Defectos en

cristales
4° Medio Diferenciado.

Paola Arriagada
 Conocer las
imperfecciones y
consecuencias
de éstas en los
cristales. Defecto en
 Comprender el cristales y dopaje:
proceso de Objetivo
dopaje en
semiconductores
Imperfecciones o defectos
 Sonalteraciones de la red espacial que
se determinan geométricamente, según
sea que el centro de la alteración esté en
un punto, a lo largo de una línea o sobre
una superficie
Imperfecciones puntuales
 Interrupción
muy localizada en la
regularidad de una red cristalina
Imperfecciones lineales
 Aparece cuando se desequilibra la
orientación de zonas adyacentes del
cristal en crecimiento, lo que provoca la
pérdida de regularidad en la estructura
cristalina
Dislocación de borde
Dislocación de tornillo
Semiconductores
tipo n y p: Dopaje

4° Medio Diferenciado
Semiconductores
 Son materiales a los que se les puede
controlar la conductividad eléctrica.
 Los semiconductores son intrínsecos,
cuando están hechos con un elemento
puro y son extrínsecos, cuando al
elemento puro se le agregan impurezas
(dopado) con el objetivo de mejorar su
semiconducción.
 Semiconductor intrínseco
 Ej: Silicio, Germanio y Estaño gris
Semiconductores extrínsecos
 Se obtienen semiconductores extrínsecos
mediante el “dopaje” de los
semiconductores elementales puros.
 Las impurezas alteran las características
semiconductoras de los materiales al
introducir electrones extras u hoyos extras,
lo que produce dos tipos de
semiconductores extrínsecos: tipo p y
tipo n.
S. E. tipo p
 Sonlos que se obtienen al dopar
elementos semiconductores intrínsecos
con elementos del grupo 13.
S. E. tipo n
 Son
los que se obtienen mediante el
dopaje de semiconductores intrínsecos
con elementos del grupo 15