practico 320 [mV] 4[V] 12.5 5[Khz] Aprox 180°

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5. Conclusión

En el desarrollo del laboratorio, se pudo analizar el comportamiento de un transistor en cada

circuito empleado, el cual nos permitió comprender algunas funciones que cumple este
dispositivo.

En el ensayo número 1, correspondiente a circuito de polarización en saturación (y corte) los

valores prácticos, fueron muy cercanos a los valores teóricos. Dichos valores daban a conocer el
comportamiento de este tipo de circuito. Al estar el circuito en zona de saturación o de corte, su
comportamiento es similar a la de un interruptor. Ya que al hacer tender dicho circuito a
saturación, este actuaba como si el interruptor estuviera abierto, sin conexión, lo que su voltaje
tomaba un valor aproximado a 0 [V], simulando un corto circuito ideal, y si tendía el circuito a zona
de corte, este actuaba como si se cerrara. Dichos valores fueron los esperados, ya que son muy
cercanos a los valores ideales, mostrados en el conocimiento teórico.

En el circuito número 2, en el que se analizó un circuito en polarización en la región activa, en el

cual se pedía determinar los parámetros del punto Q, en la recta de carga, los valores obtenidos
mediante la práctica están en el rango de valores presentes en dicha región de trabajo del
transistor. Dichos valores tendían a irse a zona de saturación más que a zona de corte. También se
dedujo que si al modificar el circuito de cierta manera a través de uno de los resistores, se podía
hacer tender el punto Q tanto a zona de saturación como de corte.

Luego se estudió un circuito amplificador en la configuración de emisor común, el cual se le

agregaron capacitores que ayudaban a modificar las tensiones, para así obtener una señal de
entrada amplificada a la salida de dicho circuito. Los valores fueron los esperados y se dio a saber
que se puede amplificar hasta cierto rango de voltajes.

Finalmente se analizó el mismo circuito en emisor común, pero modificado de tal manera de que
la señal de salida pudiera aumentar en mayor número de ganancia, ante una señal de entrada
especifica.
Se aplicó una señal de entrada de 320 [mV], cuyo valor de salida es de 4 [V]; esto se hizo para
mostrar el punto de partida en el que la señal amplificada por el circuito empezaba a deformarse
en sus extremos. En la parte superior aparecía una señal saturada y en la parte inferior de la señal,
esta mostraba un pick en corte. Lo que significa que en el circuito, al modificar los parámetros de
los componentes, se puede cambiar el rango de amplificación, para así modificar la señal, aunque
esto trae consigo una disminución en el rango de ganancia amplificada en la señal de salida del
circuito.

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6. Lista de Materiales

Dispositivo e instrumentos
Transistor NPN 2N2222
Resistores (10 [Ω], 1[kΩ], 10 [kΩ], 1.5 [kΩ],
1 [kΩ], 27 [kΩ], 57 [kΩ])
3 Capacitores (2 de 10 [uF] y 1 de 47[uF])
Osciloscopio Análogo/ Digital
Entrenador Digital
Potenciómetro (10kOhm)
Protoboard
Alicate de punta
Alicate de corte
Alambres

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