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  • Materiales Semiconductores

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    Materiales semiconductores - electrónica

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    Figura 18 a) Estados de Ph 2 2 comdceisn yb) no conduceian del _ tyr iodo ideal, segin esta determinado te Por la direcci6n dela coriente ‘convencional establecida por la red, Como se indicé antes, el propésito inicial de esta seccicn es presentar las caracteristicas de un dispositivo ideal para poder compararlas con las caracteristicas de la variedad comer~ cial. Segin se avance a través de las proximas secciones, se deben considerar las siguientes, preguntas: Qué tan cercana sera la resistencia directa o de “encendido” de un diodo practico ‘comparado con el nivel 0-0 deseado? GBs la resistencia inversa parcial lo suficientemente grande como para permitir una ‘aproximacion de circuito abierto? 1,3. MATERIALES SEMICONDUCTORES El término semiconductor revela pot si mismo una idea de sus caracteristicas. El prefijo semi ssucle aplicarse a un rango de niveles situado a la mitad entre dos limites. El término conductor se aplica a cualquier material que soporte un flujo generoso de carga, cuando una fuente de voliaje de magnitud limitada se aplica a través de sus terminates. Un aistante es un material que ofrece un nivel muy bajo de conductividad bajo la resion de una fuente de voltaje aplicada. Un semiconductor, por tanto, es un material que posee un nivel de conductividad sobre algiin punto entre los extremos de un aislante y un conductor. De manera inversa, y relacionada con la conductividad de va material, se encuentra su resistenciaal flujo de la carga o corriente. Esto es mientras ma alto es el nivel de conductividad, menor es el nivel de resistencia. En las tablas el término resstvidad (p, la letra griega ho) se utiliza a menudo para comparar los niveles de resistencia de los materiales. En unidades méti- cas, laresistividad de un material se mide en Q-cm o -m. Las unidades de S-cm se Gerivan de Ja sustitucién de las unidades para cada camtidad de la figura 14 en la siguiente eeuaci6n (erivada de la ecuacién basica de resistencia R = pl/A) RA _ (xen Boer) La om aay 1 em De hecho, si el drea de la figura 14 es de 1 cm? y la longitd de 1 em, 1a magnitud de la resistencia del cubo de la figura 1.4 es igual a la magnitud de la resistividad del material segtin se demuestra a continuacidn: (em) e A” (em? IRl=p = |plohms Este hecho serd de utlidad cuando se comparen los niveles de resistividad en los andlisis que se presentan enseguida. En la tabla 1.1 se muestran los valores tipicos de resistividad para tres categorias amplias de materiales, Aungue se pueda estar familiarizado con las propiedades eléctricas del cobre y la ‘mice, las caracteristicas de los materiales semiconductores, germanio (Ge) y siticio (Si), pue- 1.3. Materiales semiconductores As lont te tem Figura 1.4 Definiciin de las lunidades métricas de resistivdad. Figura 15 Estructura de un solo cristal de Ge Si TABLA 1.1 Valores tipicos de resistividad Conductor Semiconductor Aistante pel Den p= 50<2-em (germanio) pel? Oem (cobre) 350 x 10’ Gem (siico) (ica) den serrelativamente nuevas, Como se encontraré en los capinulos que siguen, ciertamente no 30m los tnicos dos meteriales semiconductores; sin embargo. son los que mas interesan en el desarrollo de dispositivos semiconductores. En afios recientes el cambio ha sido estable con el slicio, pero no asi con el germanio. cuya produccién atin es escasa ‘Observe en la tabla 1.1 el rango tan grande entre los materiales conductores y zislantes para I Yongitud de 1 em (un Area de 1-cm) de material. Dieciocho lugares separan la colocaciGn del ‘unto decimal de un mimero 2 otto. Ge y Si han recibido la arencién que tienen por varias ra20- nes. Una consideracién muy importante es el hecho de que pueden ser fabricados con un muy alto nivel de pureza. De hecho, los avances recientes han reducido los niveles de impureza en el ‘material puro a una parte por cada 10 mil millones (1 : 10 000 000 000). Es posible que alguien se pregunte si estos niveles de imporeza son realmente necesarios. En realidad lo son si se consi- dera que la adicién de una parte de impureza (del tipo adecuado) por millén, en una oblea de cio, puede cambiar dicho material de un conductor relativamente pobre a un buen conductor Ge electricidad. Como es obvio, se esté manejando un espectro completamente nuevo de nive- les de comparacién, cuando se trata con el medio de los semiconductores. La capacidad de cam- biar las caracteristicas del material en forma significativaa través de este proceso, que se conoce ‘como “dopado”, es otra razén més por la cual el Ge y el Si han recibido tanta atencin. Otras razones incluyen é] hecho de que sus caractersticas pueden alterarse en forma significativa a través dela aplicacion de calor 0 luz, una consideracién importante en el desarrallo de dispositi- ‘vos sensibles al calor o ala lz, ‘Algunas de las cualidades tnicas del Ge y el Si que se observaron antes se deben a su estructura atémica. Los étomos de ambos materiales forman un patron muy definido que es periddico en naturaleza (esto es que continuamente se epite él mismo). A un patrén completo se le llama cristal, y al aregio periédico de los étomos, red cristalina. Pare el Ge y el Si el cristal tiene la estructura de diamante de tres dimensiones que se muestra en la figura 1.5 CCuslquier material compuesto s6io de estructurasrepetidas de cristal del mismo tipo se deno- ‘mina estructura de cristal tnico. Para los materiales semiconductores de aplicacién préctica en el campo de la electronica, esta caracterfstica de cristal nico existe y, dems, la periodicidad

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