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Este documento presenta un examen práctico de un curso de dispositivos electrónicos. Contiene 7 preguntas sobre semiconductores que cubren temas como la resistencia de cilindros de silicio y germanio, el porcentaje de impurezas, y afirmaciones verdaderas o falsas sobre conceptos básicos de semiconductores. Los estudiantes deben calcular valores numéricos y determinar si las afirmaciones son verdaderas o falsas con una breve justificación.
Este documento presenta un examen práctico de un curso de dispositivos electrónicos. Contiene 7 preguntas sobre semiconductores que cubren temas como la resistencia de cilindros de silicio y germanio, el porcentaje de impurezas, y afirmaciones verdaderas o falsas sobre conceptos básicos de semiconductores. Los estudiantes deben calcular valores numéricos y determinar si las afirmaciones son verdaderas o falsas con una breve justificación.
Este documento presenta un examen práctico de un curso de dispositivos electrónicos. Contiene 7 preguntas sobre semiconductores que cubren temas como la resistencia de cilindros de silicio y germanio, el porcentaje de impurezas, y afirmaciones verdaderas o falsas sobre conceptos básicos de semiconductores. Los estudiantes deben calcular valores numéricos y determinar si las afirmaciones son verdaderas o falsas con una breve justificación.
TIPO DE PRUEBA: PRACTICA No. 1 Ex. PARCIAL EX. FINAL EX. SUST.
Pueden usarse tablas con propiedades de semiconductores y constantes físicas.
1. Se tiene un cilindro de 1 mm. de radio y 2 cm. de longitud a temperatura
ambiente. a) Encontrar, con menos de 10% de error, la resistencia entre sus extremos si es de silicio intrínseco (1 pto.). b) Encontrar el % de impurezas presente en a) con dos cifras significativas, suponiendo que son donadoras, si la resistencia entre los extremos del cilindro es de 10k ohmios (2 ptos.). c) En el caso b), determinar con, al menos 5 grados centígrados de precisión, la temperatura del cilindro si fuese silicio intrínseco (2 ptos.). d) Encontrar el % de impurezas presente con dos cifras significativas, suponiendo que son aceptoras, si la resistencia entre los extremos del cilindro es de 10 ohmios y el material fuese germanio a temperatura ambiente (2 ptos.).
2. Se tiene una pirámide truncada de base cuadrada de 5 cm. de arista de
silicio y en su parte superior 1 cm. de arista tipo “n” con una altura de 4 cm. y una resistencia a temperatura ambiente entre su base y su extremo superior de 2k ohmios. Encontrar el % de impurezas presente con dos cifras significativas. (6 ptos.).
3. Indicar si es verdadera (V) o falsa (F) cada una de las siguientes
afirmaciones, sustentando cada respuesta brevemente;
a) El “ev” es una unidad de energía.
b) Los electrones de la banda de valencia tienen mayor energía que los que se encuentran en la banda de conducción. c) Existen en estado estable electrones con una energía intermedia entre las que corresponden a los electrones que se encuentran en la banda de valencia o en la banda de conducción. d) A cero grados Kelvin un semiconductor es un aislante. e) A cero grados Kelvin un semiconductor se convierte en un superconductor. f) No existen en la naturaleza semiconductores intrínsecos. g) A temperatura ambiente, los huecos contribuyen a la conducción con la misma eficiencia que los electrones libres. Respuesta correcta +1 pto. Incorrecta -0.5 pto. No se considerará la fracción en el cómputo total.