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Fuentes Corriente y Tension PDF
Fuentes Corriente y Tension PDF
Junio de 2011
Contenido:
Lectura recomendada:
1
Esta clase es una adaptación, realizada por los docentes del curso ”66.25 - Dispositivos Semiconduc-
tores - de la FIUBA”, de la correspondiente hecha por el prof. Jesus A. de Alamo para el curso ”6.012 -
Microelectronic Devices and Circuits” del MIT. Cualquier error debe adjudicarse a la traducción.
66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 Clase 24-2
Preguntas disparadoras
W 2 W
ID = µCox(VGS − VT ) = µCox(VDS − VT )2
2L 2L
ID = IREF + iOU T
Despejando vOU T :
v
IREF + iOU T
u
u
vOU T = VT +
u
u
W
u
2L µCox
t
66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 Clase 24-6
• IREF ↑ ⇒ vOU T ↑
• W/L ↑ ⇒ vOU T ⇒ VT (menor dependencia de la
corriente)
1 1
Rout = //ro '
gm gm
66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 Clase 24-7
2 Considerando un P-MOSFET :
2. Fuentes de corriente
1 W
1 W
Entonces:
W
L 2
IOU T = IREF W
L 1
Rout = ro2
Caracterı́sticas I-V de una fuente de corriente N-MOSFET:
W
IOU T n = IREF WL n
L R
W
IOU T 1 = IREF WL 1
L R
W
IOU T 2 = IREF WL 2
L R
W W W
L 4
IOU T 4 = IOU T 1 W = IREF WL 4 WL 1
L 3 L 3 L R
66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 Clase 24-14
VDD −VOU T
IREF = R
v
u
IREF
VOU T = VT + u
t
W
2L µCox
Entonces:
(w/l)1 ∆V
∆IOU T = (w/l) 2 R+1/gm
66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 Clase 24-16
√1 2
1 (1− k )
IOU T = w µC
RS 2 2l ox
66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 Clase 24-17
Principales conclusiones